Wolfspeed不斷發(fā)展以應(yīng)對(duì)供應(yīng)挑戰(zhàn)并推出高性能Gen 3+芯片

碳化硅（SiC）長期以來一直被稱為功率器件的理想半導(dǎo)體技術(shù)，通過設(shè)計(jì)和制造創(chuàng)新，通過提供更高的功率密度，更好的高速開關(guān)性能，更高的擊穿場(chǎng)，更高的導(dǎo)熱性，...

2023-05-19 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車晶圓碳化硅 1650 0

簡述SiP項(xiàng)目成功的三要素

裸芯片(die,bare die,bare chip)，通常是指半導(dǎo)體元器件制造完成，封裝之前的產(chǎn)品形式。裸芯片通常是以晶圓形式(wafer form)...

2023-05-19 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體元器件 2972 0

晶圓級(jí)磁光克爾測(cè)量儀性能介紹

利用極向/縱向磁光克爾效應(yīng)（MOKE），快速全局檢測(cè)晶圓膜堆的磁性。非接觸式測(cè)量，避免了傳統(tǒng)磁性表征對(duì)晶圓的破壞，可應(yīng)用于圖形化前后的樣品檢測(cè)?？商峁└?..

2023-05-17 標(biāo)簽：晶圓測(cè)量儀 681 0

激光與碳化硅相互作用的機(jī)理及應(yīng)用

本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...

2023-05-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光晶圓 2649 0

硅晶片的酸基蝕刻：傳質(zhì)和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過...

2023-05-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓硅晶片 1215 0

一文帶你了解芯片制造過程！

除了傳統(tǒng)的引線鍵合方法外，還有另一種封裝方法，即使用球形凸點(diǎn)連接芯片和基板的電路。這提高了半導(dǎo)體速度。這種技術(shù)稱為倒裝芯片封裝，與引線鍵合相比，它具有更...

2023-05-16 標(biāo)簽：晶圓封裝測(cè)試芯片封裝 965 0

光伏電池新技術(shù)如何惠及能量收集

如今，大約85%的光伏?(PV) 電池是由硅制造的，因?yàn)楣璺浅＿m合用來將光轉(zhuǎn)化為電，儲(chǔ)量也很豐富，而且采用硅制造的光伏電池可以借助集成電路 (IC) 行...

2023-05-16 標(biāo)簽：集成電路晶圓電池 1410 0

Wafer晶圓半導(dǎo)體制造流程圖解

所謂“半導(dǎo)體”，是一種導(dǎo)電性能介于“導(dǎo)體”和“絕緣體”之間的物質(zhì)總稱。導(dǎo)體能導(dǎo)電，比如鐵銅銀等金屬，絕緣體不導(dǎo)電，比如橡膠。芯片的制作為什么要用半導(dǎo)體？...

2023-05-15 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造Wafer 6828 0

芯片的制作為什么要用半導(dǎo)體？Wafer晶圓半導(dǎo)體制造工藝

所謂“半導(dǎo)體”，是一種導(dǎo)電性能介于“導(dǎo)體”和“絕緣體”之間的物質(zhì)總稱。導(dǎo)體能導(dǎo)電，比如鐵銅銀等金屬，絕緣體不導(dǎo)電，比如橡膠。芯片的制作為什么要用半導(dǎo)體？

2023-05-15 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造光刻膠 9861 0

晶圓級(jí)集成技術(shù)研究進(jìn)展

本文研究了一種用于5G通信的射頻微系統(tǒng)與天線一體化三維扇出型集成封裝技術(shù). 通過在玻璃晶圓 上使用雙面布線工藝，實(shí)現(xiàn)毫米波天線陣列的制作. 將TSV轉(zhuǎn)接...

2023-05-15 標(biāo)簽：射頻晶圓通信 2219 0

離子在非晶態(tài)材料內(nèi)的投影射程

離子在非晶態(tài)材料內(nèi)的投影射程通常遵循高斯分布，即所謂的常態(tài)分布。單晶硅中的晶格原子整齊排列，而且在特定的角度具有很多通道。

2023-05-15 標(biāo)簽：晶圓 1774 0

晶圓背面研磨(Back Grinding)工藝簡介

經(jīng)過前端工藝處理并通過晶圓測(cè)試的晶圓將從背面研磨（Back Grinding）開始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序，其目的不僅是為了減少晶圓厚度...

2023-05-12 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 2773 0

先進(jìn)封裝之芯片熱壓鍵合技術(shù)

回顧過去五六十年，先進(jìn)邏輯芯片性能基本按照摩爾定律來提升。提升的主要?jiǎng)恿碜匀龢O管數(shù)量的增加來實(shí)現(xiàn)，而單個(gè)三極管性能的提高對(duì)維護(hù)摩爾定律只是起到輔佐的作...

2023-05-11 標(biāo)簽：芯片三極管晶圓 1371 0

基于晶圓鍵合的高效單晶圓清洗

就微粒污染而言，不同的微電子工藝需要非常干凈的表面。其中，直接晶片粘接在顆粒清潔度方面有非常積極的要求。直接晶圓鍵合是將兩種材料結(jié)合在一起，只需將它們光...

2023-05-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓硅晶圓 1438 0

晶圓測(cè)試設(shè)備的“指尖”——探針卡

探針卡是半導(dǎo)體晶圓測(cè)試過程中需要使用的重要零部件，被認(rèn)為是測(cè)試設(shè)備的“指尖”。由于每一種芯片的引腳排列、尺寸、間距變化、頻率變化、測(cè)試電流、測(cè)試機(jī)臺(tái)有所...

2023-05-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓自動(dòng)測(cè)試 7502 0

掩模場(chǎng)利用率MFU簡介

掃描儀(scanner)是一種在wafer上創(chuàng)建die images的機(jī)器。它首先通過刻線（有時(shí)稱為掩模）將光照射到涂有保護(hù)性光刻膠的wafer上，以刻...

2023-05-06 標(biāo)簽：晶圓掃描儀計(jì)算器 1.3萬 0

先進(jìn)封裝之熱壓鍵合工藝的基本原理

熱壓鍵合工藝的基本原理與傳統(tǒng)擴(kuò)散焊工藝相同，即上下芯片的Cu 凸點(diǎn)對(duì)中后直接接觸，其實(shí)現(xiàn)原子擴(kuò)散鍵合的主要影響參數(shù)是溫度、壓力、時(shí)間. 由于電鍍后的Cu...

2023-05-05 標(biāo)簽：晶圓服務(wù)器芯片先進(jìn)封裝 4241 0