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標(biāo)簽 > 柵極電阻
柵極驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)器輸出級(jí)是一種典型的設(shè)計(jì),采用了兩個(gè)按圖騰柱形式配置的MOSFET。
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有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端,如落木源TX-K841L、TX-KA962F,這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度。
一、MOSFET簡(jiǎn)介MOSFET是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,屬于電壓控制電流型元件,是...
5款雙向可控硅的電路應(yīng)用場(chǎng)景 雙向可控硅工作原理
RC吸收回路的參數(shù)取值,我們常見的馬達(dá)控制場(chǎng)合,常用的選取電阻為100歐。電容為0.01uF. 而起到噪聲保護(hù)的作用的,接在控制柵極和T1之間的電阻和電...
HIP4082電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分析
MOS管導(dǎo)通的實(shí)質(zhì)是對(duì)GS結(jié)電容充電,在上圖所示的原理圖我在G級(jí)串聯(lián)一個(gè)電阻是為了限制充電速度,防止充電過快產(chǎn)生震蕩。
2020-09-09 標(biāo)簽:二極管MOS管電機(jī)驅(qū)動(dòng) 1.4萬 1
深入解析可控硅:工作原理、電路設(shè)計(jì)與應(yīng)用
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR,可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡(jiǎn)稱T...
高端電流檢測(cè)簡(jiǎn)介,試圖用LTC2063發(fā)現(xiàn)不穩(wěn)定問題
在研究頻率響應(yīng)時(shí),Neubean意識(shí)到,需要明確什么是開環(huán)響應(yīng)。如果與單位負(fù)反饋結(jié)合,構(gòu)成環(huán)路的正向路徑會(huì)從差值開始,結(jié)束于結(jié)果負(fù)輸入端。Neubean...
在了解mos管柵極電阻的作用之前,我們先了解一下mos管柵極及其他2個(gè)極的基礎(chǔ)知識(shí)。場(chǎng)效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個(gè)極性,柵極,漏...
2022-09-27 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管柵極電阻 9807 0
Resistor不單獨(dú)用于芯片的ESD保護(hù),它往往用于輔助的ESD保護(hù),如芯片Input第一級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。如圖5,當(dāng)ESD電流過大,...
1、如果沒有柵極電阻,或者電阻阻值太小 ? MOS導(dǎo)通速度過快,高壓情況下容易擊穿周圍的器件。 ? ? 2、柵極電阻阻值過大 ? MOS管導(dǎo)通時(shí),Rds...
MOS管也可以沒有柵極電阻的情況下工作,但添加一個(gè)柵極電阻可以防止一些潛在的問題。一般為1000 Ω就可以。
增加緩沖電路是降低噪聲的常用手法。本文中采用在輸出端增加緩沖電路,其實(shí)在輸入端也可以增加。在本例中,通過在開關(guān)節(jié)點(diǎn)增加RC,起到將開關(guān)引發(fā)的高頻振鈴引到...
mos管柵極串聯(lián)電阻作用 mos管柵極電阻一般多大
我們知道在電子元器件中,電容與電感屬于能量消耗器件。那么當(dāng)我們將電容、電感串聯(lián)在電路中時(shí),為了維持能量守恒,儲(chǔ)存在電路中的能量會(huì)在電容電感中互相轉(zhuǎn)換,這...
2023-08-07 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻MOS管串聯(lián)電路 3846 0
該電路的工作原理與直流可控硅電路的工作原理略有不同。當(dāng)開關(guān)打開時(shí),電路需要等到有足夠的陽極電壓可用,因?yàn)榻涣鞑ㄐ窝仄渎肪€移動(dòng)。此外,SCR電路需要等到電...
電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用三種不同的dV/dt控制方法
在電動(dòng)機(jī)控制等部分應(yīng)用中,放緩開關(guān)期間的dV/dt非常重要。速度過快會(huì)導(dǎo)致電動(dòng)機(jī)上出現(xiàn)電壓峰值,從而損壞繞組絕緣層,進(jìn)而縮短電動(dòng)機(jī)壽命。
柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵控制及400W CCM PFC中的效率比較
基于電荷平衡技術(shù)的超級(jí)結(jié)MOSFET在降低導(dǎo)通電阻和寄生電容方面提供了出色的性能,這通常需要權(quán)衡取舍。
三相逆變橋設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)
三相逆變橋設(shè)計(jì)主要:柵極電阻、MOS管下拉電阻、MOS管、檢流電阻、反電動(dòng)勢(shì)分壓電阻以及濾波電容; 關(guān)鍵點(diǎn)是MOS管和檢流電阻
為什么有時(shí)候需要MOSFET柵極電阻?它應(yīng)該是什么價(jià)值?它應(yīng)該在下拉電阻之前還是之后?事實(shí)上,有許多電路是在沒有柵極電阻的情況下工作的,但添加一個(gè)可以防...
6P14電子管是一種常見的五極管,廣泛應(yīng)用于音頻放大器、振蕩器等電子設(shè)備中。在設(shè)計(jì)和使用6P14電子管時(shí),選擇合適的柵極電阻是非常重要的,因?yàn)樗苯佑绊?..
寄生電感是SiC MOSFET Vds尖峰和振鈴的主要原因。SiC MOSFET的快速開關(guān)速度會(huì)導(dǎo)致較高Vds尖峰和較長(zhǎng)的振鈴時(shí)間。這種尖峰會(huì)降低設(shè)備的...
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