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氮化硅

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氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。氮化硅（SI3N4）陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優(yōu)異的機(jī)械和電性能。

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氮化硅資訊

spm清洗會(huì)把氮化硅去除嗎

很多行業(yè)的人都在好奇一個(gè)問題，就是spm清洗會(huì)把氮化硅去除嗎？為此，我們根據(jù)實(shí)踐與理論，給大家找到一個(gè)結(jié)果，感興趣的話可以來看看吧。 SPM清洗通常不會(huì)...

2025-04-27 標(biāo)簽：SPM 氮化硅 249 0

2024年電機(jī)材料應(yīng)用的十大創(chuàng)新趨勢(shì)

2024電機(jī)材料應(yīng)用 10大創(chuàng)新 ? ? 隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的重視，電機(jī)材料的創(chuàng)新正在迎來一輪前所未有的突破。2024年，電機(jī)領(lǐng)域在多個(gè)新材...

2025-02-18 標(biāo)簽：電機(jī)LCP 氮化硅 912 0

增強(qiáng)石墨烯基器件穩(wěn)定性的方案

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2025-02-14 標(biāo)簽：石墨烯氮化硅 319 0

單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積

本文介紹了單晶圓系統(tǒng)：多晶硅與氮化硅的沉積。在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨(dú)特的工藝優(yōu)勢(shì)，它具備進(jìn)行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處...

2025-02-11 標(biāo)簽：多晶硅晶圓氮化硅 487 0

英諾賽科發(fā)布40V車規(guī)產(chǎn)品駕駛艙快充首選

近年來，隨著第三代半導(dǎo)體氮化鎵器件在充電器領(lǐng)域的廣泛普及應(yīng)用，大功率充電器也日益小型化。大眾對(duì)電子設(shè)備的頻繁使用以及電量焦慮，使得出行時(shí)的充電需求變得十...

2024-12-05 標(biāo)簽：快充英諾賽科車載快充 859 0

氮化硅薄膜的特性及制備方法

氮化硅（Si?N?）薄膜是一種高性能介質(zhì)材料，在集成電路制造領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。作為非晶態(tài)絕緣體，氮化硅薄膜不僅介電特性優(yōu)于傳統(tǒng)的二氧化硅，還具備對(duì)...

2024-11-29 標(biāo)簽：薄膜 PECVD 氮化硅 2056 0

氮化硅薄膜制備方法及用途

一、氮化硅薄膜制備方法及用途氮化硅（Si3N4）薄膜是一種應(yīng)用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶態(tài)絕緣體，氮化硅薄膜的介電特性優(yōu)于二氧化硅，具有對(duì)可移動(dòng)離子較強(qiáng)...

2024-11-24 標(biāo)簽：薄膜氮化硅 1584 0

鼎龍股份CMP拋光液業(yè)務(wù)突破：千萬元級(jí)訂單助力產(chǎn)能擴(kuò)張

近日，鼎龍股份宣布了其子公司武漢鼎澤新材料技術(shù)有限公司（簡稱“鼎澤新材料”）在CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）拋光液領(lǐng)域的重大進(jìn)展，標(biāo)志著公司在半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈中...

2024-07-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 CMP 氮化硅 1588 0

Atonarp過程控制質(zhì)譜儀Aston?半導(dǎo)體工藝解決方案案例

上海伯東代理日本 Atonarp 過程控制質(zhì)譜儀 Aston?, 通過使用分子傳感技術(shù), 提供半導(dǎo)體制程中 ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和腔室...

2024-03-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 存儲(chǔ)器 1271 0

京瓷利用SN氮化硅材料研發(fā)高性能FTIR光源

京瓷株式會(huì)社（以下簡稱京瓷）成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡稱SN）高性能光源。

2023-12-15 標(biāo)簽：FTIR 氮化硅 874 0

國科光芯實(shí)現(xiàn)傳輸損耗-0.1dB/cm（1550 nm波長）級(jí)別氮化硅硅光芯片的量產(chǎn)

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，經(jīng)過兩年、十余次的設(shè)計(jì)和工藝迭代，國科光芯（海寧）科技股份有限公司（簡稱：國科光芯）在國內(nèi)首個(gè)8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了傳...

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國科光芯：專注氮化硅硅光技術(shù)，探索硅光產(chǎn)業(yè)發(fā)展新路徑

第三，我們確實(shí)在今年上半年全面升級(jí)了發(fā)展戰(zhàn)略、使命及愿景。正如剛剛在介紹國科光芯的發(fā)展里程碑話題里提到的，基于激光雷達(dá)這幾年的深度研究，以及參考國際上硅...

2023-09-01 標(biāo)簽：激光雷達(dá)硅光子氮化硅 2574 0

介質(zhì)超構(gòu)表面的CMOS兼容制備工藝的進(jìn)展

超構(gòu)表面為納米光子器件賦予了更高的自由度與靈活度，使實(shí)用的微納米光子器件的實(shí)現(xiàn)成為可能。

2023-07-27 標(biāo)簽：帶通濾波器光刻機(jī)CMOS技術(shù) 2094 0

一文了解NAND閃存技術(shù)的發(fā)展演變

隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展，全球 NAND 市場正呈擴(kuò)張之勢(shì)。而由于新冠疫情的爆發(fā)，人們更多選擇遠(yuǎn)程辦公和在線課程，對(duì)數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長

2023-07-24 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 NAND閃存 slc 1640 0

常用的八大陶瓷基板材料導(dǎo)熱率排行榜

在選擇陶瓷基板材料時(shí)，還需要考慮其對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響。不同的陶瓷基板材料具有不同的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗，這會(huì)影響到電路的傳輸特性和性能穩(wěn)定性。因此，需要根據(jù)...

2023-05-31 標(biāo)簽：碳化硅陶瓷基板氮化硅 8576 0

國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板邂逅碳化硅功率模塊，國產(chǎn)新能源汽車開啟性能狂飆模式

新能源電動(dòng)汽車爆發(fā)式增長的勢(shì)頭不可阻擋，氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊，對(duì)提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項(xiàng)性能尤為重要。

2023-05-02 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體功率模塊 2231 0

氮化硅陶瓷基板的市場優(yōu)勢(shì)和未來前景

氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應(yīng)用前景和市場需求，正因?yàn)槿绱怂估ìF(xiàn)正全力...

2023-04-11 標(biāo)簽：led 陶瓷基板氮化硅 2281 0

使用 ClF 3 H 2遠(yuǎn)程等離子體在氧化硅上選擇性蝕刻氮化硅

在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對(duì)孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。

2023-03-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻氮化硅 1065 0

國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊，提升新能源汽車性能優(yōu)勢(shì)

國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊，提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項(xiàng)性能優(yōu)勢(shì)

2023-03-15 標(biāo)簽：新能源汽車 SiC 功率模塊 1914 0

石英坩堝和石墨坩堝升級(jí)換代可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項(xiàng)優(yōu)勢(shì)助力我國單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效

石英坩堝和石墨坩堝升級(jí)換代? 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項(xiàng)優(yōu)勢(shì)助力我國單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效石英坩堝在單晶硅行業(yè)的應(yīng)用目前，國內(nèi)拉制半導(dǎo)體單晶硅...

2022-12-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體單晶硅氮化硅 2041 0

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提供全球最前沿?zé)o人駕駛科技趨勢(shì)，中國無人駕駛開發(fā)者社區(qū)
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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因?yàn)檫@是從“Tesla”這個(gè)英文名直接音譯過來的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬伏的高頻電壓。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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