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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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PD 40W氮化鎵快充電源方案:U8725AHE+U7110W
PD40W氮化鎵快充電源方案:U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時(shí),需要選擇比原芯片參數(shù)更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin,...
英諾賽科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW雙向PFC電源方案,助力智能電網(wǎng)高效發(fā)展
英諾賽科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW雙向PFC電源方案,以其高效、節(jié)能的特性,為智能電網(wǎng)提供突破性支持。 該方案采用AC-DC無(wú)橋...
氮化鎵快充芯片U8722SP封裝形式升級(jí)調(diào)整為SOP-8,集成完備的保護(hù)功能:VDD過(guò)壓/欠壓保護(hù)(VDD OVP/UVLO)、輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)、...
同一套電源芯片方案,可直接應(yīng)用于不同的電壓輸出上,這不僅有效節(jié)省成本,更是大大縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間,使項(xiàng)目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源...
Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices Inc. ADPA1122 20W氮化鎵 (GaN) 功率放大器可在8.2GHz至11.8GHz的頻率范圍內(nèi)提供43dBm...
納芯微高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N產(chǎn)品介紹
納芯微發(fā)布專(zhuān)為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N,該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路,支持自舉供電,具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力,可以顯著...
2025-06-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵GaN 401 0
恒壓恒流PSR 12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A
恒壓恒流PSR12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A在手機(jī)充電器的應(yīng)用中,電池與充電器之間一般會(huì)通過(guò)一定長(zhǎng)度的電纜相連,由此也將導(dǎo)致輸送到電池...
半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件,廣泛應(yīng)用于集成電路、消費(fèi)電子及工業(yè)設(shè)備等場(chǎng)景,其性能直接影響智能終端與裝備的運(yùn)行效能。以氮化鎵(GaN)和碳化硅(...
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,這些器件在長(zhǎng)期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)...
氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對(duì)比,性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議,如PD、QC等,能夠智能識(shí)別設(shè)備所需的充電功率,實(shí)現(xiàn)快速充電。無(wú)論是蘋(píng)果手...
CS管腳通常用于采樣電感電流,實(shí)現(xiàn)峰值電流控制,并且可以限制最大輸入電流,從而實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)功能。?此外,CS管腳還可以用于設(shè)定系統(tǒng)的最高工作頻率。通過(guò)連...
過(guò)壓保護(hù)和欠壓保護(hù)是維護(hù)芯片電路安全運(yùn)行的關(guān)鍵功能。有些芯片會(huì)提供一個(gè)欠壓保護(hù)引腳,當(dāng)欠壓保護(hù)被觸發(fā)時(shí),該引腳會(huì)產(chǎn)生一個(gè)信號(hào)。通過(guò)檢測(cè)該引腳的狀態(tài),可以...
氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能,在輕載模式下,芯片將原邊開(kāi)通速度減半(如配置為特定驅(qū)動(dòng)電流檔位時(shí)),減緩開(kāi)關(guān)動(dòng)作的瞬態(tài)變化,...
LM5113-Q1系列 用于 GaNFET 的汽車(chē)級(jí) 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5113-Q1 旨在以同步降壓、升壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中的高壓側(cè)和低壓側(cè)增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET 或硅 MOSFET。該器件具有集成的 ...
谷底鎖定模式是一種應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源如反激式拓?fù)?、?zhǔn)諧振電源中的關(guān)鍵技術(shù),其核心在于通過(guò)精確控制開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)機(jī)以降低損耗和提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。在深圳銀聯(lián)寶科技...
2025-05-17 標(biāo)簽:氮化鎵開(kāi)關(guān)管電源IC 382 0
TPS7H6015-SEP 耐輻射 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...
48V高效降壓電源方案:英諾賽科推出2kW四相交錯(cuò)設(shè)計(jì)
英諾賽科針對(duì)48V架構(gòu)開(kāi)發(fā)了兩款行業(yè)領(lǐng)先的降壓電源方案(四相2kW交錯(cuò)降壓電源方案),為更高效、節(jié)能的數(shù)據(jù)中心賦能。 英諾賽科此次推出的兩款降壓電源方...
芯片?恒功率控制,意味著無(wú)論負(fù)載變化如何,系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率,確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)檢測(cè)到系統(tǒng)溫度過(guò)高時(shí),主動(dòng)降功率功能會(huì)啟動(dòng)...
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