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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵(GaN)功率半導體技術(shù)和模塊式設(shè)計的進步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
具有集成式驅(qū)動器和自我保護功能的GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計
氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
一直以來，可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性，比如對于光伏而言，只能根據(jù)光照進行發(fā)電，而無法根據(jù)需求而定。不過，隨著儲能技術(shù)的推進，微型逆變器和串式逆變...
氮化鎵（GaN）作為第三代半導體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
相比傳統(tǒng)影視行業(yè)，手機攝影的發(fā)展史確實非常短，不可能跟專業(yè)攝影一樣隨身攜帶遮光板遮光斗等專業(yè)設(shè)備，呈現(xiàn)出極致的攝影效果。但手機跟相機相比最大的優(yōu)勢，在于...
氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、...
2025-02-07 標簽：功率開關(guān)氮化鎵電源芯片 723 0
氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權(quán)衡，...
氮化鎵的市場在哪些領(lǐng)域？封裝技術(shù)是怎樣的？
氮化鎵(GaN)作為一種寬帶隙化合物半導體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、導熱系數(shù)高、開關(guān)頻率高、抗輻射能力強等優(yōu)點。 其中，高開關(guān)頻率意味著應(yīng)用電路...
基于D1A32 GaN器件設(shè)計的功放，在1.3-1.8GHz內(nèi), 飽和功率均大于46dBm,峰值效率均大于64%。 注: Pulse輸入,周期為1mS...
48V高效降壓電源方案：英諾賽科推出2kW四相交錯設(shè)計
英諾賽科針對48V架構(gòu)開發(fā)了兩款行業(yè)領(lǐng)先的降壓電源方案（四相2kW交錯降壓電源方案），為更高效、節(jié)能的數(shù)據(jù)中心賦能。 英諾賽科此次推出的兩款降壓電源方...
擁有能夠在高頻下高功率運行的半導體固然很好，但盡管 GaN 提供了所有優(yōu)勢，但有一個主要缺點嚴重阻礙了其在眾多應(yīng)用中替代硅的能力：缺乏 P -類型。
來源：電子工程專輯 比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中，將更有優(yōu)勢，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。...
如今，越來越多的設(shè)計人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降...
MasterGaN 將硅與 GaN 相結(jié)合，以加速創(chuàng)建下一代緊湊型高效電池充電器和電源適配器，適用于高達 400 W 的消費和工業(yè)應(yīng)用。通過使用 GaN...
基于GaN的轉(zhuǎn)換器在所有情況下都具有更高的效率和更低的工作溫度，最高效率為 96.8%，最低 94.5%。此外，隨著開關(guān)頻率和死區(qū)時間的增加，基于硅的轉(zhuǎn)...
2023-02-08 標簽：轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 649 0
氮化鎵芯片熱穩(wěn)定性好、電子遷移速度更快、熱導率更高，同時，氮化鎵芯片還具有更低的導通和開關(guān)損耗，整體的功耗更低。在一些對功耗要求嚴格的應(yīng)用場景中，進一步...
SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導通電阻（1/100 于Si），導通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏...
GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。
技術(shù)資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 （GaN） 功率級
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 ...
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