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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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過(guò)壓保護(hù)和欠壓保護(hù)是維護(hù)芯片電路安全運(yùn)行的關(guān)鍵功能。有些芯片會(huì)提供一個(gè)欠壓保護(hù)引腳,當(dāng)欠壓保護(hù)被觸發(fā)時(shí),該引腳會(huì)產(chǎn)生一個(gè)信號(hào)。通過(guò)檢測(cè)該引腳的狀態(tài),可以...
700V/165mΩ HV高壓?jiǎn)?dòng)頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766,推薦功率為65W,代表機(jī)型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
英諾賽科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW雙向PFC電源方案,助力智能電網(wǎng)高效發(fā)展
英諾賽科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW雙向PFC電源方案,以其高效、節(jié)能的特性,為智能電網(wǎng)提供突破性支持。 該方案采用AC-DC無(wú)橋...
氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能,在輕載模式下,芯片將原邊開(kāi)通速度減半(如配置為特定驅(qū)動(dòng)電流檔位時(shí)),減緩開(kāi)關(guān)動(dòng)作的瞬態(tài)變化,...
同一套電源芯片方案,可直接應(yīng)用于不同的電壓輸出上,這不僅有效節(jié)省成本,更是大大縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間,使項(xiàng)目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源...
EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn),為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值,可以選...
基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動(dòng)器
對(duì)于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言,優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)尤為重要。此類(lèi)轉(zhuǎn)換器的快速開(kāi)關(guān)需仔細(xì)考量寄生參數(shù)、過(guò)沖/欠沖現(xiàn)象以及...
2025-05-08 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 302 0
恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過(guò)載保護(hù)等特性,適用于一些功率要求嚴(yán)格的應(yīng)用場(chǎng)景,如充電器、LED驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓...
LM5113-Q1系列 用于 GaNFET 的汽車(chē)級(jí) 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LM5113-Q1 旨在以同步降壓、升壓或半橋配置驅(qū)動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中的高壓側(cè)和低壓側(cè)增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET 或硅 MOSFET。該器件具有集成的 ...
TPS7H6015-SEP 耐輻射 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專(zhuān)為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...
氮化鎵憑借高頻高效特性,具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢(shì),但小型化雖好,散熱才是硬道理,選氮化鎵電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推薦一款散熱性...
氮化鎵快充芯片U8722SP封裝形式升級(jí)調(diào)整為SOP-8,集成完備的保護(hù)功能:VDD過(guò)壓/欠壓保護(hù)(VDD OVP/UVLO)、輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)、...
找到你的高壓電源設(shè)計(jì)最佳平衡點(diǎn)
當(dāng) 750V 第 4 代 SiC FET 與第 3 代 650V 的比較令人吃驚——例如,6 毫歐器件顯示兩個(gè) R 的強(qiáng)度幾乎減半DS?品質(zhì)因數(shù)和體二極...
在輕載和空載狀態(tài)下,當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)時(shí),系統(tǒng)進(jìn)入打嗝模式工作,,停止開(kāi)關(guān)動(dòng)作。當(dāng)FB電壓超過(guò)VSKIP_OUT(典...
PD 40W氮化鎵快充電源方案:U8725AHE+U7110W
PD40W氮化鎵快充電源方案:U8725AHE+U7110W芯片替代方案在選型時(shí),需要選擇比原芯片參數(shù)更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pintopin,...
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