支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

德州儀器的默認(rèn)過流保護(hù)方法被歸類為“電流鎖存”保護(hù)；這意味著，若在器件中檢測到任何過流故障，F(xiàn)ET將安全關(guān)斷，并在故障復(fù)位前保持關(guān)斷狀態(tài)。在我們的70m...

2019-04-24 標(biāo)簽：德州儀器功率器件氮化鎵 878 0

氮化鎵中鉻含量的二次離子質(zhì)譜分析方法研究

二次離子質(zhì)譜是利用質(zhì)譜法分辨一次離子入射到測試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。二次離子質(zhì)譜儀可以進(jìn)行包括氫在內(nèi)的全元素...

2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 876 0

GaN器件特性影響因素有哪些？

GaN開始為人所知是在光電LED市場，廣為人知則是在功率半導(dǎo)體的消費電子快充市場。但實際上，GaN最初在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的目標(biāo)據(jù)說是新能源汽車市場，而非消...

2023-06-29 標(biāo)簽：氮化鎵GaN華燦光電 866 0

高效電源管理系統(tǒng)設(shè)計的發(fā)展趨勢

從智能手機(jī)和電動汽車 (EV) 到 EV 充電站和電信中心，電源管理已日益成為我們?nèi)粘Ｊ褂玫碾娮赢a(chǎn)品的關(guān)鍵因素。直到最近幾年，高效電源管理常常被其他設(shè)計...

2022-07-14 標(biāo)簽：電源管理emi氮化鎵 850 0

氮化鎵技術(shù)壁壘是什么，氮化鎵優(yōu)異特性介紹

達(dá)摩院指出，近年來第三代半導(dǎo)體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，正在打開應(yīng)用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。

2023-02-07 標(biāo)簽：逆變器SiC氮化鎵 809 0

功率半導(dǎo)體封裝的趨勢分析

隨著電動汽車和可再生能源的不斷普及，功率半導(dǎo)體市場正迎來顯著增長，并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復(fù)雜性逐漸增加，以適應(yīng)各種高功率和高溫條件的應(yīng)用。英飛...

2024-10-15 標(biāo)簽：封裝氮化鎵功率半導(dǎo)體 803 0

基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性

氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化...

2023-10-12 標(biāo)簽：電感氮化鎵蝕刻 803 0

分立器件在45W氮化鎵快充產(chǎn)品中的應(yīng)用

如今，以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導(dǎo)體新材料得到廣泛應(yīng)用，它們具有更高的導(dǎo)熱率和抗輻射能力，以及更大的電子飽和漂移速率等特點。氮化鎵熱穩(wěn)定性好、飽...

2024-09-12 標(biāo)簽：分立器件氮化鎵合科泰 797 0

碳化硅應(yīng)該做IDM嗎

今天看到一家剛成立3年，專做化合物半導(dǎo)體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，同時提供包含GaN on Silicon、...

2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 792 0

原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用，本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用，并介紹了原子層鍍膜技...

2024-10-15 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵鍍膜 787 0