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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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針對(duì)氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝，可使產(chǎn)能提升近40%！
切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時(shí)，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...
數(shù)字電源是一種將數(shù)字控制技術(shù)應(yīng)用于電源管理應(yīng)用的能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，具有更高的功率密度，更快的控制回路，能管理復(fù)雜拓?fù)湟约霸O(shè)計(jì)靈活性等諸多優(yōu)勢(shì)。 關(guān)鍵特性與優(yōu)...
氮化鎵納米線(xiàn)是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的...
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，化成分容就是為了激活電池。通常離子電池經(jīng)過(guò)繁雜的工序，只是生成半成品電芯，還未完成激活就無(wú)法正常使用，因此需要化成分容設(shè)備激活內(nèi)部的活性物質(zhì)，...
針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿(mǎn)足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...
廈門(mén)大學(xué)張保平教授課題組發(fā)表綠光GaN基VCSEL重要成果
近日，廈門(mén)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院張保平教授等在氮化鎵垂直腔面發(fā)射激光器(GaN基VCSEL)方面取得新進(jìn)展，相關(guān)成果以“Green Vertical-C...
基于準(zhǔn)垂直型氮化鎵肖特基二極管的高功率微波限幅器
伴隨著5G通信時(shí)代的到來(lái)，數(shù)據(jù)的無(wú)線(xiàn)傳輸速率逐漸提高，同時(shí)也對(duì)射頻通信器件的功率和頻率范圍等提出了新的需求。微波限幅器已廣泛用于各種無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)的射頻前...
可以改變焦距的鏡頭用于各種光學(xué)設(shè)備，例如可變放大倍率相機(jī)的變焦鏡頭、雙筒望遠(yuǎn)鏡、光學(xué)顯微鏡和投影儀。 最近，智能手機(jī)相機(jī)等小型光學(xué)單元也配備了可變放大倍...
由于同質(zhì)外延結(jié)構(gòu)帶來(lái)的晶格匹配和熱匹配，自支撐氮化鎵襯底在提升氮化鎵基器件性能方面有著巨大潛力，如發(fā)光二極管，激光二極管，功率器件和射頻器件等。相比異質(zhì)...
用于高分辨率激光雷達(dá)的氮化鎵HEMT電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
激光雷達(dá)（LiDAR）基于通過(guò)將光束照射到物體上并準(zhǔn)確測(cè)量反射的飛行時(shí)間來(lái)估算距離的原理。通過(guò)將發(fā)射光掃過(guò)真實(shí)世界的場(chǎng)景，可以收集三維信息以供計(jì)算機(jī)系統(tǒng)...
2023-05-06 標(biāo)簽：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)氮化鎵激光雷達(dá) 1192 0
擴(kuò)展到900V的氮化鎵產(chǎn)品滿(mǎn)足汽車(chē)、家電及工業(yè)類(lèi)應(yīng)用需求
日前，Power Integrations（PI）舉辦新品媒體線(xiàn)上溝通會(huì)，公司資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan介紹了在美國(guó)APEC展（國(guó)際電力電子應(yīng)用...
2023-03-24 標(biāo)簽：功率開(kāi)關(guān)PDSiC 1171 0
納微 NV6169 # 45mΩ低導(dǎo)阻、800V耐壓、GaNSense智能保護(hù)技術(shù)
這是一款采用 GaNSense技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast芯片，可滿(mǎn)足高功率應(yīng)用，例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器...
一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)—U8722
氮化鎵充電器是一種新型的快充技術(shù)，在充電速度、安全性做到了突破。
2024-04-09 標(biāo)簽：充電器氮化鎵驅(qū)動(dòng)電流 1163 0
到2030年，10類(lèi)關(guān)鍵核心產(chǎn)品可靠性水平達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，可靠性標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)作用充分彰顯，培育一批可靠性公共服務(wù)機(jī)構(gòu)和可靠性專(zhuān)業(yè)人才，我國(guó)制造業(yè)可靠性整體...
基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開(kāi)關(guān)是PI恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線(xiàn)反激式開(kāi)關(guān)IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術(shù)...
氮化鎵技術(shù)在電源應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì)
GaN和SiC屬于高帶隙的第三代半導(dǎo)體材料，與第一代Si和第二代GaAs等前輩相比，它們?cè)谔匦陨暇哂型怀鰞?yōu)勢(shì)。由于大的帶隙和高的熱導(dǎo)率，GaN器件可以...
2023-02-13 標(biāo)簽：氮化鎵 1140 0
45W氮化鎵快充全套方案！采用智融SW1123+SW1608+SW2303
因?yàn)槭褂昧撕戏獾壭酒?，所以電路設(shè)計(jì)很簡(jiǎn)潔，降低設(shè)計(jì)和加工成本，整套方案性?xún)r(jià)比不錯(cuò)，且各輸入輸出電壓和各個(gè)負(fù)載段都擁有極佳的效率，峰值效率高達(dá)93.6...
2023-06-19 標(biāo)簽：控制器電路設(shè)計(jì)氮化鎵 1139 0
法國(guó)和瑞士科學(xué)家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向?yàn)?00）基座上，成功制造出了性能優(yōu)異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。
自打百瓦快充大戰(zhàn)興起，充電器的功率密度不斷提升，氮化鎵和碳化硅第三代半導(dǎo)體的加入，使得PD快充可以做更小體積，縱使是百瓦也能做成一個(gè)非常小的尺寸。 ...
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