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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化為提高射頻性能敞開了大門，其中包括增加功率放大器的功率密度，以及縮小器件尺寸并最終節(jié)省系統(tǒng)空間。
2021年5月份，USB-IF協(xié)會(huì)正式發(fā)布了USB PD3.1快充標(biāo)準(zhǔn)，將最大充電功率提升至240W，同時(shí)新增28V、36V、48V三組固定輸出電壓檔位...
幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)
本設(shè)計(jì)文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。 VDD 電容 VDD 引腳應(yīng)有兩個(gè)盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶...
2023-02-27 標(biāo)簽：PCB驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1009 0
氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)...
多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件
四款新型多極碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）單片微波集成電路（MMIC）器件。進(jìn)一步擴(kuò)展射頻（RF）解決方案范圍，適用于包括海事、氣象監(jiān)測和新興的...
對(duì)于 GaN，中文名氮化鎵，我們實(shí)在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個(gè)時(shí)間點(diǎn)開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充...
PFC部分使用安森美的NCL2801產(chǎn)品，SOIC-8封裝，外圍線路簡單。FB腳為輸出電壓采樣信號(hào)輸入端，作為反饋信號(hào)輸入端的同時(shí)還有輸出電壓OVP功能...
2023-12-27 標(biāo)簽：開關(guān)電源控制器氮化鎵 974 0
氮化鎵（GaN）是一種第三代半導(dǎo)體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場強(qiáng)、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅，尤其在高頻和高速開關(guān)狀態(tài)下。由于其出色的電子移動(dòng)性、...
在過去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導(dǎo)體技術(shù)中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應(yīng)用。與硅基半導(dǎo)體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅(jiān)硬且穩(wěn)定的寬帶隙（WBG）...
2023-02-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵硅基 958 0
還在為用氮化鎵設(shè)計(jì)高壓電源犯難？試試這兩個(gè)器件
面對(duì)社會(huì)和監(jiān)管要求，電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項(xiàng)。特別是對(duì)于從電動(dòng)汽車 (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。
氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。 氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典...
除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域
氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導(dǎo)體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場強(qiáng)約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更...
氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關(guān)。只...
2023-02-20 標(biāo)簽：pcb驅(qū)動(dòng)器晶體管 933 0
集成的專業(yè)知識(shí)為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案
氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的無可爭議的技術(shù)，例如 X 波段 （8–12 GHz） 的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...
就像生活中的現(xiàn)實(shí)一樣，當(dāng)老年人離開年輕人的舞臺(tái)時(shí)，Silicon 正在鞠躬。氮化鎵 (GaN) 的出現(xiàn)和采用已成功地逐步淘汰了舊的可靠硅。四十多年來，隨...
影響Micro LED實(shí)現(xiàn)全彩顯示的因素有哪些
MICLEDI認(rèn)為，其Micro LED全彩顯示器制造方法具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，可滿足AR眼鏡最高性能標(biāo)準(zhǔn)。目前，相較用于戶外的AR眼鏡，用于室內(nèi)或較暗場景的...
GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實(shí)現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的...
氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統(tǒng)中猶如一對(duì)默契的搭檔，通過緊密配合，顯著提升電源效率。在開關(guān)電源的工作過程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開關(guān)速度和...
2025-01-15 標(biāo)簽：開關(guān)電源氮化鎵電源芯片 885 0
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