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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。
20世紀40年代后，傳統(tǒng)的鋁硅酸鹽材料被選為無機非金屬材料，與有機聚合物材料和金屬材料并列為三大材料之一。無機非金屬材料是由一些原始氮化合物和鹵素燈...
大家好，今天我們來了解一下氮化鎵芯片應用電路，幫助大家清晰的了解 GaN 產(chǎn)品。 氮化鎵快充已然成為了當下一個非常高頻的詞匯，在氮化鎵快充市場迅速增長之...
已經(jīng)為基于 GaN 的高電子遷移率晶體管 （HEMT）的增強模式開發(fā)了兩種不同的結(jié)構(gòu)。這兩種模式是金屬-絕緣體-半導體 （MIS） 結(jié)構(gòu)，2具有由電壓驅(qū)...
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管...
材質(zhì)上比普通的快充更加的高級，氮化鎵是第三代半導體材料，功率密度更大，體積小，充電速度快，這些都是氮化鎵快充的優(yōu)勢。
華為氮化鎵充電器和普通充電器之間存在許多差異。氮化鎵（GaN）技術(shù)是一種新型的半導體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，GaN具有更高的能效和更小的尺寸。華為作為一...
氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的功率半導體器件，具有很多優(yōu)點和一些缺點。以下是關(guān)于氮化鎵芯片的詳細介紹。 優(yōu)點： 1.高頻率特性：GaN芯片具有優(yōu)秀的高...
碳化硅（SiC）由硅（原子序數(shù)14）和碳（原子序數(shù)6），形成類似于金剛石的強共價鍵，是一種堅固的六方結(jié)構(gòu)化合物，具有寬禁帶半導體特性。
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2020年迎來了氮化鎵快充的大爆發(fā)，目前已經(jīng)開始滲透到手機和筆記本等電子設(shè)備的配件市場，并且市場容量增長迅速。據(jù)充電頭網(wǎng)了解，目前華為、小米、三星、OP...
在現(xiàn)代5G無線電架構(gòu)中部署的射頻功率放大器（PA）在滿足對更高性能和更低成本的明顯矛盾的需求方面起著重要作用。
超結(jié)（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應用領(lǐng)域以來，在400–900V功率轉(zhuǎn)換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...
氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導體材料領(lǐng)域的重要成員，它們在各自的應用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個更先進，并不是一個簡單的二...
發(fā)光二極管是由什么材料制成的 發(fā)光二極管是半導體嗎
發(fā)光二極管（Light Emitting Diode，LED）是一種電子器件，可以將電能轉(zhuǎn)化為可見光。它由半導體材料制成，是一種先進的光電器件。本文將詳...
華南師范大學和北京大學在（100）硅上開發(fā)了基于氮化鎵（GaN）微絲陣列的紫外（UV）金屬 - 半導體 - 金屬（MSM）探測器。
隨著 5G 的推出，下一代蜂窩網(wǎng)絡有望提供三種非常重要的功能，進而改變我們應用無線技術(shù)的方式。
蘋果氮化鎵充電器是一種新型的充電器，它采用了氮化鎵材料來實現(xiàn)高效、節(jié)能的充電功能。與普通充電器相比，蘋果氮化鎵充電器在多個方面表現(xiàn)出了明顯的優(yōu)勢。本文將...
氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導通電阻等優(yōu)點，逐漸被廣泛應用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢...
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