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氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵技術(shù)

氮化鎵GaN晶圓的制造流程及應(yīng)用領(lǐng)域

第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大,具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。因此采用第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件能在更高的溫度下穩(wěn)定運(yùn)...

2023-02-05 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵半導(dǎo)體器件 5111 0

 什么是GaN氮化鎵?Si、GaN、SiC應(yīng)用對(duì)比

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由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì),GaN 充電器的運(yùn)行速度,比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主...

2023-04-25 標(biāo)簽:SiC氮化鎵GaN 5077 0

什么是氮化鎵 氮化鎵電源優(yōu)缺點(diǎn)

什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管...

2023-11-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光二極管氮化鎵 5064 0

碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)應(yīng)用差異在哪里?

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SiC 和 GaN 被稱(chēng)為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn):

2023-10-09 標(biāo)簽:晶體管SiC氮化鎵 5060 1

氮化鎵外延片是什么 氮化鎵有哪些分類(lèi)

氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片,它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性,可以用于制造高精度的零件和...

2023-02-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電子器件氮化鎵 5034 0

氮化鎵襯底和外延片哪個(gè)技術(shù)高 襯底為什么要做外延層

氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性,適用于高功率、...

2023-08-22 標(biāo)簽:功率放大器半導(dǎo)體材料氮化鎵 5007 1

氮化鎵技術(shù)是誰(shuí)突破的技術(shù)

氮化鎵技術(shù)是誰(shuí)突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件,氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛,氮化鎵在數(shù)據(jù)中心,新能源汽車(chē)等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技...

2023-02-16 標(biāo)簽:晶體氮化鎵GaN 4994 0

電信和國(guó)防市場(chǎng)推動(dòng)射頻氮化鎵(RF GaN)應(yīng)用

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自從20年前第一批商用產(chǎn)品問(wèn)世,GaN在射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域已成為L(zhǎng)DMOS和GaAs的重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,并且,正在以更低的成本不斷提高性能和可靠性。首批GaN...

2019-05-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體射頻氮化鎵 4983 0

氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是什么晶體類(lèi)型

氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料,需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取,具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能,廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)...

2023-11-24 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體晶體 4979 1

拆解報(bào)告:SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器1A1C

SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器的包裝盒異于常規(guī)產(chǎn)品,采用黑色的收納盒包裝,相比同類(lèi)產(chǎn)品更為精致,也可以方便用戶(hù)后續(xù)收納使用。

2021-01-06 標(biāo)簽:充電器氮化鎵小米 4926 0

氮化鎵是什么結(jié)構(gòu)的材料

氮化鎵(GaN)是一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,其結(jié)構(gòu)具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵的結(jié)構(gòu)、制備方法、物理性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域。 結(jié)構(gòu): 氮化鎵...

2024-01-10 標(biāo)簽:氮化鎵金屬晶格 4903 0

基于GaN晶體管的500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案 GaN和汽車(chē)究竟是什么關(guān)系

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電機(jī)是全球耗電大戶(hù),盡管電壓很高,硅仍然是主流。不過(guò),GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動(dòng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)軍。但這個(gè)市場(chǎng)非常保守,適應(yīng)新技術(shù)的速度很...

2021-05-21 標(biāo)簽:MOSFET氮化鎵碳化硅 4903 0

GaN功率器件封裝技術(shù)的研究

近年來(lái),電動(dòng)汽車(chē)、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展,對(duì)功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達(dá)到其自身的材料性能...

2022-08-22 標(biāo)簽:封裝功率器件氮化鎵 4869 0

解讀射頻GaN市場(chǎng)的機(jī)遇及未來(lái)發(fā)展

今年的GaN(氮化鎵)器件市場(chǎng)異?;钴S,GaN逐漸成為主流,開(kāi)始滲透一些批量需求的商業(yè)市場(chǎng)。 GaN已經(jīng)在大部分高功率軍事應(yīng)用中站穩(wěn)了腳跟,并且還抓住了...

2016-12-14 標(biāo)簽:射頻氮化鎵gan 4837 0

小編科普一下氮化鎵技術(shù)

氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

2023-02-03 標(biāo)簽:發(fā)光二極管氮化鎵GaN 4823 0

LED屏的七大分類(lèi)方式 關(guān)于LED屏的16個(gè)小知識(shí)

雙基色LED顯示屏由紅色和綠色LED燈組成,256級(jí)灰度的雙基色顯示屏可顯示65,536種顏色(雙色屏可顯示紅、綠、黃3種顏色)。全彩色LED顯示屏由紅...

2023-04-11 標(biāo)簽:led氮化鎵GaN 4820 0

氮化鎵屬于無(wú)機(jī)非金屬材料嗎

  20世紀(jì)40年代后,傳統(tǒng)的鋁硅酸鹽材料被選為無(wú)機(jī)非金屬材料,與有機(jī)聚合物材料和金屬材料并列為三大材料之一。無(wú)機(jī)非金屬材料是由一些原始氮化合物和鹵素?zé)?..

2023-02-13 標(biāo)簽:氮化鎵GaN 4785 0

氮化鎵(GaN)器件基礎(chǔ)技術(shù)問(wèn)題分享

氮化鎵(GaN)器件基礎(chǔ)技術(shù)問(wèn)題分享

作為一種新型功率器件,GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢(shì)。

2023-12-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管功率器件 4735 0

氮化鎵激光芯片用途

氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件,具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵...

2023-11-24 標(biāo)簽:芯片衛(wèi)星通信氮化鎵 4702 0

氮化鎵器件介紹與仿真

氮化鎵器件介紹與仿真

本推文簡(jiǎn)述氮化鎵器件,主要包括GaN HEMT和二極管,幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。

2023-11-27 標(biāo)簽:二極管仿真氮化鎵 4660 0

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