筆記本氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別在哪

筆記本電腦是現(xiàn)代人生活中必不可少的電子設(shè)備之一，而電池的續(xù)航時間則直接關(guān)系到筆記本的使用體驗。因此，選擇一款高效穩(wěn)定的充電器對于延長筆記本電腦的使用時間...

2024-01-10 標(biāo)簽：筆記本充電器電子設(shè)備 4031 0

基于GaN微絲陣列的UV金屬半導(dǎo)體探測器

華南師范大學(xué)和北京大學(xué)在（100）硅上開發(fā)了基于氮化鎵（GaN）微絲陣列的紫外（UV）金屬 - 半導(dǎo)體 - 金屬（MSM）探測器。

2018-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 3970 0

銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用

作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。

2023-03-31 標(biāo)簽：IGBT氮化鎵功率模塊 3878 0

氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些

氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵...

2023-08-24 標(biāo)簽：功率器件SiC氮化鎵 3848 0

氮化鎵行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈全景圖分析

GaN產(chǎn)業(yè)鏈按環(huán)節(jié)分為Si襯底(或GaN單晶襯底、SiC、藍寶石)、GaN材料外延、器件設(shè)計、器件制造、封測以及應(yīng)用。各個環(huán)節(jié)國內(nèi)均有企業(yè)涉足,如在射頻...

2022-09-07 標(biāo)簽：射頻氮化鎵GaN 3847 0

基于GaN器件的驅(qū)動設(shè)計方案

氮化鎵（GaN）器件具有類似硅的電性能，可以由硅MOSFET設(shè)計中使用的許多現(xiàn)成的驅(qū)動產(chǎn)品驅(qū)動。

2022-07-12 標(biāo)簽：MOSFET氮化鎵GaN 3829 0

在氮化鎵外延結(jié)構(gòu)中首次實現(xiàn)了垂直溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管

雖然晶體管沒有夾斷，但柵極電位確實調(diào)制了漏極電流（高達1.8倍，柵極為-10V，圖2）。根據(jù)模擬，夾斷發(fā)生在-112V左右。將其放在一位數(shù)范圍內(nèi)需要縮小...

2018-12-13 標(biāo)簽：晶圓晶體管氮化鎵 3801 0

氮化鎵芯片應(yīng)用領(lǐng)域有哪些

相對于硅材料，使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質(zhì)量、體積以及生命周期成本，允許設(shè)備在更高的溫度、電...

2023-02-05 標(biāo)簽：芯片氮化鎵GaN 3781 0

氮化鎵外延片的工藝及分類介紹

通常是指的在藍寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。

2023-02-12 標(biāo)簽：LED芯片氮化鎵MOCVD 3768 0

氮化鎵工藝缺點有哪些

隨著消費電子產(chǎn)品、電動車、家用電器等產(chǎn)品更新?lián)Q代，產(chǎn)品的性能也越來越受重視，尤其是在功率設(shè)計方面。如何提升電源轉(zhuǎn)換能效，提高功率密度水平，延長電池續(xù)航時...

2023-02-05 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 3727 0

vivo氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

Vivo是一家知名的中國智能手機制造商，其氮化鎵充電器和普通充電器之間存在許多區(qū)別。本文章將介紹這些區(qū)別，內(nèi)容將包括充電器的工作原理、快速充電能力、安全...

2024-01-10 標(biāo)簽：充電器半導(dǎo)體材料氮化鎵 3604 0