氮化鎵對(duì)新能源汽車有什么影響

氮化鎵（GaN）作為現(xiàn)在重要的第三代半導(dǎo)體材料，具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力，能夠...

2023-02-10 標(biāo)簽：新能源氮化鎵電池 1250 0

南芯科技推出PD3.1 140W單口/多口快充解決方案

USB PD3.1 能夠迅速商業(yè)化，離不開蘋果公司的“鼎力支持”— 2021 年10 月蘋果發(fā)布的16 英寸MacBook Pro，成為全球首款支持US...

2023-02-09 標(biāo)簽：usb氮化鎵 2940 0

氮化鎵前景怎么樣啊 氮化鎵用途有哪些方面

氮化鎵（GaN）是一種直接帶隙半導(dǎo)體，寬帶隙為3.4 eV（電子伏特），比砷化鎵（GaAs）寬2.4倍，比硅寬3倍。具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子...

2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵射頻器件 3443 0

納微關(guān)于半橋氮化鎵功率芯片的專利整體概況

目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權(quán)76件，除去世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)局WO的8件PCT專利之外，其授權(quán)率高達(dá)約80%，目前僅有3件專利處于失效狀態(tài)。

2023-02-06 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片 861 0

氮化鎵充電器的主要優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)

　　第三代半導(dǎo)體具有較高的熱導(dǎo)率、電子飽和率、擊穿電場、帶隙寬度、抗輻射能力等，適用于制造高溫、高頻、高功率、抗輻射器件，可用于衛(wèi)星、汽車、雷達(dá)、工業(yè)、...

2023-02-05 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體氮化鎵 2.1萬 0

氮化鎵對(duì)比普通充電器有哪些優(yōu)勢(shì)

氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體發(fā)光二極管激光二極管 2438 0

氮化鎵的性質(zhì)與穩(wěn)定性以及應(yīng)用領(lǐng)域

氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵寬禁帶 2585 0

碳化硅與氮化鎵器件的特點(diǎn)差異

　　碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙...

2023-02-05 標(biāo)簽：SiC氮化鎵碳化硅 2043 0

氮化鎵芯片市場份額分析 氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件分類

中國氮化鎵芯片市場占據(jù)全球約 %的市場份額，為全球最主要的消費(fèi)市場之一，且增速高于全球。2021年市場規(guī)模約 億元，2017-2021年年復(fù)合增長率約為 %。

2023-02-05 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 4620 0

氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別 氮化鎵芯片國內(nèi)三巨頭

氮化鎵是目前全球最快功率開關(guān)器件之一，氮化鎵本身是第三代的半導(dǎo)體材料，許多特性都比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體更強(qiáng)。

2023-02-05 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵開關(guān)器件 2.4萬 0

碳化硅與氮化鎵器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

　　幾十年來，硅主宰了晶體管世界。但這正在改變。由兩種或三種材料組成的復(fù)合半導(dǎo)體已經(jīng)開發(fā)出來，具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的財(cái)產(chǎn)。例如，利用化合物半導(dǎo)體，開發(fā)了...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 698 0

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo)

Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm， Inc...

2023-02-03 標(biāo)簽：場效應(yīng)管FET氮化鎵 2492 0

氮化鎵工藝發(fā)展現(xiàn)狀

氮化鎵工藝發(fā)展現(xiàn)狀 氮化鎵是當(dāng)前發(fā)展最成款的競禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國對(duì)氮化鎵的研究重視，美歐日等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃。氮化鎵因具有很大...

2023-02-03 標(biāo)簽：氮化鎵 1550 0

氮化鎵用途和性質(zhì)

氮化鎵用途和性質(zhì) 第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為代表，是5G時(shí)代的主要材料，其中氮化鎵（GaN）和碳化...

2023-02-03 標(biāo)簽：氮化鎵 2682 0