三星，入局八英寸氮化鎵代工

具體到三星方面，在今年三月，有報(bào)道指出，三星已支出約2,000億韓元（約1.54億美元），準(zhǔn)備開(kāi)始生產(chǎn)碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體，用于電源...

2023-06-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 925 0

日本設(shè)立共同研究室 加快新一代功率半導(dǎo)體氮化鎵功研發(fā)

據(jù)報(bào)道，共同研究室預(yù)計(jì)將于2017年3月底前后設(shè)置、最初由總計(jì)10名左右的研究人員參加。該研究室力爭(zhēng)將“氮化鎵”這種物質(zhì)運(yùn)用在控制電流的新一代半導(dǎo)體功率...

2016-11-24 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體 923 0

格恩半導(dǎo)體發(fā)布十多款氮化鎵半導(dǎo)體激光器

氮化鎵半導(dǎo)體激光器具有體積小、壽命長(zhǎng)、效率高等優(yōu)點(diǎn)，波長(zhǎng)范圍覆蓋可見(jiàn)光和紫外波段，應(yīng)用場(chǎng)景包括激光顯示、工業(yè)加工、激光照明、激光通訊、激光醫(yī)療等眾多領(lǐng)域...

2023-08-31 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光芯片 923 0

氮化鎵應(yīng)用拓展加速，從快充跨步到數(shù)據(jù)中心

據(jù)統(tǒng)計(jì)，來(lái)自消費(fèi)電子快充的需求是整個(gè)氮化鎵市場(chǎng)主要的驅(qū)動(dòng)力，占氮化鎵器件市場(chǎng)總規(guī)模的60%。作為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵器件得益于固有優(yōu)勢(shì)，未來(lái)會(huì)在功率領(lǐng)域...

2023-03-21 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵快充 922 0

三星將于2025年啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體代工

三星啟動(dòng)氮化鎵功率半導(dǎo)體代工 三星電子近期業(yè)績(jī)壓力很大，市場(chǎng)疲軟、存儲(chǔ)芯片價(jià)格的下跌使得三星電子2023年第二季度的利潤(rùn)暴跌，根據(jù)三星電子公布的2023...

2023-07-11 標(biāo)簽：三星電子氮化鎵GaN 919 0

數(shù)據(jù)中心能耗越來(lái)越大，氮化鎵會(huì)是效救星嗎？

在AI的蓬勃發(fā)展下，數(shù)據(jù)中心對(duì)電力與運(yùn)算的需求呈正比成長(zhǎng)，激增的用電量不僅對(duì)營(yíng)運(yùn)效率造成壓力，更成為數(shù)據(jù)中心達(dá)成凈零排放目標(biāo)的阻礙。當(dāng)前數(shù)據(jù)中心所采用的...

2023-10-18 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵人工智能 916 0

納微半導(dǎo)體公布第四季度和全年未經(jīng)審計(jì)財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)

第四季度收入達(dá)2,610萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng)111%，環(huán)比增長(zhǎng)19%

2024-03-04 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵人工智能 914 0

氮化鎵快充控制芯片是什么

氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體材料，其運(yùn)行速度比舊式慢速硅（Si）技術(shù)加快了二十倍，并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率，用于尖端快速充電器產(chǎn)品時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超...

2023-11-01 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 911 0

氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌,引領(lǐng)技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級(jí)

自去年以來(lái)，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)升溫，成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦點(diǎn)。英飛凌、瑞薩電子、格芯等業(yè)界巨頭紛紛通過(guò)并購(gòu)GaN技術(shù)公司，加速在這一領(lǐng)域的布...

2024-08-26 標(biāo)簽：氮化鎵GaN功率半導(dǎo)體 908 0

Transphorm發(fā)布兩款4引腳TO-247封裝器件

全球領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商 Transphorm, Inc.（納斯達(dá)克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（T...

2024-01-18 標(biāo)簽：封裝氮化鎵引腳 907 0

CGD推出高效環(huán)保GaN功率器件

近日，無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司Cambridge GaN Devices（CGD）發(fā)布了一系列革命性的高能效氮化鎵（GaN）功率器件，旨在推動(dòng)電子器件...

2024-06-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 902 0

Transphorm攜手偉詮電子推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵器件

全球氮化鎵功率半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成電路的佼佼者偉詮電子聯(lián)合宣布，雙方已成功推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮...

2024-05-23 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 892 0