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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

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蘇州高新區(qū)新添三大總部項目,覆蓋多領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)

國微納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵及碳化硅外延設(shè)備的研究、開發(fā)、生產(chǎn)和銷售,以此一設(shè)備平臺滿足氮化鎵與碳化硅兩種半導(dǎo)體工藝需求。

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英國為恩智浦提供200萬英鎊氮化鎵發(fā)展資金

英國財政部秘書長丹尼歷山大宣布為恩智浦(NXP)英國分公司提供200萬英鎊,以促進氮化鎵(GaN)器件的發(fā)展。GaN器件比傳統(tǒng)硅器件高效,因此很可能成為...

2013-06-03 標(biāo)簽:恩智浦功率器件氮化鎵 825 0

Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開關(guān)IC

ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日發(fā)布全球額定...

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作為Fab-Liter戰(zhàn)略的一部份,安森美剝離晶圓制造廠

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON)正在執(zhí)行其fab-liter制造戰(zhàn)略,最終目標(biāo)是通過擴大毛利率實現(xiàn)可持續(xù)...

2022-03-01 標(biāo)簽:安森美氮化鎵晶圓制造 822 0

氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因

氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中

2023-07-08 標(biāo)簽:電源管理德州儀器氮化鎵 822 0

GaN技術(shù):電子領(lǐng)域的下一波浪潮

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GaN技術(shù)正在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角,受到了廣泛的關(guān)注和投資。這一前沿技術(shù)在汽車、消費電子和航空航天等領(lǐng)域,特別是在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,展現(xiàn)了巨大的潛力。這將...

2023-10-07 標(biāo)簽:電動汽車氮化鎵GaN 819 0

投資5000萬元!瑞能半導(dǎo)取得中電化合物1.4663%股權(quán)

本次投資是瑞能半導(dǎo)從長遠(yuǎn)戰(zhàn)略布局出發(fā)做出的投資決定,中電化合物在未來實際經(jīng)營中可能面臨宏觀經(jīng)濟、行業(yè)政策、市場變化、經(jīng)營管理等因素的不確定性風(fēng)險。瑞能半...

2023-07-06 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅瑞能半導(dǎo)體 818 0

氮化鎵襯底晶圓行業(yè)發(fā)展前景分析及市場趨勢研究報告

根據(jù)Global Info Research電子及半導(dǎo)體項目團隊最新調(diào)研,預(yù)計2030年全球氮化鎵襯底晶圓產(chǎn)值達(dá)到305百萬美元,2024-2030年期...

2024-09-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 816 0

通過熱增強提高氮化鎵的濕蝕刻速率報告

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通過增加過硫酸鹽(S2O82-)離子溶液的溫度和254n波長紫外線(UVC)暴露,硫酸鎵(氮化鎵)的非接觸光電化學(xué)(CL-PEC(UVC)(Horiki...

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臺亞半導(dǎo)體再度調(diào)整業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)

臺亞半導(dǎo)體于近日成功召開股東會,會議通過了將8英寸GaN(氮化鎵)事業(yè)群分割給子公司冠亞半導(dǎo)體的計劃。這是繼兩年前臺亞將系統(tǒng)事業(yè)群劃分給星亞視覺后,再次...

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2023-11-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 804 0

硅基氮化鎵成為射頻功率最優(yōu)選擇

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氮化鎵充電器用哪種芯片好

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納微半導(dǎo)體宣布將參加亞洲充電展,最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來

下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)為移動電子、電動汽車和工業(yè)領(lǐng)域注入超快充動力

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65w氮化鎵充電器2c1a方案| 過認(rèn)證、低成本!

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KT65C1R200D是一款采用DFN8x8封裝的650V(200mΩ)氮化鎵(GaN)。它是一款常關(guān)器件,將KeepTops最新的高壓GaN HEMT...

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氮化鎵推動電源解決方案

隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進步,電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來越廣泛,而在這些設(shè)備中,電源是一個非常重要的部件。近年來,氮化鎵(GaN)材料在電源領(lǐng)域的應(yīng)用逐漸受到關(guān)注...

2023-10-20 標(biāo)簽:電源氮化鎵GaN 792 0

德州儀器 (TI) 推出兩個全新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列

采用熱增強封裝技術(shù)的 100V GaN 功率級,可將解決方案尺寸縮小 40% 以上,提高功率效率,并將開關(guān)損耗降低 50%。

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第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進的重要動力之一,新能源汽車...

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