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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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淺談氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和相關(guān)企業(yè)
氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價值的半導(dǎo)體。
蘇州高新區(qū)新添三大總部項目,覆蓋多領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)
國微納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵及碳化硅外延設(shè)備的研究、開發(fā)、生產(chǎn)和銷售,以此一設(shè)備平臺滿足氮化鎵與碳化硅兩種半導(dǎo)體工藝需求。
2024-01-05 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備 826 0
英國財政部秘書長丹尼歷山大宣布為恩智浦(NXP)英國分公司提供200萬英鎊,以促進氮化鎵(GaN)器件的發(fā)展。GaN器件比傳統(tǒng)硅器件高效,因此很可能成為...
Power Integrations推出具有里程碑意義的1250V氮化鎵開關(guān)IC
ECCE 2023?– 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日發(fā)布全球額定...
作為Fab-Liter戰(zhàn)略的一部份,安森美剝離晶圓制造廠
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON)正在執(zhí)行其fab-liter制造戰(zhàn)略,最終目標(biāo)是通過擴大毛利率實現(xiàn)可持續(xù)...
氮化鎵正取代硅,越來越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中
GaN技術(shù)正在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角,受到了廣泛的關(guān)注和投資。這一前沿技術(shù)在汽車、消費電子和航空航天等領(lǐng)域,特別是在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,展現(xiàn)了巨大的潛力。這將...
投資5000萬元!瑞能半導(dǎo)取得中電化合物1.4663%股權(quán)
本次投資是瑞能半導(dǎo)從長遠(yuǎn)戰(zhàn)略布局出發(fā)做出的投資決定,中電化合物在未來實際經(jīng)營中可能面臨宏觀經(jīng)濟、行業(yè)政策、市場變化、經(jīng)營管理等因素的不確定性風(fēng)險。瑞能半...
2023-07-06 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅瑞能半導(dǎo)體 818 0
氮化鎵襯底晶圓行業(yè)發(fā)展前景分析及市場趨勢研究報告
根據(jù)Global Info Research電子及半導(dǎo)體項目團隊最新調(diào)研,預(yù)計2030年全球氮化鎵襯底晶圓產(chǎn)值達(dá)到305百萬美元,2024-2030年期...
臺亞半導(dǎo)體再度調(diào)整業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)
臺亞半導(dǎo)體于近日成功召開股東會,會議通過了將8英寸GaN(氮化鎵)事業(yè)群分割給子公司冠亞半導(dǎo)體的計劃。這是繼兩年前臺亞將系統(tǒng)事業(yè)群劃分給星亞視覺后,再次...
應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢?
GaN為何物?應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢? GaN, 全名氮化鎵(Gallium Nitride),是一種半導(dǎo)體材料...
射頻功率放大器是無線通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件,其性能直接影響到無線設(shè)備的整體性能。傳統(tǒng)的射頻功率放大器主要采用三五族化合物半導(dǎo)體材料,如GaAs、InP等。...
隨著科技的不斷發(fā)展,充電器的種類和性能也在不斷升級。最近,氮化鎵充電器的出現(xiàn)引起了廣泛關(guān)注。那么,氮化鎵充電器是什么?它又是如何比傳統(tǒng)充電器更出色的呢?
納微半導(dǎo)體宣布將參加亞洲充電展,最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來
下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)為移動電子、電動汽車和工業(yè)領(lǐng)域注入超快充動力
65w氮化鎵充電器2c1a方案| 過認(rèn)證、低成本!
驪微電子65w氮化鎵充電器2c1a方案采用主控芯片PN8783、同步整流芯片PN8307P、DC-DC降壓芯片NDP1460PQB和PD協(xié)議芯片XPD7...
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進步,電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來越廣泛,而在這些設(shè)備中,電源是一個非常重要的部件。近年來,氮化鎵(GaN)材料在電源領(lǐng)域的應(yīng)用逐漸受到關(guān)注...
德州儀器 (TI) 推出兩個全新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列
采用熱增強封裝技術(shù)的 100V GaN 功率級,可將解決方案尺寸縮小 40% 以上,提高功率效率,并將開關(guān)損耗降低 50%。
2024-03-06 標(biāo)簽:變壓器德州儀器功率轉(zhuǎn)換器 789 0
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展
當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進的重要動力之一,新能源汽車...
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