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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN技術引領功率電子產(chǎn)業(yè)新風潮，預估2030年市場規(guī)模將突破43億美元
隨著全球?qū)Ω咝茈娏鉀Q方案的需求日益增加，氮化鎵(GaN)技術正在成為功率電子產(chǎn)業(yè)的一大亮點。近期，英飛凌和德州儀器等行業(yè)巨頭對GaN技術的投入不斷加...
Diodes 超高功率密度140瓦PD3.1 GaN充電器解決方案
Diodes公司推出了一款高效140WUSBType-C充電解決方案，采用獲得專利的ACF拓撲，滿足DOEVI和COCTier2效率要求。該方案支持PD...
Power Integrations宣布收購Odyssey Semiconductor的資產(chǎn)
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今天宣布達成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN...
基于PI InnoSwitch3-AQ INN3949CQ 之 60W 于800Vdc Bus with 50-1000Vdc Input方案
PowerIntegrations(NASDAQ：POWI)這家節(jié)能型功率轉(zhuǎn)換領域的高壓積體電路(IC)的領導廠商今日宣布為該公司的InnoSwitch...
發(fā)貨量超75,000,000顆！納微半導體創(chuàng)氮化鎵功率器件出貨“芯”高峰
下一代功率半導體領導者創(chuàng)下行業(yè)新里程碑，全面進軍電動汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽能、家用電器、工業(yè)和移動快充領域，該市場潛力達每年130億美元。 美國加利福尼亞...
專為電機驅(qū)動打造！納微全新GaNSense?氮化鎵功率芯片為家電及工業(yè)應用帶來行業(yè)領先的性能、效率與可靠性
全集成保護型氮化鎵功率芯片搭配雙向無損耗電流檢測，效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——...
2025-05-09 標簽：氮化鎵 883 0
鑫谷將重磅發(fā)布全新昆侖電源概念版 引入氮化鎵半導體應用技術有望沖擊95％的超高轉(zhuǎn)換效率
臺北的五月皎陽似火，滾滾熱浪將肉眼可見的光線變得彎曲漲裂，如置身于鳳凰涅槃的火海。而更讓人心潮激蕩的是，COMPUTEX TAIPEI臺北國際電腦展將在...
新型寬帶隙材料在電力電子產(chǎn)品的設計優(yōu)勢——第一部分
隨著在晶體管制造中引入諸如氮化鎵 (GaN) 等新型寬帶隙材料，品質(zhì)因數(shù)的顯著改善轉(zhuǎn)化為電源的潛在改良。在這篇包括兩個部分的博客系列中，我將討論這些新型...
電動工具圓桌論壇將匯聚電機控制、快速充電、鋰電技術一眾廠商和專家，共同探討電動工具技術創(chuàng)新與市場發(fā)展。 由嗶哥嗶特商務網(wǎng)主辦，《半導體器件應用》雜志承辦...
1月8日消息，日本豐田合成株式會社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （Ga...
該功率半導體在已有的金剛石半導體中，輸出功率值為全球最高，在所有半導體中也僅次于氮化鎵產(chǎn)品的約2090兆瓦。
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)今天宣布，全球電源產(chǎn)品和電動...
2022-07-29 標簽：適配器氮化鎵Transphorm 874 0
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達成合作
Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達成合作
創(chuàng)新技術推動快速部署新型 5G 產(chǎn)品
5G 產(chǎn)業(yè)潛力巨大，但行業(yè)如何才能克服成本、功耗與性能等相關挑戰(zhàn)，確保 5G 在第二次浪潮中大獲成功？
氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，由于其獨特的性質(zhì)和廣泛的應用，已經(jīng)成為了微電子和光電子領域的重要材料之一。下面將詳細介紹氮化鎵的性質(zhì)和用途。
近年來，身量纖纖卻含金量十足的氮化鎵，成為推動充電器產(chǎn)業(yè)變革的重要力量，促進智能插座創(chuàng)新發(fā)展。氮化鎵的高性能為智能插座市場拓展打開全新空間，氮化鎵智能插...
在電力電子領域，納微半導體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導體技術，已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日，該公司受邀參加6月11日...
目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權(quán)76件，除去世界知識產(chǎn)權(quán)局WO的8件PCT專利之外，其授權(quán)率高達約80%，目前僅有3件專利處于失效狀態(tài)。
氮化鎵和碳化硅作為第三代半導體材料，整體發(fā)展較晚，滲透率較低。隨著半導體化合物的穩(wěn)定發(fā)展，第三代半導體具有高穿透電場、高導熱率、高電子遷移率、高操作溫度...
東科氮化鎵合封芯片DK075G助力創(chuàng)富源70W快充實現(xiàn)高效輸出
前言消費者在選購第三方充電器時都傾向于選擇一款功率高、發(fā)熱低、體積小巧便攜的充電器，而氮化鎵合封芯片憑借高頻、高集成、低損耗的特性解決了消費者的痛點。創(chuàng)...
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