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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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CGD 與高品質(zhì)服務(wù)領(lǐng)航者 DigiKey 達(dá)成全球分銷協(xié)議
為建立 GaN 生態(tài)系統(tǒng)造福全球工程師邁出重要一步 英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公...
碳化硅和氮化鎵等寬帶隙半導(dǎo)體推動(dòng)汽車電氣化
碳化硅和氮化鎵等 寬帶隙 功率半導(dǎo)體可減小組件尺寸、提高效率并改善混合動(dòng)力和全電動(dòng)汽車的性能。 現(xiàn)在越來越多的汽車制造商押注于 SiC 和 GaN，芯片...
2022-07-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵碳化硅 787 0
高功率快充在近幾年成為了充電市場的當(dāng)紅炸子雞。前段時(shí)間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。 通過選用 高功率體積小的氮化鎵芯片，搭...
北交大本科生走進(jìn)泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室
近日，北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院的“電力電子方向?qū)I(yè)綜合設(shè)計(jì)與實(shí)踐”本科大四學(xué)生在楊曉峰教授的帶領(lǐng)下，走進(jìn)了泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室，開啟了一場科技探秘之...
? 全球繼電器銷售額呈現(xiàn)整體增長趨勢，主要得益于汽車、家用電器、工業(yè)控制等傳統(tǒng)下游市場穩(wěn)定增長，以及新能源、人工智能（AI）、智能制造等新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)...
淺談光耦與氮化鎵快充技術(shù)的創(chuàng)新融合
氮化鎵快充技術(shù)主要通過將氮化鎵功率器件應(yīng)用于充電器、電源適配器等充電設(shè)備中，以提高充電效率和充電速度。光耦技術(shù)作為一種能夠?qū)㈦娦盘?hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)并實(shí)現(xiàn)電氣...
號(hào)稱“氮化鎵龍頭企業(yè)”，英飛凌完成 8.3 億美元收購 GaN Systems 公司
?10 月 25 日消息，英飛凌科技于 2023 年 10 月 24 日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems），并號(hào)稱“成為領(lǐng)先的氮化鎵龍...
納微半導(dǎo)體誠邀您參與 2022 年 CES ，參與特斯拉抽獎(jiǎng)
在即將召開的 2022 年的CES上，氮化鎵 （GaN） 功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克交易代碼：NVTS）將展示其業(yè)務(wù)拓展計(jì)劃，其業(yè)務(wù)范圍將...
2021-12-30 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車特斯拉氮化鎵 776 0
大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的高頻小型化工業(yè)電源方案
NCP51561是onsemi推出的一款高壓隔離型雙通道門極驅(qū)動(dòng)器，具有4.5A源電流和9A灌電流峰值能力。該新器件適用于硅功率MOSFET和基于SiC...
2022-01-05 標(biāo)簽：氮化鎵工業(yè)電源大聯(lián)大世平 773 0
40W雙C口氮化鎵快充方案助力Iphone16系列順利發(fā)售！
誠芯微多款合封氮化鎵方案齊上陣，涵蓋20W、30W、45W、65W、100W等多功率段。一顆合封氮化鎵芯片可輕松取代初級(jí)側(cè)兩到三顆芯片的功能，通過高集成...
Ganvix與BluGlass合作開發(fā)基于GaN的綠光VCSEL
與此同時(shí)，總部位于澳大利亞的BluGlass正在開發(fā)一種稱為遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積（RPCVD）的新型沉積技術(shù)，其不同于金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCV...
意法半導(dǎo)體MasterGaN與VIPerGaN產(chǎn)品家族介紹
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷革新，智能功率氮化鎵（GaN）成為備受矚目的關(guān)鍵技術(shù)。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻、耐高溫高壓的特性，以及智能控制電路和...
2025-03-24 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 768 0
PI近日宣布推出1700V氮化鎵(GaN)開關(guān)IC，這一技術(shù)突破有哪些亮點(diǎn)?它將如何影響高壓氮化鎵市場? 近日，Power Integrations(以...
2024-11-15 標(biāo)簽：氮化鎵GaN開關(guān)IC 767 0
基于氮化鎵的電源芯片U8722BAS具有更低成本效益GaN是一種改變我們的生活方式，應(yīng)用前景廣泛的特新材料。氮化鎵技術(shù)正在提供更快的開關(guān)速度、更小的尺寸...
納微半導(dǎo)體公布2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績
納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計(jì)的2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績。
2025-05-08 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 764 0
MicroLEDi籌資2500萬美元，進(jìn)軍AR眼鏡用Micro LED技術(shù)領(lǐng)域
Micledi借助已于2020年籌集到的資金，成功驗(yàn)證了在300mm晶圓上的制造工藝，同時(shí)展現(xiàn)出基于氮化鎵的藍(lán)色、綠色Micro LED光源具備與紅色光...
英飛凌完成收購GaN Systems成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)
德國慕尼黑和加拿大渥太華訊——英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。
近日，納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源...
2024-10-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 756 0
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