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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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功率密度提升80%的服務(wù)器電源供應(yīng)器是如何打造的?
隨著數(shù)據(jù)中心持續(xù)為網(wǎng)絡(luò)搜索、視頻通話和信息存儲等服務(wù)提供支持,處理能力需要變得更快、更強(qiáng)大,電力需求也隨之增長。在不增加體積或影響系統(tǒng)效率的情況下,如何...
2023-06-05 標(biāo)簽:MOSFET功率轉(zhuǎn)換器IGBT 674 0
Diamond 實(shí)現(xiàn)大功率電子產(chǎn)品的熱管理
Diafilm TM220 是一種化學(xué)氣相沉積 (CVD) 金剛石熱等級,可為工業(yè)用戶提供超過 2200 W/mK 的熱導(dǎo)率。
英諾賽科登陸港交所,氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域明星企業(yè)閃耀登場
近日,全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板,為港股市場增添了一枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標(biāo)的。 英諾賽科作為全...
2025-01-06 標(biāo)簽:電壓氮化鎵功率半導(dǎo)體 672 0
什么是氮化鎵半導(dǎo)體?GaN如何改造5G網(wǎng)絡(luò)?
GaN 通過實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的效率,在 5G 技術(shù)的發(fā)展中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。GaN 更寬的帶隙使其能夠處理高頻信號,使其成為 5G 基站...
2023-05-15 標(biāo)簽:氮化鎵5G網(wǎng)絡(luò) 667 0
功率半導(dǎo)體商納微半導(dǎo)體明天發(fā)布2023年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績召開電話會議
? ?納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)將于美東時(shí)間2023年11月9日星期四股市收市后,公布2023年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績。納微半導(dǎo)體管理層將召開電...
2023-11-08 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 664 0
SWIECH游戲機(jī)便攜式底座大家眾所周知。投屏到TV上或者顯示器上,大屏玩游戲體驗(yàn)感更加。 SWITCH游戲機(jī)投屏?xí)r,必須接上適配器,攜帶不方便?,F(xiàn)在市...
納微半導(dǎo)體聯(lián)手Virtual Forest實(shí)現(xiàn)農(nóng)業(yè)碳凈零
納微半導(dǎo)體宣布,其先進(jìn)的GaNFast?氮化鎵功率芯片已被Virtual Forest公司采納,該公司是印度市場上消費(fèi)類電器、流體運(yùn)動和移動領(lǐng)域的佼佼者...
2024-05-06 標(biāo)簽:氮化鎵納微半導(dǎo)體 660 0
GaN和相關(guān)合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一,與優(yōu)化工藝過程相關(guān)的成熟材料是有源/無源射頻光電子...
這不閃極!Retro 麥金塔20W氮化鎵充電器套裝僅49.9元
人們常說好看的皮囊千篇一律,這其實(shí)意味著大家審美的普遍性,美得越經(jīng)典越經(jīng)受得起考驗(yàn)。閃極Retro 麥金塔氮化鎵系列充電器的設(shè)計(jì)也正是如此,它的創(chuàng)意來自...
氮化鎵是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有高電子遷移率、高耐壓、高頻率等特性。相比傳統(tǒng)的硅材料,氮化鎵材料的帶隙寬度更大,能夠承受更高的電壓和溫度,同時(shí)具有更高...
英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù),推動行業(yè)變革
●憑借這一突破性的300mmGaN技術(shù),英飛凌將推動GaN市場快速增長●利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施,英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率●300...
納微半導(dǎo)體榮獲2022年CES創(chuàng)新獎
CES 創(chuàng)新獎(CES Innovation Awards)計(jì)劃由消費(fèi)技術(shù)協(xié)會(CTA)? 運(yùn)營,是一項(xiàng)年度競賽,旨在表彰 27 個(gè)消費(fèi)技術(shù)產(chǎn)品類別中...
2021-11-24 標(biāo)簽:氮化鎵納微半導(dǎo)體 632 0
在1:5CW轉(zhuǎn)換器中具有N相和分相時(shí)鐘的GaN FET開關(guān)
本文將討論三個(gè)貢獻(xiàn)。它將通過對 N 相切換和分相切換方案進(jìn)行比較并突出它們的優(yōu)勢來初步分析它們。對于小負(fù)載,N 相方案效率更高,而分相方案適用于較重的負(fù)...
2022-07-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電感器氮化鎵 631 0
第三代半導(dǎo)體氮化鎵成為電子領(lǐng)域的焦點(diǎn)
隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子領(lǐng)域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個(gè)變化中,第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)技術(shù)成為了焦點(diǎn),其對于充電器的性能和效率都帶來了革命性的...
氮化鎵高電子遷移率晶體管CGH55030F1/CGH55030P1介紹
Wolfspeed的CGH55030F1/CGH55030P1是專門為高效率而設(shè)計(jì)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能;促...
長電科技加速擴(kuò)充中大功率器件成品制造產(chǎn)能,面向第三代半導(dǎo)體市場解決方案營收有望大幅增長
新能源汽車和光伏,儲能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)...
良工(lengon)是浙江寧波良工電器有限公司旗下電氣品牌,始創(chuàng)于1990年,其產(chǎn)品主要包括電源插座、轉(zhuǎn)換器、墻壁開關(guān)等。
2024-09-30 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器氮化鎵快充 620 0
淺談功率半導(dǎo)體市場的狀況,增長勢頭過于強(qiáng)勁
Hanebeck曾提到英飛凌準(zhǔn)備斥資數(shù)十億歐元進(jìn)行收購。整合是我們在過去幾年中觀察到的市場增長趨勢。特別是在寬帶隙半導(dǎo)體材料供應(yīng)方面,特別是碳化硅 (SiC)。
2023-02-17 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 615 0
石墨烯芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),引領(lǐng)我們告別硅時(shí)代?
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)這些材料,在特定的應(yīng)用領(lǐng)域(如高頻、高功率電子器件)中展現(xiàn)出了比硅更好的性能。而石墨烯也可以在某些特定的領(lǐng)域,提供硅難...
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