石墨烯芯片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，引領(lǐng)我們告別硅時(shí)代？

碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）這些材料，在特定的應(yīng)用領(lǐng)域（如高頻、高功率電子器件）中展現(xiàn)出了比硅更好的性能。而石墨烯也可以在某些特定的領(lǐng)域，提供硅難...

2024-03-18 標(biāo)簽：SiC氮化鎵石墨烯 615 0

25W氮化鎵快充芯片U8723AH合理平衡工作頻率問題

25W氮化鎵快充芯片U8723AH合理平衡工作頻率問題提升芯片的工作頻率，無疑能夠加快設(shè)備的處理速度，提升用戶體驗(yàn)，但高頻率意味著更高的功耗和更大的發(fā)熱...

2024-11-22 標(biāo)簽：電壓氮化鎵快充芯片 609 0

GaN Systems 與上海安世博能源科技結(jié)盟 推進(jìn)氮化鎵進(jìn)入中國電動(dòng)車應(yīng)用市場

【中國上海 – 2023 年8 月3 日】 氮化鎵功率半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結(jié)盟，共同致力于加速并擴(kuò)...

2023-08-03 標(biāo)簽：氮化鎵 602 0

譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體媒體開放日，現(xiàn)場見證Super IDM產(chǎn)業(yè)效率革命

譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在10月27日舉辦“媒體開放日”活動(dòng)，就兩周前行業(yè)發(fā)布會(huì)上提出的”Super IDM“做了現(xiàn)場產(chǎn)線展示和上下游產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)詳解。多家半導(dǎo)體行業(yè)...

2023-11-02 標(biāo)簽：氮化鎵GaNIDM 601 0

用于電氣化的下一代 GaN

氮化鎵是未來節(jié)能電動(dòng)汽車和 5G 網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵組成部分。Hexagem是一家位于隆德大學(xué)的初創(chuàng)公司，正在瑞典研究機(jī)構(gòu)Rise 測試平臺(tái) ProNano開發(fā)...

2022-07-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體氮化鎵 599 0

英飛凌攜手AWL-Electricity通過氮化鎵功率半導(dǎo)體優(yōu)化無線功率

英飛凌近日宣布與總部位于加拿大AWL-Electricity建立合作關(guān)系，后者是兆赫級(jí)電容耦合諧振式功率傳輸技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌將為AWL-E提供Coo...

2024-10-29 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體氮化鎵 589 0

MTC-PD65W1C-CTA1快充電源-使用MTC-650V Cascode D-GaN

GaN/氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料經(jīng)常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩(wěn)定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗，提升...

2023-04-27 標(biāo)簽：電源氮化鎵GaN 578 0

Power Integrations推出1700V氮化鎵開關(guān)IC， 為氮化鎵技術(shù)樹立新標(biāo)桿

美國加利福尼亞州圣何塞， 2024 年 11 月 4 日訊 – 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯...

2024-11-05 標(biāo)簽：氮化鎵 574 0

四種將被氮化鎵革新電子設(shè)計(jì)的中壓應(yīng)用

來源：德州儀器 引言 隨著技術(shù)的迅速發(fā)展，人們對電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續(xù)地推動(dòng)這一發(fā)展，太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網(wǎng)供電。同樣，為了...

2024-03-27 標(biāo)簽：氮化鎵電子設(shè)計(jì)GaN 572 0

小型升壓轉(zhuǎn)換器的概念和工作原理

在 2000 年，服務(wù)器前端電源管理單元 (PSU) （通過交流輸入產(chǎn)生 12V/48V 直流軌） 達(dá)到了約 10W/in3 的功率密度，峰值效率約為 ...

2025-06-12 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器服務(wù)器氮化鎵 571 0

德州儀器正式投產(chǎn)氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，展現(xiàn)自有制造能力新高度

德州儀器(TexasInstruments,TI)近期在其位于日本會(huì)津的工廠正式投產(chǎn)基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，此舉標(biāo)志著該公司在GaN半...

2024-10-30 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵功率半導(dǎo)體 570 0

電激發(fā)式藍(lán)紫光垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)

上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果為近年來局限在光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL?的結(jié)果，一直到2008年，作者實(shí)驗(yàn)室首次在77 K?下成功制作出第一個(gè)電激發(fā)氮化鎵VCSEL，其雷...

2025-02-18 標(biāo)簽：激光器氮化鎵 567 0

英飛凌電子書發(fā)布 | 氮化鎵2024年預(yù)測與展望

目前，我們正處于能源轉(zhuǎn)型期，亟需采取行動(dòng)以應(yīng)對全球變暖，確保未來的美好生活。為實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)， 我們需要重新思考發(fā)電、輸電、電力儲(chǔ)能和用電的方式。能源、經(jīng)...

2024-04-26 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵寬禁帶 559 0

英飛凌完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司 (GaN Systems)，成為領(lǐng)先的氮化鎵龍頭企業(yè)

10 月 25 日，英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐...

2023-10-25 標(biāo)簽：英飛凌功率器件氮化鎵 554 0