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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

用于下一代電動(dòng)汽車的SiC MOSFET

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設(shè)計(jì)人員在電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車中提高能量轉(zhuǎn)換效率的重點(diǎn)是配備緊湊封裝和組裝的高熱可靠性電力電子模塊的設(shè)備,以減少開關(guān)損耗。

2022-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFETSiC 502 0

氮化鎵 (GaN) 帶來(lái)電源管理變革的 3 大原因

來(lái)源:德州儀器 氮化鎵正取代硅,越來(lái)越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高...

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PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案概述

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NexGen垂直GaN半導(dǎo)體 預(yù)計(jì)2023年第三季度全面生產(chǎn)

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PD快充芯片U8725AHE的主要特性

充電器和適配器等快充設(shè)備,需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯(lián)寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE,集成高...

2025-06-09 標(biāo)簽:充電器氮化鎵快充芯片 496 0

寬帶材料支持下一代電源策略

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在當(dāng)今的電力電子產(chǎn)品中,質(zhì)量和可靠性是既定的,設(shè)計(jì)重點(diǎn)是最大限度地提高效率和功率密度,同時(shí)最大限度地降低成本。工作頻率的急劇增加挑戰(zhàn)了當(dāng)前的設(shè)計(jì)實(shí)踐,以...

2022-08-09 標(biāo)簽:電源氮化鎵碳化硅 494 0

混合式氮化鎵VCSEL的研究

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在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究,2010年本研究團(tuán)隊(duì)優(yōu)化制程達(dá)到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VCSEL,此元件是以磊晶成長(zhǎng)?AlN/GaN DBR?...

2025-02-19 標(biāo)簽:氮化鎵VCSEL 493 0

車規(guī)氮化鎵功率模塊

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2023-11-28 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵 491 0

英飛凌碳化硅市占率劍指30%!

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2023-03-17 標(biāo)簽:英飛凌SiC氮化鎵 489 0

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聞泰科技助力浩思動(dòng)力閃耀2025上海車展

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光激發(fā)藍(lán)紫光VCSEL技術(shù)

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氮化鎵快充芯片U8733L的特征

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據(jù)悉,10 月 17 日, 中芯聚源私募基金管理(上海)有限公司 (以下簡(jiǎn)稱“中芯聚源”)董事長(zhǎng)高永崗、董事總經(jīng)理趙滄波一行參觀考察武漢鑫威源電子科技有...

2024-10-22 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體激光器中芯聚源 469 0

馬斯克的攪局 碳化硅陷入“失寵”的輿論漩渦

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從去年至今,我國(guó)氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)已經(jīng)屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底,再到最新的8英寸外延片,我國(guó)氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)越來(lái)越成熟。

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突破電力效能邊界:ZN70C1R460D 氮化鎵晶體管重磅登場(chǎng)!

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?在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下,電子元件的創(chuàng)新成為推動(dòng)各領(lǐng)域進(jìn)步的關(guān)鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(...

2025-02-18 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵 452 0

有獎(jiǎng)直播 | 羅姆氮化鎵電源技術(shù)開創(chuàng)高效小型化未來(lái)

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ROHM擁有多年電源產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗(yàn),近年更以寬能隙半導(dǎo)體GaN產(chǎn)品線,提供客戶中低壓功率組件更多的選擇。超低導(dǎo)通電阻加上優(yōu)異的高速開關(guān)性能,絕對(duì)值得您深入了解。

2024-10-16 標(biāo)簽:電源氮化鎵羅姆半導(dǎo)體 451 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢(shì)扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體

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國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢(shì)扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和應(yīng)用場(chǎng)景上的優(yōu)勢(shì),使其在汽車、工業(yè)和新能源領(lǐng)域...

2025-03-01 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵碳化硅 442 0

可協(xié)助5G發(fā)展的技術(shù) 激子行為

據(jù)俄科院西伯利亞分院網(wǎng)站報(bào)道,該分院計(jì)算數(shù)學(xué)、數(shù)學(xué)地質(zhì)物理所、半導(dǎo)體物理所會(huì)同德國(guó)保羅—德魯?shù)鹿虘B(tài)電子學(xué)研究所(柏林)的聯(lián)合科研團(tuán)隊(duì)計(jì)算了激子(一種準(zhǔn)粒...

2020-07-09 標(biāo)簽:氮化鎵5G 441 0

氮化鎵電源IC U872XAHE系列產(chǎn)品介紹

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氮化鎵電源IC U872XAHE系列是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路,可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電...

2025-06-20 標(biāo)簽:功率開關(guān)氮化鎵電源IC 439 0

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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
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