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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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設(shè)計(jì)人員在電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車中提高能量轉(zhuǎn)換效率的重點(diǎn)是配備緊湊封裝和組裝的高熱可靠性電力電子模塊的設(shè)備,以減少開關(guān)損耗。
2022-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFETSiC 502 0
氮化鎵 (GaN) 帶來(lái)電源管理變革的 3 大原因
來(lái)源:德州儀器 氮化鎵正取代硅,越來(lái)越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高...
深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案,主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH,同步整流芯片U7715,協(xié)議338E。輸入規(guī)格:18...
NexGen垂直GaN半導(dǎo)體 預(yù)計(jì)2023年第三季度全面生產(chǎn)
該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發(fā)布的700V 和 1200V樣品。
充電器和適配器等快充設(shè)備,需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯(lián)寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE,集成高...
在當(dāng)今的電力電子產(chǎn)品中,質(zhì)量和可靠性是既定的,設(shè)計(jì)重點(diǎn)是最大限度地提高效率和功率密度,同時(shí)最大限度地降低成本。工作頻率的急劇增加挑戰(zhàn)了當(dāng)前的設(shè)計(jì)實(shí)踐,以...
在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究,2010年本研究團(tuán)隊(duì)優(yōu)化制程達(dá)到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VCSEL,此元件是以磊晶成長(zhǎng)?AlN/GaN DBR?...
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布與國(guó)際著名的為汽車行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應(yīng)商 KYOCERA AVX Comp...
至2023整個(gè)財(cái)年,英飛凌預(yù)計(jì)營(yíng)收將達(dá)到約155億歐元(±5億歐元)。如果營(yíng)收為預(yù)測(cè)區(qū)間的中點(diǎn),則調(diào)整后的毛利潤(rùn)率預(yù)計(jì)將達(dá)到45%左右,利潤(rùn)率在25%左...
羅姆與臺(tái)積公司在車載氮化鎵功率器件領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱“羅姆”)宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Comp...
近日,在2025上海國(guó)際車展上,吉利與雷諾合資的浩思動(dòng)力攜Gemini小型增程器驚艷亮相。這款超級(jí)集成動(dòng)力系統(tǒng)搭載聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的氮化鎵器件,憑借高...
在氮化鎵藍(lán)光?VCSEL?發(fā)展方面,1996年?Redwing?等人成功制作了第一個(gè)室溫下光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL,其元件結(jié)構(gòu)由10?μm?厚的GaN...
恒功率控制方式通過(guò)精確的控制策略和先進(jìn)的電子技術(shù),實(shí)現(xiàn)了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過(guò)調(diào)節(jié)系統(tǒng)的輸入或輸出參數(shù)(如電壓、電流等),使得系統(tǒng)...
據(jù)悉,10 月 17 日, 中芯聚源私募基金管理(上海)有限公司 (以下簡(jiǎn)稱“中芯聚源”)董事長(zhǎng)高永崗、董事總經(jīng)理趙滄波一行參觀考察武漢鑫威源電子科技有...
2024-10-22 標(biāo)簽:氮化鎵半導(dǎo)體激光器中芯聚源 469 0
從去年至今,我國(guó)氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)已經(jīng)屢獲突破。從去年的2英寸襯底到6英寸襯底,再到最新的8英寸外延片,我國(guó)氧化鎵半導(dǎo)體制備技術(shù)越來(lái)越成熟。
突破電力效能邊界:ZN70C1R460D 氮化鎵晶體管重磅登場(chǎng)!
?在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下,電子元件的創(chuàng)新成為推動(dòng)各領(lǐng)域進(jìn)步的關(guān)鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(...
有獎(jiǎng)直播 | 羅姆氮化鎵電源技術(shù)開創(chuàng)高效小型化未來(lái)
ROHM擁有多年電源產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗(yàn),近年更以寬能隙半導(dǎo)體GaN產(chǎn)品線,提供客戶中低壓功率組件更多的選擇。超低導(dǎo)通電阻加上優(yōu)異的高速開關(guān)性能,絕對(duì)值得您深入了解。
2024-10-16 標(biāo)簽:電源氮化鎵羅姆半導(dǎo)體 451 0
國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢(shì)扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體
國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢(shì)扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和應(yīng)用場(chǎng)景上的優(yōu)勢(shì),使其在汽車、工業(yè)和新能源領(lǐng)域...
據(jù)俄科院西伯利亞分院網(wǎng)站報(bào)道,該分院計(jì)算數(shù)學(xué)、數(shù)學(xué)地質(zhì)物理所、半導(dǎo)體物理所會(huì)同德國(guó)保羅—德魯?shù)鹿虘B(tài)電子學(xué)研究所(柏林)的聯(lián)合科研團(tuán)隊(duì)計(jì)算了激子(一種準(zhǔn)粒...
氮化鎵電源IC U872XAHE系列是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路,可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電...
2025-06-20 標(biāo)簽:功率開關(guān)氮化鎵電源IC 439 0
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