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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

MOFEST市場(chǎng)是否會(huì)被氮化鎵取代?

與等效硅基解決方案相比,氮化鎵基HEMT的開關(guān)更快、熱導(dǎo)率更高和導(dǎo)通電阻更低,因此在電路中采用氮化鎵晶體管和集成電路,可提高效率、縮小尺寸并降低各種電源...

2023-09-14 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換氮化鎵 423 0

納微半導(dǎo)體邀您相約PCIM Europe 2025

納微半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM 2025,全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、電機(jī)馬達(dá)和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進(jìn)展。

2025-04-27 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵納微半導(dǎo)體 420 0

初步了解納微雙向氮化鎵開關(guān)

似乎我們的所有設(shè)備,都只能一味地“索取”電能,但你有沒有想過,有一天我們的電子設(shè)備也能在電網(wǎng)需要時(shí),將儲(chǔ)存的電能反向輸送。

2025-04-15 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片雙向開關(guān) 409 0

為什么碳化硅和氮化鎵擁有著巨大的市場(chǎng)潛力?

與傳統(tǒng)硅相比,這些因素轉(zhuǎn)化為許多好處,包括更小的體積、更快的速度、更高效和更可靠的運(yùn)行能力。

2023-02-27 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 407 0

芯干線榮獲2025中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之年度最佳功率器件/寬禁帶器件

此前,2025年3月27-28日,全球前沿的電子行業(yè)媒體機(jī)構(gòu) AspenCore,在上海金茂君悅大酒店成功舉辦了“國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)(IIC S...

2025-03-31 標(biāo)簽:IC設(shè)計(jì)氮化鎵功率模塊 406 0

浮思特 | 攻克GaN材料挑戰(zhàn):實(shí)現(xiàn)性能突破的關(guān)鍵

浮思特 | 攻克GaN材料挑戰(zhàn):實(shí)現(xiàn)性能突破的關(guān)鍵

GaN技術(shù)正迎來其高光時(shí)刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開關(guān)、低能耗和優(yōu)異熱性能等優(yōu)勢(shì),完美契合當(dāng)今AI基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車平臺(tái)、可再生能源和工業(yè)控制等...

2025-05-27 標(biāo)簽:材料氮化鎵GaN 404 0

全日程更新丨2025英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇向你發(fā)出邀請(qǐng)

全日程更新丨2025英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇向你發(fā)出邀請(qǐng)

英飛凌全球?qū)捊麕ч_發(fā)者論壇連續(xù)多年舉辦,匯集了來自碳化硅SiC和氮化鎵GaN領(lǐng)域的專家,更有一個(gè)來自中國(guó)客戶的特邀報(bào)告。2025年3月11日北京時(shí)間下午...

2025-02-27 標(biāo)簽:英飛凌氮化鎵GaN 397 0

浩思動(dòng)力推Gemini微型增程器,首搭氮化鎵模塊引關(guān)注

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在新能源汽車市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈的當(dāng)下,創(chuàng)新技術(shù)無疑是車企率先破局的利刃。日前,在混動(dòng)、純電領(lǐng)域均占據(jù)行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)?的浩思動(dòng)力HorsePowertrain...

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 Transphorm氮化鎵器件率先達(dá)到對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用至關(guān)重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑

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與安川電機(jī)公司合作取得的這項(xiàng)成果,充分利用了 Transphorm 常關(guān)型平臺(tái)的基本優(yōu)勢(shì)。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 8 月 24 ...

2023-08-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)氮化鎵 392 0

PI氮化鎵反激式開關(guān)IC產(chǎn)品介紹

InnoSwitch3-EP和InnoSwitch4-QR氮化家反激式開關(guān)IC專為服務(wù)器、個(gè)人電腦待機(jī)電源以及功率高達(dá)220W、電壓高達(dá)1250V的工業(yè)...

2025-05-30 標(biāo)簽:反激式電源氮化鎵開關(guān)IC 390 0

揭秘寬禁帶器件檢測(cè)要點(diǎn)?

雖然氮化鎵的HEMT器件相對(duì)碳化硅來說起步晚了點(diǎn),但是現(xiàn)在氮化鎵的HEMT器件的勢(shì)頭非常迅猛,所以對(duì)于氮化鎵器件的生產(chǎn)廠家來說,評(píng)測(cè)氮化鎵器件的緊迫性也...

2023-11-02 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)功率器件氮化鎵 369 0

氮化鎵電源芯片U8733L與U8733的區(qū)別

氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列,都是外置OTP,自帶降功率(限12V最大輸出),集成高壓?jiǎn)?dòng)電路,可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的...

2025-04-23 標(biāo)簽:封裝氮化鎵電源芯片 353 0

氮化鎵器件在高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

氮化鎵器件在高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

氮化鎵(GaN)器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率,主要?dú)w功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。

2025-06-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 347 0

電子工程師解答電路設(shè)計(jì)、元器件選型等問題

近幾年,隨著手機(jī)等電子產(chǎn)品的普及,人們對(duì)于快速充電的需求越來越高。在這樣的趨勢(shì)下,愛美雅電子推出了一款性能卓越的65W氮化鎵快充方案,其高效、安全、快速...

2023-04-19 標(biāo)簽:電源氮化鎵 341 0

氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號(hào) 功率65W

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氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號(hào)功率65WYINLIANBAO深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族,喜提“芯”成員——U87...

2025-04-10 標(biāo)簽:氮化鎵電源芯片 332 0

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的狀況 增長(zhǎng)勢(shì)頭過于強(qiáng)勁

氮化鎵 (GaN) 的情況略有不同。這種材料的賣點(diǎn)之一是它可以在硅晶圓上作為外延生長(zhǎng),因此不需要 GaN 晶圓。該行業(yè)的許多公司目前都是無晶圓廠,這在一...

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AI電源革命!仁懋氮化鎵如何讓400W服務(wù)器電源效率狂飆至98%

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AI算力的“能耗之痛”在AI訓(xùn)練集群中,單臺(tái)服務(wù)器功耗已突破4kW,電源系統(tǒng)面臨三重極限挑戰(zhàn):效率瓶頸:傳統(tǒng)硅器件在高壓PFC段效率僅95%,年損耗電量...

2025-05-10 標(biāo)簽:服務(wù)器電源氮化鎵仁懋電子 276 0

氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化

氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化

氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化打嗝模式本質(zhì)為電源保護(hù)機(jī)制(如短路保護(hù)),優(yōu)化需在保障可靠性的前提下進(jìn)行。高頻噪聲問題需協(xié)同芯...

2025-06-12 標(biāo)簽:氮化鎵電源芯片 268 0

25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH

25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH

25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件(如MOSFET)、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝,...

2025-04-24 標(biāo)簽:氮化鎵快充芯片 254 0

TOLL和DFN封裝CoolGaN? 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管

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新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效,符合...

2025-06-26 標(biāo)簽:氮化鎵DFN功率晶體管 251 0

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BLDC PLC 碳化硅 二極管 OpenAI 元宇宙 安森美 ADI
無刷電機(jī) FOC IGBT 逆變器 文心一言 5G 英飛凌 羅姆
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伺服電機(jī) SVPWM 光伏發(fā)電 UPS AR 智能電網(wǎng) 國(guó)民技術(shù) Microchip
瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯海科技 Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽(yáng) 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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