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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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MOFEST市場(chǎng)是否會(huì)被氮化鎵取代?
與等效硅基解決方案相比,氮化鎵基HEMT的開關(guān)更快、熱導(dǎo)率更高和導(dǎo)通電阻更低,因此在電路中采用氮化鎵晶體管和集成電路,可提高效率、縮小尺寸并降低各種電源...
2023-09-14 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換氮化鎵 423 0
納微半導(dǎo)體邀您相約PCIM Europe 2025
納微半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國(guó)紐倫堡舉辦的PCIM 2025,全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、電機(jī)馬達(dá)和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進(jìn)展。
2025-04-27 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵納微半導(dǎo)體 420 0
似乎我們的所有設(shè)備,都只能一味地“索取”電能,但你有沒有想過,有一天我們的電子設(shè)備也能在電網(wǎng)需要時(shí),將儲(chǔ)存的電能反向輸送。
2025-04-15 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片雙向開關(guān) 409 0
與傳統(tǒng)硅相比,這些因素轉(zhuǎn)化為許多好處,包括更小的體積、更快的速度、更高效和更可靠的運(yùn)行能力。
2023-02-27 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 407 0
芯干線榮獲2025中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之年度最佳功率器件/寬禁帶器件
此前,2025年3月27-28日,全球前沿的電子行業(yè)媒體機(jī)構(gòu) AspenCore,在上海金茂君悅大酒店成功舉辦了“國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)(IIC S...
2025-03-31 標(biāo)簽:IC設(shè)計(jì)氮化鎵功率模塊 406 0
浮思特 | 攻克GaN材料挑戰(zhàn):實(shí)現(xiàn)性能突破的關(guān)鍵
GaN技術(shù)正迎來其高光時(shí)刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開關(guān)、低能耗和優(yōu)異熱性能等優(yōu)勢(shì),完美契合當(dāng)今AI基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車平臺(tái)、可再生能源和工業(yè)控制等...
全日程更新丨2025英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇向你發(fā)出邀請(qǐng)
英飛凌全球?qū)捊麕ч_發(fā)者論壇連續(xù)多年舉辦,匯集了來自碳化硅SiC和氮化鎵GaN領(lǐng)域的專家,更有一個(gè)來自中國(guó)客戶的特邀報(bào)告。2025年3月11日北京時(shí)間下午...
浩思動(dòng)力推Gemini微型增程器,首搭氮化鎵模塊引關(guān)注
在新能源汽車市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈的當(dāng)下,創(chuàng)新技術(shù)無疑是車企率先破局的利刃。日前,在混動(dòng)、純電領(lǐng)域均占據(jù)行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)?的浩思動(dòng)力HorsePowertrain...
Transphorm氮化鎵器件率先達(dá)到對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用至關(guān)重要的抗短路穩(wěn)健性里程碑
與安川電機(jī)公司合作取得的這項(xiàng)成果,充分利用了 Transphorm 常關(guān)型平臺(tái)的基本優(yōu)勢(shì)。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 8 月 24 ...
2023-08-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)氮化鎵 392 0
InnoSwitch3-EP和InnoSwitch4-QR氮化家反激式開關(guān)IC專為服務(wù)器、個(gè)人電腦待機(jī)電源以及功率高達(dá)220W、電壓高達(dá)1250V的工業(yè)...
2025-05-30 標(biāo)簽:反激式電源氮化鎵開關(guān)IC 390 0
雖然氮化鎵的HEMT器件相對(duì)碳化硅來說起步晚了點(diǎn),但是現(xiàn)在氮化鎵的HEMT器件的勢(shì)頭非常迅猛,所以對(duì)于氮化鎵器件的生產(chǎn)廠家來說,評(píng)測(cè)氮化鎵器件的緊迫性也...
2023-11-02 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)功率器件氮化鎵 369 0
氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列,都是外置OTP,自帶降功率(限12V最大輸出),集成高壓?jiǎn)?dòng)電路,可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的...
近幾年,隨著手機(jī)等電子產(chǎn)品的普及,人們對(duì)于快速充電的需求越來越高。在這樣的趨勢(shì)下,愛美雅電子推出了一款性能卓越的65W氮化鎵快充方案,其高效、安全、快速...
氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號(hào) 功率65W
氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號(hào)功率65WYINLIANBAO深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族,喜提“芯”成員——U87...
功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的狀況 增長(zhǎng)勢(shì)頭過于強(qiáng)勁
氮化鎵 (GaN) 的情況略有不同。這種材料的賣點(diǎn)之一是它可以在硅晶圓上作為外延生長(zhǎng),因此不需要 GaN 晶圓。該行業(yè)的許多公司目前都是無晶圓廠,這在一...
AI電源革命!仁懋氮化鎵如何讓400W服務(wù)器電源效率狂飆至98%
AI算力的“能耗之痛”在AI訓(xùn)練集群中,單臺(tái)服務(wù)器功耗已突破4kW,電源系統(tǒng)面臨三重極限挑戰(zhàn):效率瓶頸:傳統(tǒng)硅器件在高壓PFC段效率僅95%,年損耗電量...
氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化
氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化打嗝模式本質(zhì)為電源保護(hù)機(jī)制(如短路保護(hù)),優(yōu)化需在保障可靠性的前提下進(jìn)行。高頻噪聲問題需協(xié)同芯...
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件(如MOSFET)、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝,...
TOLL和DFN封裝CoolGaN? 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管
新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效,符合...
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