MCP6006U具有EMI濾波功能的1MHz運(yùn)算放大器技術(shù)手冊(cè)

微芯科技（Microchip Technology Inc.）的MCP6006/6R/6U/7/9運(yùn)算放大器采用單電源供電，電壓低至1.8V，同時(shí)具有低...

2025-04-17 標(biāo)簽：放大器運(yùn)算放大器電磁干擾 156 0

分立器件在GaN充電器中的應(yīng)用

隨著氮化鎵GaN技術(shù)在PD快充領(lǐng)域的普及，充電器正朝著更小巧、更高效的方向發(fā)展。不過(guò)工程師在設(shè)計(jì)GaN充電器時(shí)，卻面臨一些棘手挑戰(zhàn)： 在高頻狀態(tài)下，電磁...

2025-04-15 標(biāo)簽：充電器電磁干擾氮化鎵 282 0

EMC整改的三個(gè)核心步驟

在現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，電磁兼容性(EMC)是確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。任何設(shè)備在實(shí)際應(yīng)用中都可能受到電磁干擾，甚至自身也可能成為干擾源，因此，EMC問(wèn)...

2025-02-26 標(biāo)簽：噪聲emc電磁干擾 1155 0

突發(fā)脈沖磁場(chǎng)對(duì)IGBT模塊的干擾效應(yīng)研究

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）通常在復(fù)雜的電磁環(huán)境中運(yùn)行，然而，關(guān)于磁場(chǎng)干擾（MFI）對(duì)其性能和可靠性的影響的研究較少，尤其是在高功率應(yīng)用中。本文提出了一...

2025-02-25 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電路IGBT晶體管 847 0

浮地與接地對(duì)EMC的具體影響

浮地設(shè)計(jì)試圖通過(guò)電氣隔離阻斷共模干擾傳導(dǎo)，但其理論缺陷在于系統(tǒng)寄生電容與電感形成的無(wú)形回路——高頻干擾經(jīng)容性耦合重構(gòu)路徑，反而誘發(fā)輻射諧振并加劇電磁能量...

2025-02-18 標(biāo)簽：接地emc電磁干擾 1070 0

SG-9101擴(kuò)頻晶振降低EMI電磁干擾可編程晶振

擴(kuò)展頻譜技術(shù)是抗干擾通信中的主要應(yīng)用技術(shù)。擴(kuò)展頻譜時(shí)鐘晶振是一種可以通過(guò)調(diào)整時(shí)鐘頻率降低EMI電磁干擾的可編程有源晶振，愛(ài)普生在其技術(shù)資料中對(duì)其英文簡(jiǎn)稱(chēng)...

2025-02-14 標(biāo)簽：emi晶振電磁干擾 277 0

電磁兼容的這些問(wèn)題，你都考慮到了嗎？(上)

導(dǎo)讀隨著電子設(shè)備的廣泛使用，電磁兼容性問(wèn)題愈發(fā)關(guān)鍵。本文將深入解析開(kāi)發(fā)生產(chǎn)電子設(shè)備時(shí)需關(guān)注的電磁兼容性要點(diǎn)，并結(jié)合案例分析，助你全面了解如何確保電子設(shè)備...

2025-01-14 標(biāo)簽：電磁兼容設(shè)備電磁干擾 546 0

EMC外殼設(shè)計(jì)要點(diǎn)

本文要點(diǎn)什么是EMC外殼？選擇EMC外殼材料時(shí)需要考量的事項(xiàng)。EMC外殼設(shè)計(jì)要點(diǎn)。如果設(shè)備具有電磁兼容標(biāo)志，則表明它帶來(lái)的電磁干擾符合EMC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定。符...

2025-01-10 標(biāo)簽：濾波器emc電磁干擾 1020 0

電子產(chǎn)品出現(xiàn)滋滋響聲安規(guī)電容能解決嗎？

安規(guī)電容是指符合安規(guī)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)的電容，其體積小、容量大、高絕緣、高耐壓等特點(diǎn)。它廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中，如電力電子、通訊、家用電器和汽車(chē)電子等領(lǐng)域。

2024-12-18 標(biāo)簽：電容安規(guī)電容電磁干擾 435 0

圖騰柱PFC的傳導(dǎo)電磁干擾對(duì)策指南

隨著開(kāi)關(guān)電源的廣泛應(yīng)用，開(kāi)關(guān)電源的整流和濾波過(guò)程會(huì)產(chǎn)生大量的高次諧波，導(dǎo)致電流波形嚴(yán)重畸變，進(jìn)而引起電磁干擾（EMI）和電磁兼容（EMC）問(wèn)題。因此，功...

2024-12-17 標(biāo)簽：電磁兼容開(kāi)關(guān)電源PFC 1620 0

MOSFET電路柵源極GS之間為什么需要并聯(lián)一個(gè)電容？居然能解決MOS誤導(dǎo)通的問(wèn)題？

Part 01 前言 在MOSFET中，dv/dt指的是MOSFET在開(kāi)關(guān)瞬態(tài)期間，其漏源電壓Vds的變化率，即漏極和源極之間電壓隨時(shí)間的變化速度。一般...

2024-11-12 標(biāo)簽：MOSFET電容MOS 6333 0