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分立器件在GaN充電器中的應用

合科泰半導體 ? 來源:合科泰半導體 ? 2025-04-15 09:10 ? 次閱讀

隨著氮化鎵GaN技術(shù)在PD快充領(lǐng)域的普及,充電器正朝著更小巧、更高效的方向發(fā)展。不過工程師在設計GaN充電器時,卻面臨一些棘手挑戰(zhàn):在高頻狀態(tài)下,電磁干擾EMI頻繁發(fā)生,這導致設備兼容性下降;器件間協(xié)同性也不夠充足,進而引發(fā)了效率波動及穩(wěn)定性的風險。電路之中的這些問題猶如“暗礁”,稍微一不小心,便會對產(chǎn)品性能以及用戶體驗造成影響。

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解決關(guān)鍵

GaN器件的高開關(guān)速度在縮小磁性元件體積的同時,也放大了寄生參數(shù)的負面影響。一是寄生電感振蕩,PCB布局中的線路電感與MOS管的輸出電容形成LC諧振,在100kHz以上頻段產(chǎn)生>20dBμV/m的輻射噪聲,導致EMI測試超標。二是驅(qū)動信號失真,柵極寄生電容與驅(qū)動電阻的RC延遲,這種情況可能使開關(guān)波形出現(xiàn)振鈴,進而增加器件損耗,并降低可靠性。

解決寄生電感振蕩和驅(qū)動信號失真的問題,其關(guān)鍵需要在器件選型與電路設計同時進行:

1.寄生電感振蕩:切斷“振蕩源頭”

器件選型時,選低寄生電感封裝,如PDFN5X6封裝的HKTG48N10,通過裸露漏極焊盤設計,降低LC諧振強度;在電路設計上,縮短功率回路走線,優(yōu)化PCB布局,從源頭削弱振蕩能量,再加吸收電路,可快速吸收電壓尖峰。

2.驅(qū)動信號失真:精準控制“信號延遲”

器件選型時,選低柵極電荷器件,如HKTQ80N03的電荷僅38nC,這樣能減少驅(qū)動電阻負擔,讓開關(guān)延遲時間更穩(wěn)定;電路設計上,加上RC阻尼網(wǎng)絡,用來濾除高頻毛刺,把驅(qū)動信號振鈴壓降至5%以內(nèi),從而避免器件誤觸發(fā)。根據(jù)Ciss參數(shù)(如≤4000pF)來選擇驅(qū)動芯片,以確保充電電流足夠,可避免信號上升、下降沿拖尾。

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就像“減少齒輪摩擦”那樣,選對低寄生參數(shù)的器件,如HKTG48N10、HKTQ80N03,搭配上簡潔的外圍電路吸收網(wǎng)絡以及阻尼電阻,如此一來,就能使高頻開關(guān)過程更“順暢”,既降低EMI噪聲,又減少損耗,讓GaN充電器高效又穩(wěn)定。

MOSFET的高頻“默契”考驗:

在GaN充電器的高頻開關(guān)場景中,MOS管的寄生電容與電感如同看不見的“耦合器”。如若參數(shù)匹配不當,很容易引發(fā)振蕩及損耗。以具有低寄生電容的MOSFET為例,它能夠減少高頻開關(guān)時的能量“回彈”從而降低損耗,這樣就確保電流切換更為精準,恰如精密鐘表的齒輪,每一次轉(zhuǎn)動皆需嚴絲合縫。

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選型方案僅供參考,詳細情況可通過底部銷售二維碼咨詢

當下,半導體行業(yè)對GaN配套分立器件的研發(fā)愈發(fā)深入。從材料優(yōu)化到封裝創(chuàng)新,旨在降低高頻下的寄生參數(shù)所帶來的影響,提升器件在電路中的協(xié)同。這些努力正推動GaN充電器向更高頻率、更低損耗的方向不斷邁進。在分立器件制造領(lǐng)域,合科泰等廠商專注聚焦于高頻場景需求,不斷地對產(chǎn)品性能進行優(yōu)化。通過精細的參數(shù)設計以及工藝把控,助力工程師應對GaN快充充電器的高頻挑戰(zhàn)。

公司介紹

合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設計、生產(chǎn)、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術(shù)及專精特新企業(yè)。

產(chǎn)品包括:

1、半導體封裝材料;2、被動元件,主要有:電阻、電容、電感;3、半導體分立器件,主要有:MOSFET、TVS肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復、橋堆、二極管、三極管及功率器件,電源管理IC及其他集成電路等。

合科泰設有兩個智能生產(chǎn)制造中心

1、中國華南地區(qū)的制造中心,位于惠州市博羅縣的合科泰科技智能制造園區(qū),建筑面積75000㎡,擁有先進設備及檢測儀器1000多臺,在當?shù)嘏涮准瘓F物流配送中心,而東莞塘廈生產(chǎn)中心為目前生產(chǎn)基地;

2、中國西南地區(qū)的制造中心,位于四川省南充市順慶區(qū)科創(chuàng)中心,廠房面積35000㎡,擁有先進設備和檢測儀器儀表約2000臺;

2024年合科泰全面拓寬產(chǎn)品線,在四川南充成立三家子公司,分別是順芯半導體、南充安昊、南充晶科,主要負責研發(fā)生產(chǎn)半導體封裝材料;產(chǎn)品線拓寬后將最大程度滿足客戶需求。

合科泰堅持客戶至上、品質(zhì)第一、創(chuàng)新驅(qū)動、以人為本的經(jīng)營方針,為客戶提供一站式應用解決方案服務。同時合科泰提供半導體芯片和分立器件封裝測試OEM代工等綜合性業(yè)務。

合科泰在集成電路設計、芯片測試、分立器件工藝設計、可靠性實驗等方面積累了豐富核心技術(shù)儲備,擁有國家發(fā)明專利、實用新型專利等100多項。

合科泰通過了ISO9001、ISO14001、IATF16949體系認證。

產(chǎn)品廣泛應用于電源、照明、醫(yī)療電子、小家電、通信、安防儀器、工控、汽車電子等領(lǐng)域。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:GaN充電器高頻化之路:分立器件如何破解電磁干擾與協(xié)同難題?

文章出處:【微信號:合科泰半導體,微信公眾號:合科泰半導體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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