硅基動(dòng)態(tài)

• 

  SiC賦能IGBT：突破硅基極限,開(kāi)啟高壓高效新時(shí)代

  自1982年由通用電氣(GE)首次展示以來(lái)，基于硅材料的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在過(guò)去四十余年間經(jīng)歷了顯著進(jìn)化。雖

  2025-05-14 標(biāo)簽： IGBT SiC 硅基 270 0

• 

  深入解析硅基光子芯片制造流程，揭秘科技奇跡！

  在信息技術(shù)日新月異的今天，硅基光子芯片制造技術(shù)正逐漸成為科技領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。作為“21世紀(jì)的微電子技術(shù)”，硅基光子集成技

  2025-03-19 標(biāo)簽： 芯片制造 集成芯片 硅基 949 0

• 

  GaN技術(shù):顛覆傳統(tǒng)硅基,引領(lǐng)科技新紀(jì)元

  在開(kāi)關(guān)模式電源中使用 GaN 開(kāi)關(guān)是一種相對(duì)較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的

  2025-02-11 標(biāo)簽： GaN 硅基 509 0

• 

  Sang-Young Lee院士Nat. Commun.:硅負(fù)極失效與隔膜有關(guān)

  ? 研究背景 硅負(fù)極理論比容量高達(dá)3592 mAh g-1，優(yōu)于目前流行的石墨負(fù)極材料，有望在電池能量密度、電動(dòng)汽車的續(xù)

  2024-12-17 標(biāo)簽： 硅基 電池 771 0

• 華天科技硅基扇出封裝

  來(lái)源：華天科技 在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域， 扇出（Fan-Out）技術(shù) 正以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)著新一輪的技術(shù)革新。它通過(guò)將芯片連接

  2024-12-06 標(biāo)簽： 封裝 硅基 714 0

• 

  中國(guó)科大實(shí)現(xiàn)耦合高度可調(diào)的二維硅基量子點(diǎn)陣列

  圖(左)硅基量子點(diǎn)二維陣列器件核心區(qū)的電子顯微鏡偽色圖;(右)任意調(diào)控量子點(diǎn)間最近鄰和次近鄰耦合，從而構(gòu)造出不同的耦合結(jié)

  2024-12-03 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 耦合 硅基 547 0

• 

  人工智能架構(gòu)將推動(dòng)未來(lái)硅基IGBT和碳化硅材料的改進(jìn)

  直到最近，電力轉(zhuǎn)換行業(yè)在效率、尺寸、重量和成本方面的進(jìn)步主要都是由半導(dǎo)體晶體管技術(shù)的改進(jìn)推動(dòng)的。為了實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn)，新型晶

  2024-06-25 標(biāo)簽： IGBT 人工智能 硅基 1080 0

• 萊特光電2024年Q1業(yè)績(jī)大幅提升，揭示OLED下游市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng)

  萊特光電表示，報(bào)告期間，OLED下游市場(chǎng)需求旺盛，帶動(dòng)了公司OLED終端材料銷售額的大幅上漲；同時(shí)，新產(chǎn)品規(guī)模效益顯現(xiàn)，

  2024-04-26 標(biāo)簽： OLED 面板廠商 硅基 607 0

• 天宜微電子獲數(shù)千萬(wàn)元融資，杭金投基金參投

  天宜微電子（杭州）有限公司成立于2023年7月，主要從事硅基微顯示驅(qū)動(dòng)芯片的研發(fā)與生產(chǎn)，主攻方向涵蓋Micro OLED

  2024-04-02 標(biāo)簽： OLED 驅(qū)動(dòng)芯片 硅基 658 0

• 蘇州龍馳半導(dǎo)體潔凈機(jī)電包項(xiàng)目設(shè)備搬運(yùn)啟動(dòng)

  蘇州龍馳半導(dǎo)體潔凈機(jī)電包項(xiàng)目是中電二公司在華東地區(qū)的又一重要舉措，其規(guī)?；趾?，一期規(guī)劃面積達(dá)到了驚人的60，900平方米

  2024-02-02 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 晶圓 硅基 1887 0

點(diǎn)擊查看更多