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標(biāo)簽 > 硅片
硅片,是制作集成電路的重要材料,通過(guò)對(duì)硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段,可以制成各種半導(dǎo)體器件。在米粒大的硅片上,已能集成16萬(wàn)個(gè)晶體管,這是科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的又一個(gè)里程碑。
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壓阻式傳感器的結(jié)構(gòu)與產(chǎn)品推薦
當(dāng)基片受到外力作用而產(chǎn)生形變時(shí),各電阻值將發(fā)生變化,電橋就會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的不平衡輸出。?用作壓阻式傳感器的基片(或稱膜片)材料主要為硅片和鍺片,硅片為敏感?...
硅是地殼中第二豐富的元素(氧是第一-) 。它天然存在于硅酸鹽(含Si-O)巖石和沙子中。半導(dǎo)體器件制造中使用的元素硅是由高純度石英和石英巖砂生產(chǎn)的,這...
2023-06-30 標(biāo)簽:硅晶圓硅片半導(dǎo)體器件 1522 0
本實(shí)驗(yàn)通過(guò)這兩種清洗方法進(jìn)行標(biāo)識(shí)分為四個(gè)實(shí)驗(yàn)組,進(jìn)行了清洗實(shí)驗(yàn)及室溫接合, 以上工藝除熱處理工藝外,通過(guò)最小化工序內(nèi)部時(shí)間間隔,抑制清洗的基板表面暴露在...
半導(dǎo)體行業(yè)中的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)
最后的拋光步驟是進(jìn)行化學(xué)蝕刻和機(jī)械拋光的結(jié)合,這種形式的拋光稱為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。首先要做的事是,將晶圓片安裝在旋轉(zhuǎn)支架上并且要降低到一個(gè)墊面的高...
硅片形貌效應(yīng)及其與底部抗反射涂層(BARC)沉積策略關(guān)系的解析
硅片形貌效應(yīng)在光刻工藝中十分重要,特別是在現(xiàn)代集成電路制造中,如FinFET等先進(jìn)器件結(jié)構(gòu)以及雙重圖形技術(shù)的廣泛應(yīng)用下,硅片表面的微小不平整性對(duì)光刻結(jié)果...
用于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池應(yīng)用的Na2CO3溶液的硅片紋理化
引言 在太陽(yáng)能電池工業(yè)中,最常見(jiàn)的紋理化方法之一是基于氫氧化鈉或氫氧化鉀的水溶液和異丙醇(IPA)。然而,IPA是有毒的,而且相對(duì)昂貴,因此人們正在努力...
2022-01-05 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池太陽(yáng)能半導(dǎo)體 1424 0
在半導(dǎo)體清洗過(guò)程中,作為取代 現(xiàn)有濕化學(xué)清洗液的新型濕式溶液,將臭氧溶解到純中,被稱為僅次于氟的強(qiáng)氧化劑,是PR去除工藝和雜質(zhì)清洗。這種臭氧水方式的濕洗...
分凝吸雜由雜質(zhì)的溶解度梯度或硅片不同區(qū)域?qū)﹄s質(zhì)的溶解能力不同產(chǎn)生。與釋放機(jī)制不同,分凝吸雜,吸雜區(qū)一般都在器件區(qū)的外邊。
2024-04-01 標(biāo)簽:硅片 1341 0
KRi 考夫曼離子源表面預(yù)清潔 Pre-clean 應(yīng)用
上海伯東代理美國(guó) KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發(fā)系統(tǒng), PLD 脈沖激光系統(tǒng)等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進(jìn)行預(yù)清...
太陽(yáng)能電池?cái)U(kuò)散制結(jié)后的邊緣刻蝕工藝
隧穿氧化物鈍化接觸(TOPCon)技術(shù)仍吸引著光伏行業(yè)生產(chǎn)商的大量關(guān)注。然而,在生產(chǎn)環(huán)節(jié)中,電池會(huì)遇到繞鍍和邊緣漏電流的問(wèn)題。這些現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致電池的光學(xué)和...
2024-07-27 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池測(cè)試儀硅片 1122 0
光伏行業(yè)對(duì)硅片的自動(dòng)檢測(cè)有巨大需求
光伏行業(yè)一直是比拼技術(shù)實(shí)力的戰(zhàn)場(chǎng)。 政策驅(qū)動(dòng)“中國(guó)制造”向“中國(guó)智造”的轉(zhuǎn)型之路上,新能源領(lǐng)域中的光伏行業(yè)占比不斷提升,國(guó)產(chǎn)化發(fā)展迅猛,這得益于光伏整個(gè)...
光伏多晶硅是一種用于制造太陽(yáng)能電池的材料,其分片過(guò)程是將整塊的多晶硅切割成適合制造太陽(yáng)能電池的小塊。這個(gè)過(guò)程對(duì)于提高太陽(yáng)能電池的效率和降低成本至關(guān)重要。...
2024-09-20 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池光伏多晶硅硅片 1029 0
本文回顧了硅片視覺(jué)檢測(cè)從EL檢測(cè)向PL檢測(cè)的技術(shù)轉(zhuǎn)變,詳細(xì)介紹了兩款革命性光源的崛起,包括1050nm紅外光源和低成本PL光源。這兩款光源以其低成本和高...
2023-08-07 標(biāo)簽:硅片視覺(jué)檢測(cè)紅外光源 1023 0
降銀耗新技術(shù):銀包銅漿料的低成本、高可靠性與環(huán)境適應(yīng)性分析
研究背景HJT太陽(yáng)電池因其高能量轉(zhuǎn)換效率、較少的制造工序、較低的制備溫度和更優(yōu)的溫度系數(shù)而受到廣泛關(guān)注。HJT太陽(yáng)電池的低溫制備特性限制了漿料的選擇,導(dǎo)...
2025-02-24 標(biāo)簽:太陽(yáng)電池硅片 928 0
專用集成電路(Application Specific Integrated Circuit,簡(jiǎn)稱ASIC)是一種針對(duì)特定應(yīng)用設(shè)計(jì)和制造的集成電路。與通...
2024-04-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料硅片數(shù)字信號(hào)處理器 768 0
美國(guó)進(jìn)口 KRi 考夫曼離子源 KDC 160 硅片刻蝕清潔案例
上海伯東美國(guó) KRi 大尺寸考夫曼離子源 KDC 160 適用于 2-4英寸的硅片刻蝕和清潔應(yīng)用, KRi KDC 160 是直流柵網(wǎng)離子源, 高輸出離...
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