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標簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

碳化硅功率模塊封裝中的4個關(guān)鍵問題

耐溫更高:可以廣泛地應(yīng)用于溫度超過600 ℃的高溫工況下,而 Si 基器件在 600 ℃左右時,由于超過其耐熱能力而失去阻斷作用。碳化硅極大提高了功率器...

2022-05-06 標簽:封裝功率密度碳化硅 4135 0

碳化硅為第三代半導體材料,引領(lǐng)功率及射頻領(lǐng)域革新

SiC MOSFET 較 IGBT 可同時具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢。1)碳化硅擊穿電場強度是硅的十余倍,使得碳化硅器件耐高壓特性顯著高于同等硅器件。

2022-08-23 標簽:半導體材料SiC碳化硅 4134 0

深圳第三代半導體研究院正式啟動

3月31日,在深圳市委市政府的大力支持下,由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、基本半導體和南方科技大學等單位發(fā)起共建的深圳第三代半導體研究院在五洲賓館宣...

2018-04-02 標簽:半導體功率器件碳化硅 4108 0

國內(nèi)主要碳化硅襯底廠商產(chǎn)能現(xiàn)狀

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國內(nèi)主要的碳化硅襯底供應(yīng)商包括天岳先進、天科合達、爍科晶體、東尼電子和河北同光等。三安光電走IDM路線,覆蓋襯底、外延、芯片、封裝等環(huán)節(jié)。部分廠商還自研...

2024-01-12 標簽:功率器件半導體材料碳化硅 4094 0

碳化硅和氮化鎵的特性、優(yōu)勢及應(yīng)用范圍

與硅相比,SiC和GaN(不僅作為寬帶隙半導體,而且作為材料本身)在品質(zhì)因數(shù)(εμeEc3)方面顯示出其出色的性能水平:SiC高440倍,GaN高1130倍。

2022-12-16 標簽:氮化鎵碳化硅 4080 0

第三代半導體市場前景良好,將催生上萬億元潛在市場

在日前于南京舉辦的世界半導體大會第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上,與會專家紛紛表示,近年來我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程較快,基本形成了從晶體生長到器件研發(fā)...

2020-10-09 標簽:半導體碳化硅 4079 0

氮化鎵行業(yè)發(fā)展前景如何?

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氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵:碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢,適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達等領(lǐng)域;硅基氮化...

2023-02-10 標簽:氮化鎵碳化硅5G基站 4076 0

Cree將于2021年底正式更名為Wolfspeed

Cree是碳化硅(SiC)領(lǐng)域的龍頭。Cree Wolfspeed產(chǎn)品組合包括了碳化硅(SiC)材料、功率器件、射頻器件,廣泛應(yīng)用于電動汽車、快速充電、...

2021-03-03 標簽:Cree功率器件碳化硅 4048 0

解決里程焦慮?主驅(qū)、OBC需求差異?失效風險?碳化硅上車背后的那些事

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)今年以來,碳化硅(SiC)上車的節(jié)奏明顯加快了,搭載SiC電機驅(qū)動模塊,或是SiC OBC的新車型陸續(xù)上市,比如蔚來ET5...

2022-10-24 標簽:安森美半導體碳化硅派恩杰 4040 0

重磅!英飛凌發(fā)布新一代碳化硅器件方案,助力低碳化和數(shù)字化目標達成

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7月8日到10日,在慕尼黑上海電子展E4館內(nèi),英飛凌展示了第三代半導體的產(chǎn)品解決方案。記者探訪展臺的時候,看到如下方案:一是新一代碳化硅技術(shù)CoolSi...

2024-07-22 標簽:英飛凌新能源汽車SiC 4033 0

上海市政府就中科鋼研先進晶體產(chǎn)業(yè)化項目簽訂合作協(xié)議

為了構(gòu)筑新時代戰(zhàn)略優(yōu)勢,更好地服務(wù)改革發(fā)展大局,國務(wù)院國資委與上海市政府深化合作共同推進落實國家戰(zhàn)略合作簽約儀式于9月5日下午在上海隆重舉行,上海市委書...

2019-09-16 標簽:碳化硅 4029 0

CISSOID和中科院電工所建立戰(zhàn)略合作關(guān)系 推動碳化硅功率器件廣泛應(yīng)用

各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID日前宣布:公司已與中國科學院電工研究所(簡稱中科院電工所)達成戰(zhàn)略合作關(guān)系,將共同開展基于碳化硅(Si...

2019-06-11 標簽:CISSOID中科院碳化硅 4005 0

如何通過燃料電池堆棧將氫能轉(zhuǎn)換成電能

同時氫的“熱”能量約為汽油的3倍,可同時實現(xiàn)高效、清潔、可持續(xù)的“零碳”,更適用于大卡車、巴士、以及大型輪船等長距離移動出行工具。

2022-02-17 標簽:傳感器半導體碳化硅 3995 0

碳化硅PCB:新能源汽車的最佳選擇

隨著國家政策的扶持,車聯(lián)網(wǎng)及智能駕駛汽車逐步推廣。并且全球主要國家禁售燃油車進程加快,新能源汽車替代燃油車已成大勢所趨。2017年9月8日至10日,在天...

2020-12-11 標簽:新能源汽車pcb碳化硅 3978 0

碳化硅二極管的優(yōu)點和局限性分析

碳化硅二極管的優(yōu)點和局限性分析 碳化硅(SiC)二極管是一種新型半導體材料,在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,碳化硅二極管...

2023-12-21 標簽:二極管半導體擊穿電壓 3964 0

Cree將投資10億美元 擴大SiC碳化硅產(chǎn)能

2019年5月7日,美國北卡羅萊納州達勒姆訊 – Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,作為公司長期增長戰(zhàn)略的一部分,將投資10億美...

2019-05-10 標簽:Cree碳化硅 3960 0

第三代半導體將迎來應(yīng)用大爆發(fā)?

日前,阿里巴巴達摩院預(yù)測了2021年科技趨勢,其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導體將迎來應(yīng)用大爆發(fā)。第三代半導體與前兩代有什么不同?為何...

2021-01-07 標簽:半導體氮化鎵碳化硅 3948 0

淺談碳化硅半導體的兩大優(yōu)勢

與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān),從而提供了簡化和可靠的系統(tǒng)布局。

2022-04-07 標簽:電源半導體碳化硅 3942 0

蘋果已通知供應(yīng)商,iPhone 13需求已經(jīng)減弱;博世宣布12月啟動碳化硅芯片量產(chǎn)……

豐田擬在華推新電動汽車 采用比亞迪電池和工程技術(shù) ? 據(jù)外媒報道,豐田汽車公司將于明年底在中國推出一款全電動小型轎車,該公司已向當?shù)睾献骰锇楸葋喌蠈で箨P(guān)...

2021-12-05 標簽:智能手機蘋果碳化硅 3925 0

集成電路訂單突破億級,2019年海特高新營業(yè)收入同比增加55.52%

海特高新發(fā)布2019年業(yè)績快報稱,公司實現(xiàn)營業(yè)收入80,187.88萬元,較上年同期增加55.52%;實現(xiàn)歸屬于上市公司股東凈利潤7,549.26萬元,...

2020-02-29 標簽:集成電路碳化硅 3914 0

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    CC2541
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    CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) (SoC) 解決方案。
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