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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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軍用、航空系統(tǒng)從 GaN 和 SiC 功率器件中獲得巨大提升
現(xiàn)在,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料滿足了軍事和航空航天系統(tǒng)對(duì)更高功率密度和改進(jìn)冷卻的巨大需求,這讓這兩個(gè)行...
2022-07-28 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅軍事應(yīng)用 3909 0
在電動(dòng)汽車的牽引逆變器中,供電分為12V低壓電源和400/800V高壓供電。其中高壓供電送至牽引逆變器,進(jìn)行DC-AC逆變,產(chǎn)生三相交流電,驅(qū)動(dòng)電機(jī)旋轉(zhuǎn)...
2021-06-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車轉(zhuǎn)換器逆變器 3906 0
碳化硅的發(fā)現(xiàn)將會(huì)成為更高效的半導(dǎo)體材料
在功率電子學(xué)中,半導(dǎo)體基于元素硅 - 但碳化硅的能量效率會(huì)高得多。巴塞爾大學(xué)的物理學(xué)家,Paul Scherrer研究所和ABB在科學(xué)期刊“應(yīng)用物理快報(bào)...
國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET為什么遲遲還未上車?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)SiC在電動(dòng)汽車電驅(qū)模塊上的應(yīng)用,隨著市場(chǎng)對(duì)電動(dòng)汽車長(zhǎng)續(xù)航、高壓電氣架構(gòu)、快充等需求,正在加速普及。 ? 傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由...
Cree宣布將投資10億美元用于擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能
Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe先生表示:“我們不斷地看到在汽車和通訊設(shè)施領(lǐng)域采用碳化硅的優(yōu)勢(shì)來(lái)驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新所產(chǎn)生的巨大效益。但是,現(xiàn)有的供應(yīng)卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)不...
2019-05-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車Cree碳化硅 3886 0
先進(jìn)的混合動(dòng)力總成管理控制系統(tǒng)通常面臨著高度復(fù)雜的需求,本文評(píng)述了新材料解決方案和互聯(lián)技術(shù)將如何提升系統(tǒng)效率,以及如何實(shí)現(xiàn)具有較強(qiáng)預(yù)測(cè)功能的管理過程。 ...
2021-08-09 標(biāo)簽:內(nèi)燃機(jī)碳化硅電驅(qū)動(dòng) 3880 0
第三代半導(dǎo)體行業(yè)拐點(diǎn)已至,瀚薪獨(dú)創(chuàng)整合型碳化硅JMOSFET結(jié)構(gòu)技術(shù)
? 第三代半導(dǎo)體主要指以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料,它具有寬禁帶、耐高壓、耐高溫、大電流、導(dǎo)熱好、高頻率等獨(dú)特性能和優(yōu)勢(shì)。第三代半導(dǎo)體目前主...
車載充電機(jī)的輸入端,以標(biāo)準(zhǔn)充電接口的形式固定在車體上,用于連接外部電源。車載充電機(jī)的輸出端,直接連接動(dòng)力電池包慢充電接口。中華人民共和國(guó)汽車行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《Q...
解決電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航痛點(diǎn),碳化硅借勢(shì)而起
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))在政策利好與自然資源緊張的驅(qū)使下,電動(dòng)汽車的發(fā)展步入了正軌。隨著電動(dòng)汽車基礎(chǔ)配套設(shè)施的不斷完善,以及技術(shù)的成熟,電動(dòng)汽車在近...
2022-02-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車碳化硅碳化硅MOSFET 3873 0
志橙半導(dǎo)體創(chuàng)業(yè)板IPO受理!CVD碳化硅零部件市占中國(guó)第五,募資8億研發(fā)SiC材料等
電子發(fā)燒友 網(wǎng)報(bào)道(文 / 劉靜) 6 月 26 日,深圳市志橙半導(dǎo)體材料股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱: 志橙半導(dǎo)體)創(chuàng)業(yè)板 IPO 申請(qǐng)獲受理。 志橙半導(dǎo)體...
2023-06-29 標(biāo)簽:碳化硅志橙半導(dǎo)體 3872 0
英飛凌發(fā)布2021財(cái)年第四季度及全年財(cái)報(bào),業(yè)績(jī)創(chuàng)下新紀(jì)錄
英飛凌科技股份公司公布了截至2021年9月30日的2021財(cái)年第四季度及全年業(yè)績(jī)。
浙江省首個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)能將達(dá)8萬(wàn)片
2018年,中電化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶在杭州灣新區(qū)。目前,該項(xiàng)目的6英寸碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片已進(jìn)入客戶認(rèn)證階段。預(yù)計(jì)最快明年便能實(shí)現(xiàn)量...
長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目廠區(qū)“心臟”封頂
據(jù)公告介紹,該項(xiàng)目包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,包括長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈,投資總額160億元。
新能源汽車800V高壓超充風(fēng)口將至!重金投資160億,三安光電碳化硅產(chǎn)線快速推進(jìn)
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 今年,標(biāo)配800V高壓充電的新能源汽車成為市場(chǎng)主流,小鵬G9配備了800V超充,充電5分鐘就可以跑200KM,技術(shù)上又進(jìn)步了,...
中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目將確保本年9月份竣工投產(chǎn) 建成后將使我國(guó)擺脫碳化硅晶體襯底片依賴進(jìn)口的尷
據(jù)青島日?qǐng)?bào)報(bào)道,中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目負(fù)責(zé)人張翠榮表示,將按照萊西市‘掛圖作戰(zhàn)’的門路圖,以作戰(zhàn)姿態(tài)盡力推進(jìn),確保本年9月份竣工投產(chǎn)。
碳化硅襯底:寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料,到底貴在哪里?
在碳化硅襯底的制備原料里,以2021年為例,石墨件成本占比為45.21%,石墨氈占比為41.32%,占據(jù)了原料成本的86.53%,相對(duì)比與碳粉、硅粉占比...
隨著汽車電動(dòng)化趨勢(shì)的崛起,2021年新賣出的車輛中,電動(dòng)汽車已經(jīng)占據(jù)了5%的份額。據(jù)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)預(yù)估,到2030年電動(dòng)汽車的份額將超過30%,上路的電動(dòng)汽車...
全面提升!英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC MOSFET G2
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù),據(jù)官方介紹,這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù),相比上一代...
基于碳化硅技術(shù)的汽車充電方案布局加速!廣汽等4家企業(yè)采用
2024年以來(lái),包括廣汽集團(tuán)等4家企業(yè)均推出了基于碳化硅技術(shù)的汽車充電方案,意味著碳化硅有望在充電基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用
2024-01-29 標(biāo)簽:SiCdcdc轉(zhuǎn)換器碳化硅 3690 0
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