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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

氮化硅陶瓷軸承——電驅(qū)時代軸承材料最優(yōu)解

IGBT是新能源汽車電機(jī)控制系統(tǒng)的核心器件,約占電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)成本的一半,而電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)占整車成本的15-20%,也就是說IGBT占整車成本的7-10%,...

2023-03-17 標(biāo)簽:IGBT碳化硅氮化硅 3281 0

安森美收購Qorvo碳化硅業(yè)務(wù),碳化硅行業(yè)即將進(jìn)入整合趨勢?

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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)安森美在12月10日宣布,已經(jīng)與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) ...

2024-12-15 標(biāo)簽:安森美碳化硅 3259 0

國產(chǎn)SIC MOSFET功率器件推出1200V大電流MOSFET獲得車規(guī)認(rèn)證

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2022年11月,上海瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101),該產(chǎn)品為TO247...

2023-03-22 標(biāo)簽:MOSFET封裝SiC 3254 0

直接觀測單缺陷聲子譜!

該工作中,研究者們選取了3C相(立方相)碳化硅中廣泛存在的層錯結(jié)構(gòu)作為研究對象。通過旋轉(zhuǎn)樣品,電子顯微鏡可以從側(cè)面觀測碳化硅的層錯缺陷,從而在空間上區(qū)分...

2021-01-14 標(biāo)簽:電子顯微鏡碳化硅 3248 0

碳化硅元件潛力大 IDM到硅晶圓廠爭相擴(kuò)大布局

目前全球 95% 以上的半導(dǎo)體元件,都是以第一代半導(dǎo)體材料硅作為基礎(chǔ)功能材料,主要應(yīng)用在資訊與微電子產(chǎn)業(yè),不過,隨著電動車、5G 等新應(yīng)用興起,推升高頻...

2020-03-23 標(biāo)簽:晶圓碳化硅 3223 0

天域半導(dǎo)體將用6.3公頃來用于建設(shè)半導(dǎo)體科技項(xiàng)目

近日,東莞松山湖管委會公布了《東莞市生態(tài)園2022年度土地征收成片開發(fā)方案》,內(nèi)容顯示擬征地6.316公頃,將被用于保障天域半導(dǎo)體科技有限公司所建設(shè)的半...

2022-04-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅 3221 0

未來功率元件會越來越依賴碳化硅?

低耗能、高效率與小型化,已經(jīng)成為電子產(chǎn)品發(fā)展的三大主流趨勢。只不過,這三大課題偏偏卻正是最令研發(fā)人員頭疼的問題。

2018-10-11 標(biāo)簽:碳化硅功率元件 3211 0

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢

什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC...

2023-02-21 標(biāo)簽:二極管SiC碳化硅 3167 0

希科半導(dǎo)體引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時代

國產(chǎn)之光??瓢雽?dǎo)體: 引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時代 ??瓢雽?dǎo)體科技(蘇州)有限公司 碳化硅外延片新聞發(fā)布 暨投產(chǎn)啟動儀式圓滿成功 中國蘇州,2022年11...

2022-11-29 標(biāo)簽:SiC碳化硅外延片 3161 0

東芝碳化硅芯片產(chǎn)能擴(kuò)大10倍 電動汽車成主要驅(qū)動力!

東芝碳化硅芯片產(chǎn)能擴(kuò)大10倍 電動汽車成主要驅(qū)動力!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)近年來,電動汽車產(chǎn)銷量不斷增長,同時越來越多車企將碳化硅產(chǎn)品用于電動汽車上,碳化硅功率半導(dǎo)體的未來市場被極度看好,為此,近...

2021-12-09 標(biāo)簽:電動汽車東芝碳化硅 3161 0

2024年中國碳化硅晶圓產(chǎn)能,或超全球總產(chǎn)能的50%

2024年中國碳化硅晶圓產(chǎn)能,或超全球總產(chǎn)能的50%

天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能,目前這些中國企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為6萬片。隨著各公司產(chǎn)能釋放,預(yù)計2024年月產(chǎn)能將達(dá)到...

2023-11-24 標(biāo)簽:晶圓代工SiC碳化硅 3151 0

SiC MOSFET碳化硅芯片的設(shè)計和制造

SiC MOSFET碳化硅芯片的設(shè)計和制造

來源:碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言,高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到,高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到,可是這只是具備了獲...

2023-04-07 標(biāo)簽:芯片碳化硅 3151 0

半導(dǎo)體設(shè)備廠商邑文科技開啟上市輔導(dǎo)

近日,證監(jiān)會公開披露了無錫邑文微電子科技股份有限公司(簡稱“邑文科技”)的首次公開發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報告。海通證券已經(jīng)與邑文科技簽訂了相關(guān)的上市輔導(dǎo)...

2024-02-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 3151 0

國內(nèi)外碳化硅產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)比對分析

國內(nèi)外碳化硅產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)比對分析

碳化硅具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場高、介電常數(shù)低及化學(xué)穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點(diǎn),是具有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ牡谌滦桶雽?dǎo)體材料。

2024-01-24 標(biāo)簽:SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3145 0

中科鋼研青島集成電路制造項(xiàng)目將在9月竣工

中科鋼研在青島建有集成電路制造項(xiàng)目,該項(xiàng)目入選了2019年青島市重點(diǎn)項(xiàng)目。

2020-03-16 標(biāo)簽:集成電路碳化硅 3145 0

功率SiC大事件! 英飛凌在馬來西亞啟動全球最大碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

功率SiC大事件! 英飛凌在馬來西亞啟動全球最大碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

8月8日,全球推進(jìn)低碳化的舉措拉動了對功率半導(dǎo)體的市場需求。順應(yīng)這一趨勢,英飛凌科技股份公司宣布,其位于馬來西亞的新晶圓廠一期項(xiàng)目正式啟動運(yùn)營,建設(shè)完成...

2024-08-09 標(biāo)簽:電動汽車英飛凌晶圓 3129 0

何謂碳化硅?

何謂碳化硅?

碳化硅(SiC)是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始,了解一下它的物理特性和特征。

2023-01-09 標(biāo)簽:SiC碳化硅 3120 0

ST第三代碳化硅(SiC)推動電動汽車新發(fā)展

意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅(SiC)功率器件,提升了產(chǎn)品性能和可靠性,保持慣有領(lǐng)先地位,更加適合電動汽車和高能效工業(yè)應(yīng)用

2021-12-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體ST碳化硅 3116 0

海外大廠搶灘2023,國內(nèi)企業(yè)加速追趕碳化硅襯底8英寸節(jié)點(diǎn)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)襯底產(chǎn)能在近年成為了碳化硅行業(yè)痛點(diǎn),隨著電力電子行業(yè),包括電動汽車、光伏、儲能、風(fēng)電等新能源應(yīng)用市場的發(fā)展,碳化硅功率器件...

2022-09-07 標(biāo)簽:碳化硅 3114 0

布局碳基“芯”賽道,特思迪攜手CarbonSemi共繪碳基“芯”版圖

2023年對于特思迪來說,可謂是“厚積薄發(fā)”的一年。“相比2022年,特思迪營收增長了81.5%,實(shí)現(xiàn)公司連續(xù)4年的年均收入增長率高于80%的高增速;

2024-04-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓MEMS技術(shù) 3087 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力,將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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