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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈成本大幅下降,市場迎來新變革
近期市場消息指出,中國新能源汽車和光伏市場的快速發(fā)展,推動了碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)鏈在技術(shù)迭代和產(chǎn)能擴充上的加速。這一趨勢導(dǎo)致SiC產(chǎn)業(yè)鏈中的多個環(huán)節(jié)成本...
方正微電子:2025年將實現(xiàn)16.8萬片/年車規(guī)SiC MOS產(chǎn)能
近日,方正微電子發(fā)布了其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新進展。作為該領(lǐng)域的IDM(垂直整合制造)企業(yè),方正微電子目前擁有兩個fab(制造工廠)。
作為全球燒結(jié)銀的領(lǐng)航者,善仁新材重“芯“出發(fā),再次開發(fā)出引領(lǐng)燒結(jié)銀行業(yè)的革命----推出裸硅芯片的無壓燒結(jié)銀AS9332,此款燒結(jié)銀得到客戶的廣泛認(rèn)可。
意法半導(dǎo)體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標(biāo)桿。在滿足汽...
2024-10-12 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體碳化硅 1358 0
意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代SiC MOSFET技術(shù)
意法半導(dǎo)體(簡稱ST)近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù),標(biāo)志著公司在高效能半導(dǎo)體領(lǐng)域又邁出了重要一步。此次推出的第四代...
2024-10-10 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體SiC碳化硅 1243 0
泰國近日宣布將建立首家碳化硅(SiC)晶圓工廠,標(biāo)志著該國在半導(dǎo)體行業(yè)邁出了重要一步。據(jù)悉,該工廠預(yù)計將于2027年正式投入運營,有望為泰國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
納微半導(dǎo)體第三代快速碳化硅獲AEC Q101車規(guī)認(rèn)證
納微半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)近日宣布推出符合車規(guī)認(rèn)證的D2PAK-7L (TO-263-7)和標(biāo)貼TOLL封裝的第三代快速碳化硅MOSFET...
2024-10-10 標(biāo)簽:電動汽車碳化硅納微半導(dǎo)體 757 0
廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司近日宣布成功完成約十億元人民幣的A輪融資,標(biāo)志著公司在半導(dǎo)體領(lǐng)域的快速發(fā)展邁出了堅實的一步。本輪融資由粵財基金管理的廣東省集成電...
瞻芯電子交付碳化硅(SiC)MOSFET逾千萬顆 產(chǎn)品長期可靠性得到驗證
來源:瞻芯電子 近日,自2020年正式發(fā)布第一代碳化硅(SiC) MOSFET產(chǎn)品以來,瞻芯電子累計交付SiC MOSFET產(chǎn)品1000萬顆以上,其中包...
碳化硅JBS二極管 結(jié)勢壘肖特基二極管 UIS前沿感性負(fù)載開關(guān)能力顯著:開關(guān)損耗降低60%
華芯邦科技已推出了以碳化硅為基礎(chǔ)的MOSFET和碳化硅JBS二極管(結(jié)勢壘肖特基二極管)。JBS是一種高性能的功率二極管,結(jié)合了肖特基二極管(SBD)和...
2024-09-26 標(biāo)簽:二極管負(fù)載開關(guān)UIS 818 0
全球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (美國紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 于近日宣布了碳化硅芯片制造工廠和材料制造工廠近期關(guān)鍵性進展。
碳化硅(SiC)肖特基二極管行業(yè)全景調(diào)研及投資價值戰(zhàn)略咨詢報告
根據(jù)Global Info Research項目團隊最新調(diào)研,預(yù)計2030年全球碳化硅 (SiC) 肖特基二極管產(chǎn)值達到2249百萬美元,2024-20...
碳化硅電力電子行業(yè)全景調(diào)研及投資價值戰(zhàn)略咨詢報告
根據(jù)Global Info Research項目團隊最新調(diào)研,預(yù)計2030年全球碳化硅電力電子產(chǎn)值達到12580百萬美元,2024-2030年期間年復(fù)合...
低功耗碳化硅 MOSFET 的發(fā)展 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片
一、前言隨著電動汽車的發(fā)展,汽車功率器件芯片也正在尋求能夠有效處理更高工作電壓和溫度的組件。此時碳化硅MOSFET成為牽引逆變器等電動汽車構(gòu)建模塊的首選...
碳化硅 (SiC) 與氮化鎵 (GaN)應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝,WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點:1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)在帶隙和...
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證
近日,基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證,產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車...
合盛新材料8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項目全線貫通
合盛硅業(yè)旗下寧波合盛新材料有限公司近日傳來振奮人心的消息,其8英寸導(dǎo)電型4H-SiC(碳化硅)襯底項目已圓滿實現(xiàn)全線貫通,標(biāo)志著公司在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)...
半導(dǎo)體行業(yè)迎來重要合作新篇章,世界先進與漢磊科技近日宣布達成戰(zhàn)略合作協(xié)議,共同瞄準(zhǔn)化合物半導(dǎo)體碳化硅(SiC)8英寸晶圓領(lǐng)域,攜手推動技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造...
全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項重大技術(shù)創(chuàng)新,成功推出了一款專為可再生能源、儲能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計的碳化硅模塊。這款...
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