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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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可靠性、創(chuàng)新、整體解決方案……碳化硅的新高度
對碳化硅 (SiC) 技術(shù)的需求持續(xù)增長,該技術(shù)可最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率,同時減小其尺寸、重量和成本。但是 SiC 解決方案并不是硅的直接替代...
碳化硅 (SiC) FET 推動電力電子技術(shù)發(fā)展
甲碳化硅(SiC) JFET是一結(jié)基于常導(dǎo)通晶體管類型,它提供了最低的導(dǎo)通電阻R DS(ON)的每單位面積和是一個強大的設(shè)備。與傳統(tǒng) MOSFET 器件...
設(shè)計人員當(dāng)然對碳化硅感興趣,因為它具有潛力。這種潛力包括:在不損失效率的情況下實現(xiàn)高頻開關(guān)——這意味著更快的開關(guān)和 更低的開關(guān)損耗。 導(dǎo)通電阻 (RDS...
該報告還強調(diào)了分布式光伏發(fā)電系統(tǒng)的重要性,因為消費者、商業(yè)建筑和工業(yè)設(shè)施開始自行發(fā)電。它預(yù)測,到 2024 年,分布式光伏總發(fā)電量將翻一番以上,超過 5...
能源效率不斷需要進(jìn)一步優(yōu)化:這促使工業(yè)市場尋求不同的資源。 現(xiàn)在的半導(dǎo)體主要用硅和鍺生產(chǎn)。碳化硅 (SiC)已成為處理新型寬帶隙時最重要的資源,這要歸功...
在過去的四年里,由于采用了更好的設(shè)計和制造工藝,以及高質(zhì)量材料的可用性,基于硅技術(shù)的功率器件取得了重大進(jìn)展。然而,大多數(shù)商用功率器件現(xiàn)在正接近硅提供的理...
碳化硅和氮化鎵技術(shù)正在徹底改變汽車、工業(yè)、航空航天和國防領(lǐng)域的電源應(yīng)用
半導(dǎo)體器件的最終應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹄娫磻?yīng)用的硅替代品的要求越來越高: 硅 Mosfets 的開關(guān)電阻太高,無法達(dá)到 SiC(碳化硅)提供的 99% 的轉(zhuǎn)換效率。...
我們知道,技術(shù)教育不僅需要理論知識,還需要實踐知識和動手經(jīng)驗,讓學(xué)生在電路層面理解更深層次的概念。2 Labs 實際上幫助學(xué)生理解諸如電路設(shè)計概念之類的...
目前,標(biāo)準(zhǔn)硅器件仍占電力電子市場的大部分。雖然許多公司正在開發(fā)新的電路拓?fù)湟蕴岣吖杵骷男?,尤其是三電平拓?fù)?,但新的碳化硅解決方案正在作為一種新的半導(dǎo)...
WolfPACK 功率模塊的性能優(yōu)于基于硅的功率器件
碳化硅 (SiC) 是一種寬帶隙半導(dǎo)體,近年來已成功應(yīng)用于多種電源應(yīng)用,與基于硅技術(shù)的傳統(tǒng)組件相比,表現(xiàn)出卓越的品質(zhì)?;?SiC 的功率分立器件具有相...
功率半導(dǎo)體是實現(xiàn)節(jié)能世界的關(guān)鍵。碳化硅和氮化鎵等新技術(shù)可實現(xiàn)更高的功率效率、更小的外形尺寸和更輕的重量。尤其是碳化硅是一種寬帶隙材料,能夠克服傳統(tǒng)硅基功...
2022-08-04 標(biāo)簽:三菱電機功率半導(dǎo)體碳化硅 693 0
CISSOID 最近發(fā)布了專為降低開關(guān)損耗或提高功率而定制的新型液冷模塊,屬于其三相碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模塊 (IPM) 產(chǎn)品系列。
2022-08-04 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器碳化硅SiC MOSFET 2161 0
與類似的硅器件相比,碳化硅技術(shù)提供了卓越的開關(guān)和改進(jìn)的熱性能。這轉(zhuǎn)化為更高的效率、更高的功率密度、更好的電磁干擾 (EMI) 以及減小的系統(tǒng)尺寸和重量。
電力電子涉及從電氣化到智能電網(wǎng)的一系列關(guān)鍵應(yīng)用。它是整個行業(yè)滿足氣候變化需求的基本支柱,涉及提高能源效率、通過新材料減少我們的碳足跡以及采用新的電路拓?fù)洹?/p>
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