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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

      文章：2529個(gè) 瀏覽：50420次 帖子：38個(gè)

      碳化硅資訊

      年產(chǎn)11萬(wàn)的國(guó)宏中能碳化硅襯底片項(xiàng)目將完成設(shè)備安裝

      據(jù)大眾網(wǎng)報(bào)道，山東國(guó)宏中能年產(chǎn)11萬(wàn)片碳化硅襯底片項(xiàng)目將于7月底完成一期建筑工程，9月份完成設(shè)備安裝，10月份進(jìn)入設(shè)備調(diào)試階段。

      2020-04-17 標(biāo)簽：碳化硅 2474 0

      露笑科技募資不超過(guò)10億元用于多個(gè)碳化硅項(xiàng)目 將加強(qiáng)公司在碳化硅方面的基礎(chǔ)研究以及新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)能力

      露笑科技募資不超過(guò)10億元用于多個(gè)碳化硅項(xiàng)目 將加強(qiáng)公司在碳化硅方面的基礎(chǔ)研究以及新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)能力

      4月12日，露笑科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“露笑科技”）發(fā)布2020年度非公開(kāi)發(fā)行股票預(yù)案。

      2020-04-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 3046 0

      深圳基本半導(dǎo)體碳化硅結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管專利

      深圳基本半導(dǎo)體碳化硅結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管專利

      深圳基本半導(dǎo)體的該項(xiàng)專利技術(shù)可以使得器件芯片區(qū)的面積利用率更高，獲得更大的面積因子，從而提高器件的正向電流密度，并且沒(méi)有對(duì)器件中其他電學(xué)特性造成影響。

      2020-04-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 2633 0

      新型工藝研究，將3D打印結(jié)合碳化硅結(jié)構(gòu)應(yīng)用

      新型工藝研究，將3D打印結(jié)合碳化硅結(jié)構(gòu)應(yīng)用

      碳化硅（SiC）具有良好的抗熱震性和化學(xué)穩(wěn)定性，因此在高溫和極端條件下具有良好的應(yīng)用前景，在工程陶瓷領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，如軸承、燃?xì)廨啓C(jī)和以及換熱器等。...

      2020-04-01 標(biāo)簽：碳化硅3d打印 4628 0

      碳化硅元件潛力大 IDM到硅晶圓廠爭(zhēng)相擴(kuò)大布局

      目前全球 95% 以上的半導(dǎo)體元件，都是以第一代半導(dǎo)體材料硅作為基礎(chǔ)功能材料，主要應(yīng)用在資訊與微電子產(chǎn)業(yè)，不過(guò)，隨著電動(dòng)車、5G 等新應(yīng)用興起，推升高頻...

      2020-03-23 標(biāo)簽：晶圓碳化硅 3214 0

      安森美提供的高質(zhì)量CrystX?碳化硅將幫助工程師解決最獨(dú)特的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

      GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），宣布執(zhí)行一項(xiàng)...

      2020-03-19 標(biāo)簽：安森美碳化硅 2862 0

      Microchip擴(kuò)展碳化硅（SiC）電源器件系列產(chǎn)品，助力在系統(tǒng)層面優(yōu)化效率、尺寸和可靠性

      基于SBD的700V、1200V和1700V電源模塊可最大程度地提升開(kāi)關(guān)效率、減少溫升和縮小系統(tǒng)尺寸。

      2020-03-19 標(biāo)簽：microchip電源器件碳化硅 1078 0

      天科合達(dá)的高質(zhì)量SiC晶體生長(zhǎng)方法

      天科合達(dá)的高質(zhì)量SiC晶體生長(zhǎng)方法

      天科合達(dá)的該項(xiàng)專利提出的改進(jìn)物理物理氣相傳輸法工藝所生成的碳化硅芯片質(zhì)量遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)方式生成的芯片。

      2020-03-18 標(biāo)簽：SiC碳化硅 8610 0

      中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目將確保本年9月份竣工投產(chǎn) 建成后將使我國(guó)擺脫碳化硅晶體襯底片依賴進(jìn)口的尷

      據(jù)青島日?qǐng)?bào)報(bào)道，中科鋼研集成電路產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目負(fù)責(zé)人張翠榮表示，將按照萊西市‘掛圖作戰(zhàn)’的門路圖，以作戰(zhàn)姿態(tài)盡力推進(jìn)，確保本年9月份竣工投產(chǎn)。

      2020-03-17 標(biāo)簽：集成電路碳化硅 3816 0

      中科鋼研青島集成電路制造項(xiàng)目將在9月竣工

      中科鋼研在青島建有集成電路制造項(xiàng)目，該項(xiàng)目入選了2019年青島市重點(diǎn)項(xiàng)目。

      2020-03-16 標(biāo)簽：集成電路碳化硅 3132 0

      江蘇超芯星天使輪融資完成，首創(chuàng)大尺寸擴(kuò)徑技術(shù)

      據(jù)江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)介紹，超芯星半導(dǎo)體于2019年4月落戶江蘇儀征經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)，是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體企業(yè)，致力于6英寸碳化硅襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

      2020-03-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 2232 0

      意法半導(dǎo)體收購(gòu)氮化鎵創(chuàng)新企業(yè)Exagan的多數(shù)股權(quán)

      此次收購(gòu)將大幅提高意法半導(dǎo)體在汽車、工業(yè)和消費(fèi)級(jí)高頻大功率GaN的技術(shù)積累、擴(kuò)大其開(kāi)發(fā)計(jì)劃和業(yè)務(wù)。

      2020-03-06 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 1222 0

      CISSOID宣布推出用于電動(dòng)汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊

      內(nèi)置的柵極驅(qū)動(dòng)器包括3個(gè)板載隔離電源（每相1個(gè)），可提供每相高達(dá)5W的功率，從而可以在高達(dá)125°C的環(huán)境溫度下輕松驅(qū)動(dòng)頻率高達(dá)25KHz的功率模塊。

      2020-03-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFETCISSOID 1754 0

      中國(guó)電科碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地舉行投產(chǎn)儀式 預(yù)計(jì)形成產(chǎn)值100億元

      2月28日，中國(guó)電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地舉行投產(chǎn)儀式。

      2020-03-02 標(biāo)簽：碳化硅中國(guó)電科 3381 0

      中國(guó)電科碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地開(kāi)始投產(chǎn)，年產(chǎn)值可達(dá)10億元

      中國(guó)電科黨組書(shū)記、董事長(zhǎng)熊群力指出，中國(guó)電科（山西）電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園是中國(guó)電科圍繞半導(dǎo)體材料、裝備制造產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域在晉的戰(zhàn)略布局。

      2020-03-02 標(biāo)簽：碳化硅 5634 0

      碳化硅功率器件下一站關(guān)鍵點(diǎn)將在電動(dòng)汽車領(lǐng)域

      到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到15億美元。

      2020-03-01 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 917 0

      集成電路訂單突破億級(jí)，2019年海特高新?tīng)I(yíng)業(yè)收入同比增加55.52%

      海特高新發(fā)布2019年業(yè)績(jī)快報(bào)稱，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入80,187.88萬(wàn)元，較上年同期增加55.52%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東凈利潤(rùn)7,549.26萬(wàn)元，...

      2020-02-29 標(biāo)簽：集成電路碳化硅 3901 0

      英飛凌650V CoolSiC? MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平

      隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合

      2020-02-26 標(biāo)簽：MOSFET不間斷電源碳化硅 1588 0

      5G時(shí)代碳化硅開(kāi)始嶄露頭角

      5G時(shí)代碳化硅開(kāi)始嶄露頭角

      進(jìn)入 5G 世代，5G 產(chǎn)品大多具備高功率、高壓、高溫等特性，傳統(tǒng)的硅 (Si) 原料因無(wú)法克服在高壓、高頻中的損耗，所以已無(wú)法滿足新世代的科技需求，這...

      2020-02-24 標(biāo)簽：碳化硅5g 3439 0

      小米發(fā)布GaN充電器，2020年將是GaN的起飛之年

      2月13日，小米舉辦的小米10線上發(fā)布會(huì)上，除了手機(jī)，還發(fā)布了一款氮化鎵功率器件的65W充電器。近期更是傳言蘋(píng)果也將推出65W的GaN充電器。如果再有蘋(píng)...

      2020-02-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅小米 2.4萬(wàn) 0

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        　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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