淺談芯片制造的完整流程

在科技日新月異的今天，芯片作為信息技術(shù)的核心部件，其制作工藝的復(fù)雜性和精密性令人嘆為觀止。從一粒普通的沙子到一顆蘊含無數(shù)晶體管的高科技芯片，這一過程不僅...

2024-10-28 標簽：芯片半導體晶圓 1324 0

芯片制造全工藝流程分解說明

01 —— 芯片制作流程 芯片制作完整過程包括：芯片設(shè)計、晶片制作、封裝制作、成本測試等幾個環(huán)節(jié)，其中晶片片制作過程尤為的復(fù)雜。下面圖示讓我們共同來了解...

2024-08-07 標簽：芯片晶圓封裝 3089 0

WD4000系列晶圓幾何量測系統(tǒng)：全面支持半導體制造工藝量測，保障晶圓制造工藝質(zhì)量

晶圓面型參數(shù)厚度、TTV、BOW、Warp、表面粗糙度、膜厚、等是芯片制造工藝必須考慮的幾何形貌參數(shù)。其中TTV、BOW、Warp三個參數(shù)反映了半導體晶...

2024-06-01 標簽：半導體晶圓芯片制造 1172 0

半導體工藝技術(shù)：器件的制造步驟

電信號處理工業(yè)始于上個世紀初的真空管，真空管使得收音機、電視機和其他電子產(chǎn)品成為可能。它也是世界上第一臺計算機的大腦。

2024-04-28 標簽：集成電路晶體管芯片制造 629 0

半導體工藝晶圓片的制備過程

先看一些晶圓的基本信息，和工藝路線。 晶圓主要尺寸有4吋，6吋硅片，目前對8吋，12吋硅片的應(yīng)用在不斷擴大。這些直徑分別為100mm、150mm、2...

2024-04-15 標簽：芯片制造硅片晶圓制造 1818 0

淺談刻蝕的終點控制

當?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時，電子密度處于最低水平。一般來說，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調(diào)整脈沖的占空比，可以將時間平均離子能量分...

2024-04-09 標簽：集成電路等離子體芯片制造 1158 0

實現(xiàn)異構(gòu)集成與小芯片優(yōu)勢的關(guān)鍵“互連”

在多層集成電路中，薄的、短的局部互連提供片上連接，而厚的、長的全局互連在不同的塊之間傳輸。正如Lam Research技術(shù)總監(jiān)Larry Zhao所詳細...

2024-04-07 標簽：微控制器pcbsoc 876 0

半導體制造工藝 - 晶圓制造的過程

芯片制造是當今世界最為復(fù)雜的工藝過程。這是一個由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個復(fù)雜過程。本文努力將這一工藝過程做一個匯總，對這個復(fù)雜的過程有一個全面而概括的描述。

2024-03-29 標簽：芯片制造蝕刻單晶硅 4537 0

芯片的常見功耗問題盤點

Cadence產(chǎn)品管理總監(jiān)Melika Roshandell表示：“盡管基本漏電較之前的技術(shù)有所降低，但總體功耗卻更高。所以，熱量問題將更加嚴重，因為你...

2024-03-25 標簽：傳感器芯片cpu 1554 0

半導體晶圓直徑與厚度之間的關(guān)系

厚度的增加雖然提高了晶圓的穩(wěn)定性，但同時也帶來了新的挑戰(zhàn)，如熱管理問題和加工難度增加。更厚的晶圓意味著在制造過程中，熱量的分布可能更不均勻，這可能會影響...

2024-03-25 標簽：晶圓芯片制造半導體晶圓 2676 0

芯片制作流程分解說明

芯片制造的最后一道工序為測試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。

2024-03-25 標簽：芯片NAND晶圓 1577 0

光刻機的發(fā)展歷程及工藝流程

光刻機經(jīng)歷了5代產(chǎn)品發(fā)展，每次改進和創(chuàng)新都顯著提升了光刻機所能實現(xiàn)的最小工藝節(jié)點。按照使用光源依次從g-line、i-line發(fā)展到KrF、ArF和EU...

2024-03-21 標簽：芯片集成電路芯片制造 7686 0

芯片制造工藝：光學光刻-掩膜、光刻膠

制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級或更高。

2024-03-20 標簽：集成電路晶圓芯片制造 3761 0

芯片制造工藝為什么用黃光?

光刻是集成電路（IC或芯片）生產(chǎn)中的重要工藝之一。簡單地說，就是利用光掩模和光刻膠在基板上復(fù)制電路圖案的過程。

2024-03-18 標簽：集成電路芯片制造光刻 2998 0