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標(biāo)簽 > 英諾賽科
英諾賽科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,集芯片設(shè)計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體,擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。
7月直播預(yù)告 | 英諾賽科、恩智浦、羅姆、英飛凌、廣閎科技與您相約大大通直播間
大大通直播專區(qū)攜手英諾賽科、恩智浦、羅姆、英飛凌、廣閎科技等原廠,推出5場精彩線上直播,為您帶來最新技術(shù)分享與行業(yè)洞察。
直播預(yù)告 | @7/8 Innoscience SolidGaN領(lǐng)航氮化鎵技術(shù),煥新便攜光儲市場
如果你想了解氮化鎵如何引領(lǐng)便攜光儲市場?那么一定不能錯過這場由大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)和英諾賽科原廠聯(lián)合舉辦的線上研討會?!癐nn
英諾賽科推出基于InnoGaN ISG6121TD的4kW雙向PFC電源方案,助力智能電網(wǎng)高效發(fā)展
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48V高效降壓電源方案:英諾賽科推出2kW四相交錯設(shè)計
英諾賽科針對48V架構(gòu)開發(fā)了兩款行業(yè)領(lǐng)先的降壓電源方案(四相2kW交錯降壓電源方案),為更高效、節(jié)能的數(shù)據(jù)中心賦能。
基于InnoGaNINN100EA035A&INS2002FQ設(shè)計的48V系統(tǒng)四相2kW降壓電源方案PowerTestR
效率突破98%!英諾賽科發(fā)布2kW四相降壓電源方案,助力數(shù)據(jù)中心與新能源升級
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意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能
??雙方簽署氮化鎵(GaN)技術(shù)聯(lián)合開發(fā)協(xié)議,致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車等領(lǐng)域打造面向未來的功率電
2025-04-01 標(biāo)簽: 意法半導(dǎo)體 氮化鎵 英諾賽科 1700 0
GaN芯片出貨6.6億顆!英諾賽科2024年營收超8.2億,車規(guī)GaN猛增9倍
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2025 年3月19日 - 英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(香港聯(lián)交所代碼:2577)是一家致力于高性能、低成本的硅基
英諾賽科起訴英飛凌及關(guān)聯(lián)公司專利侵權(quán)
近日,英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司及其全資附屬公司英諾賽科(蘇州)半導(dǎo)體有限公司,通過港交所發(fā)布公告,宣布已正式向江
英諾賽科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。公司采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,集芯片設(shè)計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析于一體,擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力。公司的主要產(chǎn)品涵蓋從低壓到高壓(30V-650V)的氮化鎵功率器件,產(chǎn)品設(shè)計及性能均達(dá)到國際先進(jìn)水平。
英諾賽科已在激光雷達(dá)、數(shù)據(jù)中心、5G通訊、高密度高效快速充電、無線充電、車載充電器、LED 燈照明驅(qū)動等方面發(fā)布產(chǎn)品方案,并與國內(nèi)多家應(yīng)用頭部企業(yè)開展深度合作,實現(xiàn)量產(chǎn)。英諾賽科作為技術(shù)全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體公司,在8英寸硅基氮化鎵核心技術(shù)和關(guān)鍵工藝領(lǐng)域已實現(xiàn)重大突破,建立了高功率密度、高效率、高增益、低成本的硅基氮化鎵量產(chǎn)平臺,實現(xiàn)了中國第三代半導(dǎo)體零的突破。
我們的核心技術(shù)團(tuán)隊
英諾賽科的核心技術(shù)團(tuán)隊由半導(dǎo)體和(電力)電子行業(yè)的專家和資深人士組成。 他們均來自世界一流的領(lǐng)先公司,在硅基氮化鎵技術(shù)的開發(fā)和大規(guī)模量產(chǎn)方面擁有豐富的經(jīng)驗。
此外,為了展示英諾賽科在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域擁有的潛力,并更加順利地推廣產(chǎn)品,英諾賽科還匯集了系統(tǒng)工程領(lǐng)域的專家,用于進(jìn)行面向特殊應(yīng)用和客戶的開發(fā)板及其他電路系統(tǒng)的研制。
英諾賽科(Innoscience)創(chuàng)立于2015年12月17日,旨在打造全球最大的采用全產(chǎn)業(yè)鏈模式,集設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體氮化鎵(GaN )的生產(chǎn)基地。
公司成立之初,英諾賽科的創(chuàng)始人就深知,如果想實現(xiàn)氮化鎵技術(shù)在市場上的廣泛應(yīng)用,產(chǎn)品的性能和可靠性只是根本。氮化鎵功率電子器件在市場上要進(jìn)行大規(guī)模推廣,還需要解決另外三個痛點:首先是成本,具備合理的價格才能被廣泛采用。其次是具備大規(guī)模量產(chǎn)能力,以應(yīng)對市場的爆發(fā)。第三,要確保器件供應(yīng)鏈穩(wěn)定,有了穩(wěn)定的貨源供應(yīng),客戶可以全心全意投入產(chǎn)品和系統(tǒng)的開發(fā),無需擔(dān)心因氮化鎵器件供應(yīng)戰(zhàn)略的變化而導(dǎo)致停產(chǎn)。因此,Innoscience 明白,只有擴(kuò)大 GaN 器件的產(chǎn)能并擁有自主可控的生產(chǎn)線,才有可能解決氮化鎵功率電子器件在市場上進(jìn)行大規(guī)模推廣的三個痛點(價格、數(shù)量和供應(yīng)安全)。
從一開始,英諾賽科就戰(zhàn)略性地將采用8英寸晶圓,與6英寸相比,8英寸晶圓的器件數(shù)量比6英寸晶圓多80%。同時,英諾賽科采用C-MOS工藝,以便將多年來在三極管生產(chǎn)領(lǐng)域積累的經(jīng)驗和優(yōu)化措施應(yīng)用在氮化鎵晶圓的生產(chǎn)工藝中。
今天,英諾賽科已實現(xiàn)了最初的規(guī)劃。目前,公司擁有兩座8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地,采用最先進(jìn)的8英寸生產(chǎn)工藝,是全球產(chǎn)能最高的氮化鎵器件廠商。
目前,英諾賽科8英寸硅基氮化鎵的產(chǎn)能達(dá)到每月10000片,并將逐漸擴(kuò)大至每月70000片以上。
我們能取得這些成就,離不開招銀國際、ARM、SK和CATL等世界級投資方的支持。
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2024-10-12 標(biāo)簽:氮化鎵英諾賽科第三代半導(dǎo)體 1496 0
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英諾賽科半導(dǎo)體蘇州芯片項目主廠順利完成封頂 預(yù)計2020年可實現(xiàn)規(guī)?;慨a(chǎn)
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2023-03-24 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心PD快充英諾賽科 9391 0
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