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長江存儲

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長江存儲資訊

預(yù)測2019年電子行業(yè)和IT行業(yè)的未來

對于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來,2019年具有非常重要的意義。

2019-01-27 標(biāo)簽:NAND長江存儲 5410 0

三星東芝轉(zhuǎn)向先進(jìn)制程 2019年NAND Flash產(chǎn)業(yè)大洗牌

據(jù)DIGITIMES Research估計(jì),NAND Flash位元出貨量從2017年起連續(xù)呈現(xiàn)3~4成的成長率,包括在2017年成長36%、2018年...

2019-01-03 標(biāo)簽:三星電子NAND Flash長江存儲 4810 0

長江存儲成功將Xtacking技術(shù)應(yīng)用于其第二代3D NAND產(chǎn)品的開發(fā)

談到NAND閃存,或者說以它為代表的SSD產(chǎn)品,多數(shù)人對速度的理解集中在像是SATA 3/PCIe 3.0等外部接口上,但其實(shí)閃存芯片也有內(nèi)部接口,LG...

2018-11-26 標(biāo)簽:閃存NAND長江存儲 1.8萬 0

長江存儲預(yù)計(jì)在2019年全速量產(chǎn) 2020年會趕超國際領(lǐng)先的閃存公司

NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷,中國公司在此領(lǐng)域毫無話語權(quán),甚至連收購、合作外資公司都沒可能,想獲得突破...

2018-11-23 標(biāo)簽:閃存NAND長江存儲 1.2萬 0

聯(lián)電專利大律師跳槽入長江存儲

近日,網(wǎng)友爆料一大消息。說聯(lián)電內(nèi)部一專利大律師, 跳槽進(jìn)入長江存儲,據(jù)稱此律師極力反對聯(lián)電晉華狀告美光。但值得注意的是,聯(lián)電在福建狀告美光沒有聽從此律師...

2018-11-12 標(biāo)簽:聯(lián)電長江存儲 5258 0

長江存儲計(jì)劃在明年第四季度量產(chǎn)64層堆疊的3D NAND閃存芯片

據(jù)報(bào)道,紫光投資的長江存儲傳來新動態(tài)。

2018-09-26 標(biāo)簽:閃存NAND長江存儲 2822 0

長江存儲迎來荷蘭光刻機(jī),國產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤將更上一層樓

貿(mào)易戰(zhàn)一波三折,目前兩方還是在互懟的狀態(tài)。。。6月15日,美國白宮宣布對從中國進(jìn)口的、含重要工業(yè)技術(shù)的500億美元商品征收25%的關(guān)稅,并提到這些商品...

2018-09-25 標(biāo)簽:SSD固態(tài)硬盤長江存儲 8243 0

長江存儲和華力微設(shè)備采購清單曝光!

2018是國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備拐點(diǎn)之年伴隨晶圓廠向國內(nèi)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,國內(nèi)迎來晶圓廠的建設(shè)熱潮。

2018-09-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體長江存儲 1.2萬 0

Xtacking? 架構(gòu)取得三大技術(shù)突破,64層3D NAND預(yù)計(jì)明年批量出貨

集微網(wǎng)消息,9月19日,2018年中國閃存市場峰會(CFMS2018)在深圳舉行,長江存儲總經(jīng)理?xiàng)钍繉幉┦恳浴皠?chuàng)新Xtacking?架構(gòu):釋放3D NA...

2018-09-20 標(biāo)簽:3d長江存儲 5758 0

2018全球上游存儲市場格局與前景分析

存儲器是我們最常見的一種存儲產(chǎn)品之一,也是應(yīng)用非常廣泛的一種半導(dǎo)體器件,存儲分為上游、中游、下游市場,我們接觸最多的是中下游市場,而對存儲上游市場似乎并...

2018-09-01 標(biāo)簽:存儲器長江存儲 3928 0

長江存儲趕超將為NAND Flash市場帶來新變量

2018年全球NAND Flash價(jià)格一路走跌,由于市場需求增長平緩,業(yè)者預(yù)期下半年將延續(xù)跌勢,隨著國際NAND Flash大廠紛紛加碼投資次時(shí)代技術(shù)堆...

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長江存儲明年量產(chǎn)64層128Gb的存儲器,突破國產(chǎn)存儲芯片“零”實(shí)現(xiàn)

繼2017年5月言辭犀利地抨擊了高通在華投資企業(yè)瓴盛科技后,紫光集團(tuán)董事長趙偉國在首屆中國國際智能產(chǎn)業(yè)博覽會上又“懟”上了高通。

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3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗,相互競爭下一代技術(shù)

3D NAND通過設(shè)備中堆疊的層數(shù)來量化。隨著更多層的添加,位密度增加。今天,3D NAND供應(yīng)商正在推出64層設(shè)備,盡管他們現(xiàn)在正在推進(jìn)下一代技術(shù),它...

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長江存儲3D NAND閃存堆棧結(jié)構(gòu)Xtacking,獲得了“最佳展示獎”

日本PC Watch網(wǎng)站日前刊發(fā)了長江存儲CEO楊士寧博士在FMS會議上的演講,我們之前也做過簡單的報(bào)道,這次他們的介紹更加詳細(xì),我們可以一窺長江存儲的...

2018-08-15 標(biāo)簽:NAND閃存技術(shù)長江存儲 5357 0

莫大康:貿(mào)易戰(zhàn)下的中國半導(dǎo)體業(yè)

人無遠(yuǎn)慮,必有近憂”,要作好最壞時(shí)刻的預(yù)案準(zhǔn)備,中國半導(dǎo)體業(yè)一定會由危機(jī)轉(zhuǎn)為契機(jī)。今天來看貿(mào)易戰(zhàn)可能有些“緊張”,但是相信再過幾年之后,隨著中國的國力繼...

2018-08-14 標(biāo)簽:中芯國際中微半導(dǎo)體華虹半導(dǎo)體 1.0萬 0

長江存儲推全新3D NAND架構(gòu)——XtackingTM

作為NAND行業(yè)的新晉者,長江存儲今天公開發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露,這之前存儲一直都是三星的強(qiáng)項(xiàng)。

2018-08-13 標(biāo)簽:NAND長江存儲 3766 0

長江存儲發(fā)布突破性技術(shù),將大大提升3D NAND的性能

作為NAND行業(yè)的新晉者,長江存儲科技有限責(zé)任公司(以下簡稱:長江存儲)昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶...

2018-08-13 標(biāo)簽:NAND長江存儲 1975 0

長江存儲64層3D NAND芯片專利研發(fā)完成,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置

紫光集團(tuán)旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器(NAND Flash)報(bào)捷,已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利,預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、20...

2018-08-13 標(biāo)簽:NAND3D長江存儲 2492 0

長江存儲公布突破性技術(shù)——Xtacking,三星是否開始慌張?

北京時(shí)間2018年8月7日,長江存儲官網(wǎng)的一篇新聞稿表示其公開發(fā)布了一條其突破性技術(shù)——Xtacking。

2018-08-11 標(biāo)簽:英特爾三星電子美光 1.3萬 0

中國首批32層3D NAND閃存芯片即將量產(chǎn)

昨日長江存儲正式公開了其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)悉,該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能,更高的存儲密度,以及更短的產(chǎn)品...

2018-08-10 標(biāo)簽:nand閃存芯片長江存儲 5033 0

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    Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu),Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列 在移動版Core i7使用,而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器,而最低端的奔騰、賽揚(yáng)搭載GT1。此外,Haswell將會使用LGA1150插座,無法和LGA1155替換。制程方面,Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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    北京時(shí)間2015年9月10日,美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s[1] 。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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    東軟集團(tuán)是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商,是上市企業(yè),股票代碼600718。公司成立于1991年,前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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    驍龍821的CPU大核主頻2.4GHz、小核主頻2GHz,GPU主頻650MHz。也就是說,驍龍821的CPU性能提升10%,而GPU的提升為5%。
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開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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