碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓如何選擇

碳化硅MOS驅(qū)動(dòng)電壓選擇15V還是18V，是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對(duì)器件的導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。

2025-06-04 標(biāo)簽：SiC碳化硅驅(qū)動(dòng)電壓 449 0

UCC27200-Q1 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的汽車類 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27200-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè) 120V 自舉二極管以及具有獨(dú)立輸入的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性。這...

2025-05-21 標(biāo)簽：CMOSMOSFETUVLO 183 0

UCC27611 具有 4V UVLO 和 5V 穩(wěn)壓輸出的 4A/6A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC27611 是一款針對(duì) 5V 驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的單通道高速柵極驅(qū)動(dòng)器，專門針對(duì)增強(qiáng)型 GaN FET 進(jìn)行尋址。驅(qū)動(dòng)電壓 VREF 由內(nèi)部線性穩(wěn)壓器精確控...

2025-05-20 標(biāo)簽：FETGaN灌電流 227 0

TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 T...

2025-05-15 標(biāo)簽：FET場效應(yīng)晶體管GaN 222 0

TPS7H6005-SEP 耐輻射 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H60x5 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...

2025-05-15 標(biāo)簽：ldoFET場效應(yīng)晶體管 242 0

TPS7H6025-SEP 耐輻射 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H60x5 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...

2025-05-15 標(biāo)簽：封裝FET場效應(yīng)晶體管 225 0

LP395 系列 36V 功率晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè)

LP395 是一款具有完全過載保護(hù)的快速單片晶體管。這非常 片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱 過載保護(hù)，使其幾乎難以因任何類型的過載而銷毀。...

2025-05-15 標(biāo)簽：晶體管過載保護(hù)額定電流 206 0

TPS2330 具有低電平有效使能功能的 3V 至 13V 熱插拔控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS2330/31 器件具有欠壓鎖定 （UVLO） 和電源正常 （PG） 功能 報(bào)告以確保設(shè)備在啟動(dòng)時(shí)處于關(guān)閉狀態(tài)并確認(rèn)輸出電壓的狀態(tài) 運(yùn)行期間的導(dǎo)軌...

2025-05-14 標(biāo)簽：MOSFET電荷泵峰值電流 234 0

TPSI3050-Q1 具有集成 10V 柵極電源的汽車增強(qiáng)型隔離式開關(guān)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPSI3050-Q1 是一款完全集成的隔離式開關(guān)驅(qū)動(dòng)器，與外部電源開關(guān)結(jié)合使用時(shí)，可形成完整的隔離式固態(tài)繼電器 （SSR）。憑借 10V 的標(biāo)稱柵極驅(qū)...

2025-05-08 標(biāo)簽：固態(tài)繼電器電源開關(guān)偏置電源 199 0

TPSI3050 具有集成 10V 柵極電源的隔離式開關(guān)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPSI3050 是一款完全集成的隔離式開關(guān)驅(qū)動(dòng)器，與外部電源開關(guān)結(jié)合使用時(shí)，可形成完整的隔離式固態(tài)繼電器 （SSR）。憑借 10V 的標(biāo)稱柵極驅(qū)動(dòng)電壓...

2025-05-08 標(biāo)簽：固態(tài)繼電器電源開關(guān)SSR 232 0

BTP1521P解決IGBT模塊升級(jí)SiC模塊的正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓

SiC模塊在高頻高效、高溫耐受性、高電壓能力、系統(tǒng)經(jīng)濟(jì)性以及應(yīng)用場景適配性等方面的綜合優(yōu)勢，使其成為電力電子應(yīng)用中的首選，推動(dòng)了IGBT模塊向SiC模塊...

2025-02-13 標(biāo)簽：IGBTSiC驅(qū)動(dòng)電壓 394 0

激光誘導(dǎo)石墨烯基數(shù)字微流控平臺(tái)，可用于低成本即時(shí)檢測

數(shù)字微流控（DMF）是一種新興的液體處理技術(shù)，在各種生物和生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用中顯示出廣闊的潛力。

2024-05-31 標(biāo)簽：微流控芯片驅(qū)動(dòng)電壓 1275 0

驅(qū)動(dòng)電壓和電壓調(diào)節(jié)是二相步進(jìn)電機(jī)的精準(zhǔn)性能策劃

二相步進(jìn)電機(jī)的工作原理基于電流在兩個(gè)相位之間切換，從而產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)的磁場，驅(qū)動(dòng)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。因此，驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)電機(jī)的性能起著決定性的影響。驅(qū)動(dòng)電壓的高低不僅決定了...

2024-03-25 標(biāo)簽：機(jī)器人步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓 733 0

瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證

3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。

2024-03-11 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻SiC 1105 0

瞻芯電子推出第二代650V車規(guī)級(jí)TO263-7封裝助力高效高密應(yīng)用

近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用...

2024-01-16 標(biāo)簽：MOSFET晶圓SiC 2647 0

合工大研發(fā)出一種基于單p-型硅肖特基結(jié)的超靈敏近紅外窄帶光電探測器

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，近日，合肥工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)院先進(jìn)半導(dǎo)體器件與光電集成實(shí)驗(yàn)室的王莉副教授和羅林保教授團(tuán)隊(duì)，成功研發(fā)出一種基于單p-型硅肖特基結(jié)的超靈敏近...

2024-01-11 標(biāo)簽：電流電壓光電探測器驅(qū)動(dòng)電壓 1039 0

提升液晶透鏡成像質(zhì)量的方法：減少由液晶材料取向波動(dòng)引起的霧度

液晶（LC）透鏡的霧度一直是虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）及其它光學(xué)應(yīng)用中存在的問題，但是一項(xiàng)新的研究成果為工程師和研究人員增進(jìn)了對(duì)霧度產(chǎn)生的根本原...

2023-12-11 標(biāo)簽：機(jī)器視覺虛擬現(xiàn)實(shí)LCM 1540 0

瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源

11月27日，瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通...

2023-11-30 標(biāo)簽：MOSFETSiC驅(qū)動(dòng)電壓 2335 0