TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 TPS7H6003-SP（額定電壓 200V）、TPS7H6013-SP（額定電壓 60V）和 TPS7H6023-SP（額定電壓 22V）。驅(qū)動(dòng)器具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間能力、30ns 的小傳播延遲以及 5.5ns 的高側(cè)和低側(cè)匹配。這些器件還包括內(nèi)部高壓側(cè)和低壓側(cè) LDO，無論電源電壓如何，都能確保 5V 的驅(qū)動(dòng)電壓。TPS7H60x3-SP 驅(qū)動(dòng)器均具有分離柵極輸出，可靈活地獨(dú)立調(diào)整輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷強(qiáng)度。
*附件：tps7h6023-sp.pdf

TPS7H60x3-SP 驅(qū)動(dòng)器具有兩種控制輸入模式：獨(dú)立輸入模式 （IIM） 和 PWM 模式。在 IIM 中，每個(gè)輸出都由專用輸入控制。在 PWM 模式下，單個(gè)輸入產(chǎn)生兩個(gè)互補(bǔ)輸出信號(hào)，用戶可以調(diào)整每個(gè)邊沿的死區(qū)時(shí)間。

柵極驅(qū)動(dòng)器還在獨(dú)立輸入模式下提供用戶可配置的輸入互鎖，作為防擊穿保護(hù)。當(dāng)兩個(gè)輸入同時(shí)打開時(shí)，輸入互鎖不允許兩個(gè)輸出打開。用戶可以選擇在獨(dú)立輸入模式下啟用或禁用此保護(hù)，這允許驅(qū)動(dòng)器在許多不同的轉(zhuǎn)換器配置中使用。這些驅(qū)動(dòng)器還可用于半橋和雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

特性

• 輻射性能：
  • 抗輻射強(qiáng)度 （RHA） 高達(dá) 100krad（Si） 的總電離劑量 （TID）
  • 單粒子閂鎖 （SEL）、單粒子燃盡 （SEB） 和單粒子?xùn)艠O破裂 （SEGR） 不受線性能量傳遞 （LET） 的影響 = 75MeV-cm2/mg
  • 單粒子瞬態(tài) （SET） 和單粒子功能中斷 （SEFI） 的特性高達(dá) LET = 75MeV-cm2/mg
• 1.3A 峰值拉電流，2.5A 峰值灌電流
• 兩種作模式：
  • 具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間的單個(gè) PWM 輸入
  • 兩個(gè)獨(dú)立的輸入
• 獨(dú)立輸入模式下的可選輸入互鎖保護(hù)
• 用于可調(diào)開啟和關(guān)閉時(shí)間的分離輸出
• 獨(dú)立輸入模式下 30ns 的典型傳播延遲
• 5.5ns 典型延遲匹配

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?產(chǎn)品名稱?：TPSH-SP
• ?類型?：輻射硬化保證（RHA）.A峰值源電流，.A峰值沉電流，半橋GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器
• ?應(yīng)用?：適用于空間衛(wèi)星電源、通信載荷、命令與數(shù)據(jù)處理、光學(xué)成像載荷以及衛(wèi)星電力系統(tǒng)等

二、主要特性

• ?輻射性能?：
  • 總電離劑量（TID）保證高達(dá)krad(Si)
  • 對單事件閂鎖（SEL）、單事件燒毀（SEB）、單事件柵極擊穿（SEGR）免疫，線性能量轉(zhuǎn)移（LET）閾值達(dá)MeV-cm2/mg
  • 單事件瞬態(tài)（SET）和單事件功能中斷（SEFI）特性高達(dá)LET = MeV-cm2/mg
• ?操作模式?：
  • 單PWM輸入，帶可調(diào)死區(qū)時(shí)間
  • 兩個(gè)獨(dú)立輸入
  • 可選輸入互鎖保護(hù)（獨(dú)立輸入模式）
  • 分裂輸出，用于獨(dú)立調(diào)整開通和關(guān)斷時(shí)間
• ?電氣性能?：
  • 典型傳播延遲ns（獨(dú)立輸入模式）
  • .ns典型高低側(cè)延遲匹配
  • 高達(dá).A峰值源電流，.A峰值沉電流

三、保護(hù)功能

• ? 欠壓鎖定（UVLO） ?：所有內(nèi)部線性調(diào)節(jié)器和輸入電壓均具備UVLO保護(hù)
• ?可編程死區(qū)時(shí)間?：通過外部電阻設(shè)置
• ?輸入互鎖保護(hù)?：在獨(dú)立輸入模式下可選，防止射穿

四、電氣規(guī)格

• ?輸入電壓范圍?：V至V
• ?輸出電壓?：V（由內(nèi)部線性調(diào)節(jié)器提供）
• ?電氣特性?：
  • 低側(cè)和高側(cè)靜態(tài)電流
  • 輸出高低電平電壓
  • 峰值源電流和沉電流
  • UVLO閾值及滯回
  • 可編程死區(qū)時(shí)間范圍

五、功能描述

• ?輸入電壓與線性調(diào)節(jié)器?：
  • 輸入電壓為V至V，用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)低側(cè)線性調(diào)節(jié)器（BPL和BPL）和一個(gè)高側(cè)線性調(diào)節(jié)器（BPH）
  • BPL和BPL分別提供V和V輸出，BPH提供V輸出以驅(qū)動(dòng)GaN FET柵極
• ?自舉操作?：
  • 支持多種自舉電容充電方法，包括通過內(nèi)部自舉開關(guān)或直接使用VIN充電
  • 需要外部自舉二極管和電阻
• ?死區(qū)時(shí)間控制?：
  • 在PWM模式下，通過外部電阻設(shè)置高低側(cè)輸出之間的死區(qū)時(shí)間
• ?輸入互鎖保護(hù)?：
  • 在獨(dú)立輸入模式下可選，通過特定引腳配置啟用或禁用

六、應(yīng)用信息

• ?典型應(yīng)用?：
  • 同步降壓轉(zhuǎn)換器
  • 全橋拓?fù)?/li>
  • 雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用
• ?設(shè)計(jì)考慮?：
  • 自舉電容和二極管的選擇
  • 旁路電容的放置
  • 輸入和輸出電阻的選擇
  • 死區(qū)時(shí)間的設(shè)置
  • 熱管理和布局優(yōu)化

七、布局與熱管理

• ?布局指南?：
  • 將GaN FET盡可能靠近柵極驅(qū)動(dòng)器放置，以減小環(huán)路電感
  • 最小化自舉充電路徑的環(huán)路面積
  • 將所有旁路電容盡可能靠近各自引腳放置
• ?熱管理?：
  • 使用低熱阻封裝和適當(dāng)?shù)?a href="http://www.www27dydycom.cn/v/tag/82/" target="_blank">PCB布局以消散熱量
  • 監(jiān)控結(jié)溫，確保在推薦操作范圍內(nèi)

八、文檔與支持

• ?相關(guān)文檔?：提供產(chǎn)品數(shù)據(jù)表、應(yīng)用筆記、評估模塊用戶指南等
• ?支持資源?：包括TI EE支持論壇、文檔更新通知等

九、封裝與尺寸

• ?封裝類型?：引腳陶瓷扁平封裝（CFP）
• ?尺寸?：.mm x .mm（長x寬），高度因封裝類型而異

該文檔詳細(xì)介紹了TPSH-SP柵極驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)規(guī)格、功能特性、應(yīng)用指南、布局與熱管理要求，以及相關(guān)的支持資源和封裝信息。