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TPS7H6003-SP 抗輻射 QMLV 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-05-15 18:14 ? 次閱讀
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TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動(dòng)器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 TPS7H6003-SP(額定電壓 200V)、TPS7H6013-SP(額定電壓 60V)和 TPS7H6023-SP(額定電壓 22V)。驅(qū)動(dòng)器具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間能力、30ns 的小傳播延遲以及 5.5ns 的高側(cè)和低側(cè)匹配。這些器件還包括內(nèi)部高壓側(cè)和低壓側(cè) LDO,無(wú)論電源電壓如何,都能確保 5V 的驅(qū)動(dòng)電壓。TPS7H60x3-SP 驅(qū)動(dòng)器均具有分離柵極輸出,可靈活地獨(dú)立調(diào)整輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷強(qiáng)度。
*附件:tps7h6003-sp.pdf

TPS7H60x3-SP 驅(qū)動(dòng)器具有兩種控制輸入模式:獨(dú)立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中,每個(gè)輸出都由專用輸入控制。在 PWM 模式下,單個(gè)輸入產(chǎn)生兩個(gè)互補(bǔ)輸出信號(hào),用戶可以調(diào)整每個(gè)邊沿的死區(qū)時(shí)間。

柵極驅(qū)動(dòng)器還在獨(dú)立輸入模式下提供用戶可配置的輸入互鎖,作為防擊穿保護(hù)。當(dāng)兩個(gè)輸入同時(shí)打開時(shí),輸入互鎖不允許兩個(gè)輸出打開。用戶可以選擇在獨(dú)立輸入模式下啟用或禁用此保護(hù),這允許驅(qū)動(dòng)器在許多不同的轉(zhuǎn)換器配置中使用。這些驅(qū)動(dòng)器還可用于半橋和雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

特性

  • 輻射性能:
    • 抗輻射強(qiáng)度 (RHA) 高達(dá) 100krad(Si) 的總電離劑量 (TID)
    • 單粒子閂鎖 (SEL)、單粒子燃盡 (SEB) 和單粒子?xùn)艠O破裂 (SEGR) 不受線性能量轉(zhuǎn)移 (LET) 的影響 = 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬態(tài) (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特性高達(dá) LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流,2.5A 峰值灌電流
  • 兩種作模式:
    • 具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間的單個(gè) PWM 輸入
    • 兩個(gè)獨(dú)立的輸入
  • 獨(dú)立輸入模式下的可選輸入互鎖保護(hù)
  • 用于可調(diào)開啟和關(guān)閉時(shí)間的分離輸出
  • 獨(dú)立輸入模式下 30ns 的典型傳播延遲
  • 5.5ns 典型延遲匹配

參數(shù)
image.png

方框圖

image.png

一、產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:TPSH3-SP
  • ?類型?:輻射硬度保證(RHA)半橋GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器
  • ?特性?:專為高頻、高效率應(yīng)用設(shè)計(jì),具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間、小傳播延遲和高側(cè)/低側(cè)匹配特性

二、主要特性

  • ?輻射性能?:
    • 輻射硬度保證(RHA)至總電離劑量(TID)krad(Si)
    • 對(duì)單粒子閂鎖(SEL)、單粒子燒毀(SEB)、單粒子?xùn)艠O擊穿(SEGR)免疫,線性能量轉(zhuǎn)移(LET)=MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬態(tài)(SET)和單粒子功能中斷(SEFI)特性至LET=MeV-cm2/mg
  • ?電氣性能?:
    • 峰值源電流:.A
    • 峰值沉電流:.A
    • 兩種操作模式:?jiǎn)蜳WM輸入模式(可調(diào)死區(qū)時(shí)間)和雙獨(dú)立輸入模式
    • 可選輸入互鎖保護(hù)(獨(dú)立輸入模式)
    • 分裂輸出,可調(diào)開通和關(guān)斷時(shí)間
    • 典型傳播延遲:0ns(獨(dú)立輸入模式)
    • 延遲匹配:5.5ns(高側(cè)到低側(cè))

三、應(yīng)用領(lǐng)域

四、電氣特性

  • ?供電電壓?:VIN范圍V至V
  • ?內(nèi)部線性穩(wěn)壓器?:高側(cè)和低側(cè)5V穩(wěn)壓器,確保柵極驅(qū)動(dòng)電壓穩(wěn)定
  • ?死區(qū)時(shí)間?:通過(guò)外部電阻可調(diào),防止半橋配置中的直通
  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:保護(hù)內(nèi)部穩(wěn)壓器和VIN免受低電壓影響
  • ? 電源良好(PGOOD) ?:指示內(nèi)部穩(wěn)壓器和VIN的UVLO狀態(tài)

五、功能描述

  • ?操作模式?:
    • ?PWM模式?:?jiǎn)蝹€(gè)PWM輸入生成互補(bǔ)輸出信號(hào),用于同步降壓轉(zhuǎn)換器
    • ? 獨(dú)立輸入模式(IIM) ?:兩個(gè)獨(dú)立輸入分別控制高側(cè)和低側(cè)輸出,支持輸入互鎖保護(hù)
  • ?內(nèi)部開關(guān)?:用于半橋配置的自舉電容充電,減少反向恢復(fù)損失
  • ?保護(hù)特性?:包括輸入欠壓鎖定、電源良好指示和可選的輸入互鎖保護(hù)

六、應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

  • ?典型應(yīng)用?:同步降壓轉(zhuǎn)換器
  • ?設(shè)計(jì)考慮?:
    • 自舉電容和旁路電容的選取
    • 柵極電阻的選取,以調(diào)節(jié)開關(guān)速度和減少振鈴
    • 布局指導(dǎo),以最小化寄生電感和電容

七、封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:引腳陶瓷扁平封裝(CFP)
  • ?尺寸?:.8mm x .4mm,質(zhì)量2.2g

八、文檔與支持

  • ?相關(guān)文檔?:包括TPS7HEVM-CVAL評(píng)估模塊用戶指南、輻射效應(yīng)報(bào)告等
  • ?支持資源?:TI E2E支持論壇、文檔更新通知、貿(mào)易標(biāo)記信息等

該文檔詳細(xì)描述了TPSH3-SP輻射硬度保證半橋GaN FET柵極驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)規(guī)格、電氣特性、功能描述、應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計(jì)考慮、封裝尺寸以及相關(guān)的文檔和支持資源。該驅(qū)動(dòng)器適用于需要高頻率、高效率以及強(qiáng)輻射硬度的空間應(yīng)用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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