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標(biāo)簽 > 驅(qū)動(dòng)電壓
驅(qū)動(dòng)電壓,使器件開始工作所需的最小供電電壓。
驅(qū)動(dòng)電壓,使器件開始工作所需的最小供電電壓。
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過(guò)熱和過(guò)流的區(qū)別
IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET,其不同點(diǎn)在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板(漏極)上增加了一個(gè) P+基板(IGBT 的集電極),形成P...
TFT-LCD液晶面板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)又是什么樣的呢?
眾所周知,液晶面板是液晶顯示器的心臟,占據(jù)了整個(gè)產(chǎn)品八成以上的成本,其質(zhì)量會(huì)直接影響到顯示器的色彩、亮度、對(duì)比度、可視角度等等功能參數(shù)和顯示效果。
IGBT典型過(guò)流保護(hù)電路設(shè)計(jì)分享
所謂集中過(guò)電流保護(hù),就是檢測(cè)逆變橋輸入直流母線上的電流,當(dāng)該電流值超過(guò)設(shè)定的閾值時(shí),封鎖所有橋臂IGBT的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
2024-02-23 標(biāo)簽:IGBT光電耦合器過(guò)流保護(hù)電路 3.7萬(wàn) 0
繼電器是智能預(yù)付費(fèi)電能表中的關(guān)鍵器件,繼電器的壽命在某種程度上決定了電表壽命,該器件性能好壞對(duì)智能預(yù)付費(fèi)電能表運(yùn)行至關(guān)重要。
2018-09-05 標(biāo)簽:繼電器驅(qū)動(dòng)電壓 1.7萬(wàn) 0
它們之間的關(guān)系是: Ug1≠Ug4=_Ug2=-Ug3。 在個(gè)開關(guān)周期內(nèi),當(dāng)0≤tston時(shí), Uab= Us,電樞電流id沿回路1流通:當(dāng)ton≤t...
2018-08-20 標(biāo)簽:脈沖驅(qū)動(dòng)電壓可逆PWM變換器 1.7萬(wàn) 0
LED 常見的規(guī)格有哪些 ? 彩色 LED光色波長(zhǎng) Wave Length 波峰長(zhǎng)(Peak Wavelength) : 頻譜中輻射能量最強(qiáng)的波長(zhǎng), λ...
2020-12-18 標(biāo)簽:led光強(qiáng)度驅(qū)動(dòng)電流 1.3萬(wàn) 0
在電源電路應(yīng)用中,往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏...
2019-06-18 標(biāo)簽:MOS管電源電路驅(qū)動(dòng)電壓 1.2萬(wàn) 0
Buck電路中的自舉電容如何取值?計(jì)算依據(jù)是什么?
在電子電路中,具有動(dòng)態(tài)特性的器件往往是我們難以理解和掌握的,典型的動(dòng)態(tài)特性器件如電感和電容
MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管的二級(jí)效應(yīng)
本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性,并闡述MOS管的二級(jí)效應(yīng),如體效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等,之后介紹了MOS管的寄生電容,...
CX8838能做200W的電路設(shè)計(jì)立即下載
類別:電源電路圖 2023-01-15 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)過(guò)溫保護(hù)驅(qū)動(dòng)電壓
igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件
igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種晶體管,可以用作開...
2023-10-19 標(biāo)簽:IGBT晶體管驅(qū)動(dòng)電壓 2.4萬(wàn) 0
不同型號(hào)的MOS管由于結(jié)構(gòu),制程,工藝的不同,其開啟電壓也是不同的,如下圖所示,有些開啟電壓1.5V即可,有些則要4.5V,那么我們?cè)隍?qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)的MOS時(shí)...
2022-04-08 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電壓 1.9萬(wàn) 1
OLED組件系由n型有機(jī)材料、p型有機(jī)材料、陰極金屬及陽(yáng)極金屬所構(gòu)成。
2019-08-09 標(biāo)簽:OLED驅(qū)動(dòng)電壓 1.4萬(wàn) 0
開關(guān)穩(wěn)壓電源的特性以及優(yōu)缺點(diǎn)分析
開關(guān)電源通過(guò)控制調(diào)整管的通斷時(shí)間實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。
2021-07-05 標(biāo)簽:DC-DC轉(zhuǎn)換器紋波電壓驅(qū)動(dòng)電壓 9026 0
富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
? ? 隨著制備技術(shù)的進(jìn)步,碳化硅(SiC)器件與模塊,在需求的不斷拉動(dòng)下,成本逐年降低, 相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用得到了極大的加速。其中,新能源汽車,可再...
2022-05-30 標(biāo)簽:新能源汽車碳化硅驅(qū)動(dòng)電壓 8239 0
開關(guān)電源噪音解決方案 開關(guān)電源是一種能夠?qū)?00V-260V交流電轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的5V、12V、24V直流電的電子設(shè)備,這種電源通過(guò)高頻開關(guān)電路將輸入的電壓...
2023-08-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源電解電容 6919 0
場(chǎng)效應(yīng)管和晶體管的主要區(qū)別
場(chǎng)效應(yīng)管和晶體管的主要區(qū)別 場(chǎng)效應(yīng)管和晶體管是兩種不同的半導(dǎo)體器件,它們的工作原理和應(yīng)用場(chǎng)合各有不同。雖然這兩種器件都屬于半導(dǎo)體器件,但它們?cè)谥圃?、結(jié)構(gòu)...
2023-08-25 標(biāo)簽:放大器場(chǎng)效應(yīng)管調(diào)制解調(diào)器 5734 0
寄生電容對(duì)MOS管快速關(guān)斷的影響 MOS(Metal Oxide Semiconductor)管是一種晶體管,它以其高性能和可靠性而廣泛應(yīng)用于許多電子設(shè)...
繼電器的線圈需要在合適的電壓下使用。我們?cè)谶x型繼電器時(shí),都會(huì)依據(jù)電路系統(tǒng)的電壓來(lái)確定合適的繼電器,常用的線圈電壓有3.3V,5V,9V,12V以及24V等。
2020-01-17 標(biāo)簽:繼電器驅(qū)動(dòng)電壓 3452 0
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