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標(biāo)簽 > GaN器件
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氮化鎵技術(shù)驅(qū)動(dòng)的高效逆變器設(shè)計(jì):硅與GaN器件的比較分析
通過重新設(shè)計(jì)基于氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案,DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關(guān)頻率提高了四倍,減少了體積和重量...
基于LMG3410R070 UCD3138A 和 UCD7138的HV GaN FET的24V/500W諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)是高頻諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。使用諧振頻率為 500 kHz 的諧振電路,輸出電壓調(diào)節(jié)至 24 V,輸入電壓范圍為 380 V 至 400 V。此...
用戶指南#LMG34XX-BB-EVM適用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系統(tǒng)級評估主板
LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分線板,可將任何 LMG341x 半橋板(如 LMG3410-HB-EVM)配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。通過提供...
PMP21842 采用 HV GaN FET 的 12V/500W諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)
此高頻諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)使用諧振頻率為 500kHz 的諧振電路,在 380V 至 400V 輸入電壓范圍內(nèi)調(diào)節(jié) 12V 輸出。使用我們的高壓 GaN ...
2025-02-25 標(biāo)簽:諧振轉(zhuǎn)換器偏置電源同步整流器 330 0
EVM用戶指南:LMG2650EVM-100 LMG2650半橋子卡評估模塊
LMG2650EVM-100 旨在提供一個(gè)快速簡便的平臺(tái),用于評估任何半橋拓?fù)渲械?TI 集成 GaN 器件。該板設(shè)計(jì)為使用板底部邊緣的 6 個(gè)電源引腳...
LMG2640 子卡評估模塊 (EVM) 旨在提供一個(gè)快速簡便的平臺(tái),以評估任何半橋拓?fù)渲械?TI 集成 GaN 器件。該板設(shè)計(jì)為使用板底部邊緣的 6 ...
GaN可靠性測試新突破:廣電計(jì)量推出高壓性能評估方案
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,憑借卓越的功率轉(zhuǎn)換效率、超快的開關(guān)速度以及出色的耐高溫性能,在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中...
淺析電源功率模組完整的設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程
電動(dòng)汽車、新能源、光伏、風(fēng)電等領(lǐng)域廣泛使用高功率開關(guān)電源功率模組。IGBT和MOSFET是模組中常用器件。
2024-05-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT電磁兼容性 1317 0
聚焦大功率氮化鎵(GaN)器件及其在實(shí)際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問題
熱設(shè)計(jì)是一個(gè)至關(guān)重要的課題,其中的各種規(guī)則、縮略語和復(fù)雜方程時(shí)常讓人感到它似乎是個(gè)深不可測的神秘領(lǐng)域;
GaN器件的LLC諧振變換器的優(yōu)化設(shè)計(jì)_馬煥立即下載
類別:模擬數(shù)字論文 2017-01-08 標(biāo)簽:LLC諧振變換器GaN器件 1276 0
氮化鎵技術(shù)推動(dòng)電動(dòng)汽車電源設(shè)計(jì)革新!
電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)師致力于通過提升功率、縮小系統(tǒng)尺寸并減少散熱需求,使電動(dòng)汽車更輕量化、自動(dòng)化,并配備更小電池。借助氮化鎵(GaN)汽車級功率器件在功率轉(zhuǎn)換、...
2025-03-03 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車GaN器件氮化鎵技術(shù) 363 0
泰克與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體合作推進(jìn)1700V GaN器件
近日,泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作再次取得了突破性進(jìn)展,雙方共同對遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進(jìn)行了全面深入的測試與評估,取得了令...
京東方華燦光電亮相2024功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國際論壇
3月24日,SEMICON China 2024展會(huì)在上海盛大開展,同期在上海召開功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國際論壇,京東方華燦光電氮化鎵電力電子研發(fā)總監(jiān)邱...
2024-04-19 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體華燦光電 817 0
Innergie的AC適配器通過搭載可提高電源系統(tǒng)效率的羅姆EcoGaN“GNP1150TCA-Z”
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co,Ltd(以下簡稱“羅姆”)的650V GaN器件(EcoGaN),被臺(tái)達(dá)電子(Delta Electronics,I...
Tagore Tech和Inventchip聯(lián)合開發(fā)一款500W電源參考設(shè)計(jì)解決方案
Tagore Technology 與 Inventchip Technology(上海瞻芯電子科技有限公司,簡稱:瞻芯電子)共同參加業(yè)界知名的2024...
2024-02-29 標(biāo)簽:電源設(shè)計(jì)控制器PFC 1025 0
面向1200V功率應(yīng)用的異質(zhì)襯底橫向和垂直GaN器件發(fā)展趨勢
近年來,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場導(dǎo)入速度加快,但與硅相比成本較高的問題依然存在。
2023-12-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器晶體管 1411 0
NexGen垂直GaN半導(dǎo)體 預(yù)計(jì)2023年第三季度全面生產(chǎn)
該公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月發(fā)布的700V 和 1200V樣品。
新品推薦 | 東科推出業(yè)內(nèi)首款合封氮化鎵有源箝位控制芯片
DK120GA是一款合封氮化鎵功率器件的有源箝位反激AC-DC功率轉(zhuǎn)換芯片。它具有超高集成度,內(nèi)置有源箝位拓?fù)渌璧膬深wGaNHEMT功率管,邏輯控制電...
納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片加速進(jìn)入快充市場
氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以...
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