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標(biāo)簽 > cmos
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor),互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件,是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。
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兩種晶體管一起造——英特爾正在研究的晶體管堆疊技術(shù)將大幅度提高芯片的計(jì)算密度。 ? 目前我們所熟知的臺(tái)積電、三星、英特爾、格芯、中芯國(guó)際等芯片代工廠量產(chǎn)...
相同像素,“底大一級(jí)壓死人” 高像素背后的技術(shù)、芯片升級(jí)
在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)如火如荼同時(shí),智能手機(jī)廠商的像素大戰(zhàn)不斷升級(jí)。2019年初,華為、小米搶發(fā)4800 萬(wàn)像素?cái)z像頭手機(jī);年中,vivo、OPPO、三星、紅米等爭(zhēng)...
串聯(lián)終端的傳輸線 是連接CMOS器件的主要方法 ,在下面的討論中,所有提到的器件都是CMOS器件。CMOS器件實(shí)際上導(dǎo)致了ECL技術(shù)的滅亡,因?yàn)槭褂肊C...
2020-12-30 標(biāo)簽:CMOS驅(qū)動(dòng)器ECL 3679 0
本篇為邏輯電平系列文章中的第一篇,主要介紹邏輯電平相關(guān)的一些基本概念。后續(xù)將會(huì)介紹常見(jiàn)的單端邏輯電平(針對(duì)CMOS的閂鎖效應(yīng)進(jìn)行詳細(xì)介紹)、差分邏輯電平...
2021-01-02 標(biāo)簽:CMOS邏輯電平電流驅(qū)動(dòng) 2.5萬(wàn) 0
常見(jiàn)單端邏輯電平(TTL、CMOS、SSTL、HSTL、POD12)
本篇主要介紹常用的單端邏輯電平,包括TTL、CMOS、SSTL、HSTL、POD12等。 1、TTL電平 ? ? ? 下面以一個(gè)三輸入的TTL與非門(mén)介紹...
本篇主要針對(duì)CMOS電平,詳細(xì)介紹一下CMOS的閂鎖效應(yīng)。 1、Latch up 閂鎖效應(yīng)是指CMOS電路中固有的寄生可控硅結(jié)構(gòu)(雙極晶體管)被觸發(fā)導(dǎo)通...
邏輯電平TTL/CMOS電平的互連、OC/OD的互連規(guī)范
本篇主要介紹TTL/CMOS電平的互連、OC/OD的互連,其余單端邏輯電平的互連可參考相關(guān)器件規(guī)范、電平規(guī)范。 1、TTL/CMOS互連 常用的TTL和...
邏輯電平案例:從IO口結(jié)構(gòu)分析電流倒灌的原因及解決措施
在邏輯電平互連的過(guò)程中,經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)電流倒灌的現(xiàn)象。本篇從IO口的結(jié)構(gòu)出發(fā),分析電流倒灌的原因及解決措施。 1、IO口結(jié)構(gòu) IO口根據(jù)接口類(lèi)型的不同,分為...
適用于大型平板顯示器(FPD)應(yīng)用高抖動(dòng)率的軌緩沖放大器方案設(shè)計(jì)
FPD驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)一般采用模擬或數(shù)字驅(qū)動(dòng)方式。隨著顯示分辨率的提高,輸出緩沖器的電阻和電容負(fù)載增加,而所需的沉降時(shí)間則減少。
2020-12-11 標(biāo)簽:CMOS驅(qū)動(dòng)IC數(shù)模轉(zhuǎn)換器 3516 0
作者:Bruce Trump 資深模擬工程師 CMOS和JFET放大器輸入偏置電流的來(lái)源,發(fā)現(xiàn)其主要由一個(gè)或幾個(gè)反向偏置的PN節(jié)的漏電流組成。這些漏電流...
CMOS電路因其在在功耗、抗干擾能力方面具有不可替代的優(yōu)勢(shì),以及在設(shè)計(jì)及制造方面具有簡(jiǎn)單易集成的優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛應(yīng)用。如今,在大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路特別...
當(dāng)今數(shù)碼照相機(jī)基本都是基于電荷耦合器件(CCD)或CMOS傳感器技術(shù)。這兩種技術(shù)都能將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),但它們的轉(zhuǎn)換方式不同。
下圖是由壓電振動(dòng)傳感器構(gòu)成的枕邊觸摸燈電路。將其放在枕邊,夜里只需輕碰一下安裝該電路的盒子,照明燈就會(huì)自動(dòng)點(diǎn)亮。
2020-09-18 標(biāo)簽:CMOS觸摸振動(dòng)傳感器 3221 0
MOS管設(shè)計(jì)知識(shí):傳輸管TG的原理及組合邏輯延時(shí)分析
由兩個(gè)鎖存器和中間一個(gè)存儲(chǔ)單元(一般是首尾相連的反相器)組成。鎖存器的鎖存時(shí)間相反,輸入端鎖存器打開(kāi)時(shí)存入數(shù)據(jù),鎖存時(shí)讀出數(shù)據(jù)。
基于SMIC0.18umCOMS工藝實(shí)現(xiàn)CMOS壓控振蕩器的設(shè)計(jì)
基于SMIC0.18umCOMS工藝,設(shè)計(jì)一種寬頻低功耗低相位噪聲的CMOS壓控振蕩器,電路采用差分LC振蕩器,同時(shí)采用積累型MOS可變電容、緩沖電路及...
使用開(kāi)關(guān)電容放大器電路實(shí)現(xiàn)相關(guān)雙取樣CDS功能應(yīng)用
為什么要采用相關(guān)雙取樣電路處理圖像信息?首先必須了解CMOS成像器圖像的固定圖樣噪聲FPN(Fixed Pattern Noise)問(wèn)題,在CMOS成像...
2020-09-03 標(biāo)簽:cmos放大器開(kāi)關(guān)電容 9265 0
相機(jī)的選擇十分重要,直接關(guān)系到整體設(shè)備的成本,像素多就要采用大的鏡頭,數(shù)據(jù)量大就要采用傳輸率大的數(shù)據(jù)線,還需要圖像處理卡,數(shù)據(jù)量大對(duì)運(yùn)算要求也高,對(duì)計(jì)算...
CMOS晶體管的柵極 (CMOS運(yùn)算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設(shè)計(jì)附加的電路來(lái)對(duì)脆弱的柵極進(jìn)行ESD和EOS保護(hù)。這些附加的電路是輸入偏置電...
2020-08-26 標(biāo)簽:cmos放大器運(yùn)算放大器 4000 0
斬波穩(wěn)零式高精度運(yùn)放ICL7650的工作原理及應(yīng)用電路分析
ICL7650是Intersil公司利用動(dòng)態(tài)校零技術(shù)和CMOS工藝制作的斬波穩(wěn)零式高精度運(yùn)放,它具有輸入偏置電流小、失調(diào)小、增益高、共模抑制能力強(qiáng)、響應(yīng)...
2020-08-22 標(biāo)簽:電源cmos運(yùn)算放大器 1.8萬(wàn) 0
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