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標(biāo)簽 > DDR
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
DDR=Double Data Rate雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR,其中,SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的縮寫,即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫,是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的,仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系,因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言,只需對(duì)制造普通SDRAM的設(shè)備稍加改進(jìn),即可實(shí)現(xiàn)DDR內(nèi)存的生產(chǎn),可有效的降低成本。
Double Data Rate:與傳統(tǒng)的單數(shù)據(jù)速率相比,DDR技術(shù)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)進(jìn)行兩次讀/寫操作,即在時(shí)鐘的上升沿和下降沿分別執(zhí)行一次讀/寫操作。
在高速PCB設(shè)計(jì)中,DDR模塊是絕對(duì)繞不過(guò)去的一關(guān)。無(wú)論你用的是DDR、DDR2還是DDR3,只要設(shè)計(jì)不規(guī)范,后果就是——信號(hào)反射、時(shí)序混亂、系統(tǒng)頻繁死機(jī)。
2025-04-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器DDRPCB設(shè)計(jì) 403 0
LP2998系列 帶關(guān)斷引腳的 1.5A DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器...
2025-04-29 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器DDR線性穩(wěn)壓器 160 0
TPS51200 3A 灌電流 / 拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器,帶有 VTTREF 緩沖基準(zhǔn)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS51200 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器,專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 該TPS51...
TPS53317 低輸入電壓、6A 同步降壓 SWIFT? 轉(zhuǎn)換器,用于 DDR 存儲(chǔ)器終止數(shù)據(jù)手冊(cè)
該器件是集成 FET 的同步降壓穩(wěn)壓器,主要設(shè)計(jì) 用于 DDR 終止。它可以提供 1/2 V 的穩(wěn)壓輸出~DDQ~具有 Sink 和 Source 功能...
TPS51716 完整的 DDR2/3/3L/4 存儲(chǔ)器電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源 以最低的總成本和最小空間實(shí)現(xiàn)內(nèi)存系統(tǒng)。它集成了一個(gè)同步降...
TPS53317A 0.9V-6V 輸入、6A 輸出、D-CAP+ 模式、用于 DDR VTT 的 SWIFT 同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)
該器件是集成 FET 的同步降壓穩(wěn)壓器,主要設(shè)計(jì) 用于 DDR 終止。它可以提供 1/2 V 的穩(wěn)壓輸出~DDQ~具有 Sink 和 Source 功能...
2025-04-26 標(biāo)簽:電流DDR降壓穩(wěn)壓器 168 0
TPS51200-EP 灌電流/拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS51200-EP 器件是一款灌電流和拉電流雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 終端穩(wěn)壓器 專為空間受限的低輸入電壓、低成本、低噪聲系統(tǒng)而設(shè)計(jì) 考慮。 ...
TPS54116-Q1 具有 4A、2MHz VDDQ 直流/直流轉(zhuǎn)換器、1A VTT LDO 和 VTTREF 的汽車類 DDR 電源解決方案數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS54116-Q1 器件是一款功能齊全的 6V、4A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,具有 兩個(gè)集成 MOSFET 和 1A 灌/拉雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) VTT ...
一、前言DDRSDRAM,即雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)中至關(guān)重要的一種核心組件,其應(yīng)用范圍極其廣泛。無(wú)論是在消費(fèi)電子產(chǎn)品中,還是在...
RK3588性能設(shè)置 CPU GPU DDR NPU 頻率設(shè)置
RK3588 CPU GPU DDR定頻策略
Sitara AM437x無(wú)DDR系統(tǒng)操作說(shuō)明和基準(zhǔn)測(cè)試立即下載
類別:電子資料 2024-10-11 標(biāo)簽:DDR基準(zhǔn)測(cè)試AM437x
DDR存儲(chǔ)器接口的硬件和布局設(shè)計(jì)考慮因素立即下載
類別:存儲(chǔ)器技術(shù) 2024-09-11 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器DDR
DDR終端調(diào)節(jié)器LP2996-N LP2996A數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-07 標(biāo)簽:DDR調(diào)節(jié)器
普源DHO1072示波器DDR信號(hào)測(cè)試要點(diǎn)
在進(jìn)行DDR(雙倍數(shù)據(jù)速率)信號(hào)測(cè)試時(shí),普源DHO1072示波器是一款功能強(qiáng)大的工具,能夠幫助用戶準(zhǔn)確分析和調(diào)試信號(hào)。以下是使用普源DHO1072示波器...
2025-03-14 標(biāo)簽:示波器DDR信號(hào)測(cè)試 225 0
DDR內(nèi)存頻率對(duì)性能的影響主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 一、數(shù)據(jù)傳輸速度 內(nèi)存條的頻率(MHz)代表每秒的傳輸速度,即內(nèi)存每秒能夠執(zhí)行操作的次數(shù)。頻率越高,...
2024-11-20 標(biāo)簽:DDR應(yīng)用程序內(nèi)存頻率 3050 0
如何選擇DDR內(nèi)存條 DDR3與DDR4內(nèi)存區(qū)別
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR(Double Data Rate)內(nèi)存條作為計(jì)算機(jī)的重要組成部分,其性能直接影響到電腦的運(yùn)行速度...
2024-11-20 標(biāo)簽:DDR計(jì)算機(jī)頻率 4728 0
配置上新!米爾-新唐MA35D1核心板512M DDR配置發(fā)布!
米爾在2024年8月推出了基于新唐MA35D1芯片設(shè)計(jì)的嵌入式處理器模塊MYC-LMA35核心板及開(kāi)發(fā)板。MA35D1是集成2個(gè)Cortex-A35與1...
三星電子計(jì)劃在2026年推出最后一代10nm級(jí)工藝1d nm
三星電子在最新的內(nèi)存產(chǎn)品路線圖中透露了未來(lái)幾年的技術(shù)布局。據(jù)透露,三星計(jì)劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內(nèi)存,該制程將支持高達(dá)32Gb的...
Rambus解讀:6400MT/s及以上DDR內(nèi)存速率,不可或缺的CKD芯片
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)針對(duì)服務(wù)器內(nèi)存模塊RDIMM的芯片組解決方案,Rambus一直以來(lái)有著深厚的技術(shù)實(shí)力,可提供寄存器時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(RCD)、電...
近日,深圳會(huì)展中心(福田)迎來(lái)了科技界的盛事——elexcon2024深圳國(guó)際電子展。在這場(chǎng)科技盛宴中,金泰克憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)表現(xiàn)脫穎而出,榮...
2024-09-02 標(biāo)簽:DDR存儲(chǔ)技術(shù)金泰克 611 0
三星第五代DDR產(chǎn)品良率不達(dá)標(biāo)
據(jù)報(bào)道,三星電子在最新的半導(dǎo)體技術(shù)探索中遭遇了挑戰(zhàn)。其第五代10nm級(jí)(1b)制程DRAM的良率尚未達(dá)到業(yè)界通常期望的80%~90%的水平,這一狀況引發(fā)...
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