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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù))
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AEC-Q系列認(rèn)證是公認(rèn)的車規(guī)元器件的通用測試標(biāo)準(zhǔn)。IC設(shè)計(jì)企業(yè)想要進(jìn)入汽車電子領(lǐng)域,進(jìn)入汽車電子零部件供應(yīng)鏈,AEC-Q系列是必須獲得的認(rèn)證之一。
NVIDIA首席科學(xué)家Bill Dally:深度學(xué)習(xí)硬件趨勢
Bill Dally于2009年1月加入NVIDIA擔(dān)任首席科學(xué)家,此前在斯坦福大學(xué)任職12年,擔(dān)任計(jì)算機(jī)科學(xué)系主任。Dally及其斯坦福團(tuán)隊(duì)開發(fā)了系統(tǒng)...
2024-02-25 標(biāo)簽:DRAM寄存器深度學(xué)習(xí) 1670 0
關(guān)于半導(dǎo)體價(jià)值鏈分析(設(shè)計(jì)、制造和后制造)
半導(dǎo)體價(jià)值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠(yuǎn)端制程。
2024-02-19 標(biāo)簽:DRAMNAND半導(dǎo)體制造 2074 0
通過多級存儲器的設(shè)計(jì),存儲器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲容量和訪問速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲器和主存儲器提供了快速的訪問速度,而輔助存儲器則提供了大量的...
存儲器的層次結(jié)構(gòu)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中存儲器的層次化組織,分為多個(gè)層次,每個(gè)層次具有不同的訪問速度、容量和成本。
動(dòng)態(tài)存儲器和靜態(tài)存儲器的區(qū)別
SRAM 中的每個(gè)存儲單元由多個(gè)觸發(fā)器構(gòu)成。每個(gè)觸發(fā)器可以存儲一個(gè)位的數(shù)據(jù),并在電源供電時(shí)一直保持該狀態(tài),不需要刷新操作。
DDR SDRAM,是一種雙數(shù)據(jù)速率(DDR)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SDRAM)。作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)里最重要的核心部件之一,應(yīng)用十分廣泛。從消費(fèi)類電子到...
長江存儲晶棧Xtacking架構(gòu)的原理就是在兩片獨(dú)立的晶圓上,分別加工外圍電路和存儲單元,然后在芯片封裝階段將兩者合二為一,更高效率的同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了更高的...
通常我們將存儲容量表示為:字?jǐn)?shù)X位數(shù),比如64KX8位,其含義為,以8位構(gòu)成一個(gè)字,一共有64個(gè)字。這個(gè)概念要相當(dāng)熟悉,后面理解題目很有用。
NRAM是一個(gè)近些年出現(xiàn)的新東西,它具備眾多優(yōu)點(diǎn):可以DRAM的速度提供非易失性,具有超越DRAM芯片的可擴(kuò)展性和對閃存的超強(qiáng)耐久性的潛力。
由于內(nèi)存接口芯片的大規(guī)模商用要經(jīng)過下游廠商的多重認(rèn)證,還要攻克低功耗內(nèi)存接口芯片的核心技術(shù)難關(guān),從 DDR4 世代開始,全球內(nèi)存接口芯片廠商僅剩 Ram...
隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大,DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加,為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道,糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤,...
2023-11-30 標(biāo)簽:DRAM振蕩器數(shù)據(jù)信號 753 0
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