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標(biāo)簽 > ESD保護(hù)

ESD保護(hù)簡(jiǎn)介

  ESD對(duì)電路的干擾有兩種機(jī)理:

  一種是靜電放電電流直接通過(guò)電路,對(duì)電路造成損壞;

  另一種是靜電放電電流產(chǎn)生的電磁場(chǎng)通過(guò)電容耦合,電感耦合或空間輻射耦合等途徑對(duì)電路造成干擾。

  ESD電流產(chǎn)生的場(chǎng)可以直接穿透設(shè)備,或通過(guò)孔洞。縫隙。通風(fēng)孔。輸入輸出電纜等耦合到敏感電路。當(dāng)ESD電流在系統(tǒng)內(nèi)部流動(dòng)時(shí),它們激發(fā)路徑中所經(jīng)過(guò)的天線(xiàn),這些天線(xiàn)的發(fā)射效率主要依賴(lài)于尺寸。ESD脈沖所導(dǎo)致的輻射波長(zhǎng)從幾厘米到數(shù)百米,這些輻射能量產(chǎn)生的電磁噪聲將損壞電子設(shè)備或者騷擾它們的運(yùn)行。

  ESD保護(hù)可以避免電子設(shè)備的損壞。

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esd保護(hù)知識(shí)

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esd保護(hù)技術(shù)

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這種 30V、22mΩ、N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和優(yōu)化,可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代...

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CSD25501F3 -20V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊(cè)

這款 –20V、64mΩ、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和優(yōu)化,可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)...

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