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ESD保護(hù)即防止靜電釋放對對電子設(shè)備造成電流熱（火花）效應(yīng)（如靜電引起的著火與爆炸）及和電磁效應(yīng)（如電磁干擾）等。
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CSD23285F5 -12V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、35mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊
這種 29mΩ、–12V、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化，可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減小占用空間。該技術(shù)能夠取...
CSD17585F5 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、33mOhm、柵極 ESD 保護(hù)數(shù)據(jù)手冊
這種 30V、22mΩ、N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術(shù)經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化，可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代...
CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊
這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 （LGA） NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，并...
CSD25501F3 -20V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊
這款 –20V、64mΩ、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過設(shè)計和優(yōu)化，可在許多手持式和移動應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)...
納祥科技8T射頻開關(guān)NX7007，引腳均具1kV HBM ESD保護(hù)，可替代MXD8680
NAXIANGTECHNOLOGY納祥科技NX7007單刀8擲射頻開關(guān)納祥科技NX7007是一款絕緣體上硅（SOI）單刀八擲（SP8T）天線開關(guān)，其要求...
2025-03-10 標(biāo)簽：開關(guān)ESD保護(hù)射頻開關(guān) 283 0
ESD&EOS電路保護(hù)方案 鼎先電子提供高緊湊度、低電容、低漏電、超高穩(wěn)定性的防護(hù)器件以及完善的器件組合。DFN1006、DFN0603...
2025-03-03 標(biāo)簽：ESD保護(hù)藍(lán)牙耳機(jī)EOS 276 0
產(chǎn)品介紹#TPD4E001-Q1 汽車類四通道 1.5pF、5.5V ±8kV ESD 保護(hù)二極管，帶 USB 2.0 的 VCC 引腳
TPD4E001-Q1 器件是一款低電容 TVS 二極管陣列，設(shè)計用于在連接到通信線路的敏感電子設(shè)備中提供 ESD 保護(hù)。每個通道由一對瞬態(tài)電壓抑制二極...
ESD（Electro-Static Discharge，靜電放電）保護(hù)二極管是一種用于保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電損害的半導(dǎo)體器件。在電子設(shè)備的設(shè)計和制造...
在選擇ESD（靜電放電）保護(hù)二極管的型號時，需要考慮多個因素以確保所選二極管能夠有效地保護(hù)電路免受靜電放電的損害。以下是一些關(guān)鍵的選擇要點： 一、電氣特...
ESD保護(hù)二極管，即靜電放電保護(hù)二極管，是一種用于保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電損害的半導(dǎo)體器件。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，由于靜電放電（ESD）可能導(dǎo)致設(shè)備損壞或性...
ESD（Electrostatic Discharge，即靜電放電）保護(hù)二極管是一種專門設(shè)計用于保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電影響的半導(dǎo)體器件。在現(xiàn)代電子設(shè)備...
ESD保護(hù)二極管是否有極性，取決于其具體的類型和設(shè)計 。一般來說，ESD保護(hù)二極管可以分為無極性和有極性兩種類型。 無極性ESD保護(hù)二極管 特點 ：這類...
由于xDSL設(shè)備與公用電話交換網(wǎng)(PSTN)的基礎(chǔ)設(shè)施連接，使得設(shè)備可能暴露于交流電力搭碰、電力線感應(yīng)和雷電浪涌引起的過電流和過電壓危害。所以，需要在電...
AZ5815-01F國產(chǎn)替代型SMDA05N號參數(shù)對比
已經(jīng)有很多客戶選用雷卯的 SMDA05N替代Amazing的AZ5815-01F， 客戶可以獲得更好的價格和更快的交期。
在電子產(chǎn)品制造和使用中，靜電放電往往會損傷器件，甚至使產(chǎn)品失效造成嚴(yán)重?fù)p失。因此，靜電防護(hù)就顯得尤為重要，在不同的產(chǎn)品中，對靜電的防護(hù)方案采用也各不相同。
2024-03-26 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻PCB板靜電放電 2578 0
請問ESD保護(hù)設(shè)計中的傳輸線脈沖TLP該怎么測呢？
隨著電子器件在汽車和其他產(chǎn)品上的應(yīng)用越來越廣泛（智能化），芯片的集成度也越來越高、體形也越來越小、研發(fā)的難度也越來越高，這些器件通常具有線間距短、線細(xì)、...
不同的core電壓和不同的IO電壓之間，power island之間，數(shù)字和模擬電源之間都需要加入power cut。
ESD器件的工作原理？CMOS I/O上的內(nèi)部ESD保護(hù)實現(xiàn)
靜電保護(hù)器件（ESD） 是由一個或多個 TVS 晶粒采用不同的電路拓?fù)渲瞥删哂刑囟üδ艿亩嗦坊騿温?ESD 保護(hù)器件。
TVS二極管的主要功能是將侵入到設(shè)備內(nèi)部的ESD傳輸?shù)降叵隆?/p>
ESD靜電防護(hù)原理及應(yīng)用方案設(shè)計
隨著電子設(shè)備的普及，靜電放電（ESD）已經(jīng)成為一個越來越嚴(yán)重的問題。
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