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標(biāo)簽 > esd
ESD(Electro-Static discharge)的意思是“靜電釋放”。ESD是20世紀(jì)中期以來(lái)形成的以研究靜電的產(chǎn)生、危害及靜電防護(hù)等的學(xué)科。因此,國(guó)際上習(xí)慣將用于靜電防護(hù)的器材統(tǒng)稱為ESD,中文名稱為靜電阻抗器。
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在電子設(shè)備日益精密、工作環(huán)境愈發(fā)復(fù)雜的今天,靜電放電(ESD)已成為威脅產(chǎn)品可靠性和壽命的“隱形殺手”。一個(gè)微小瞬間的靜電沖擊,可能導(dǎo)致芯片損壞、功能失...
ADM2582E/ADM2587E 2.5 kV信號(hào)和電源隔離、±15 kV ESD保護(hù)、全/半雙工RS-485收發(fā)器技術(shù)手冊(cè)
ADM2582E/ADM2587E 是具備±15 kV ESD保護(hù)功能的完全集成式信號(hào)和電源隔離數(shù)據(jù)收發(fā)器,適合多點(diǎn)傳輸線路上的高速通信應(yīng)用。內(nèi)部集成隔...
LTC2875具±60V故障保護(hù)功能的3.3V或5V 25kV ESD高速CAN收發(fā)器技術(shù)手冊(cè)
LTC2875 是一款采用 3.3V 或 5V 工作電源的堅(jiān)固型高速、低功率 CAN 收發(fā)器,在所有的操作模式 (包括斷電) 中,該器件均可在數(shù)據(jù)傳輸線...
MAX4906EF高速/全速USB 2.0開關(guān),提供高ESD保護(hù)技術(shù)手冊(cè)
MAX4906EF為帶靜電放電(ESD)保護(hù)的模擬開關(guān),具有較低的導(dǎo)通電容(C ~ON~ )和較低的導(dǎo)通電阻(R ~ON~ ),能夠滿足系統(tǒng)對(duì)開關(guān)性能的...
2025-05-26 標(biāo)簽:ESD模擬開關(guān) 147 0
MAX4983E/MAX4984E高速USB 2.0開關(guān),具有±15kV ESD保護(hù)技術(shù)手冊(cè)
MAX4983E/MAX4984E為具有高ESD保護(hù)的模擬開關(guān),具有較低的導(dǎo)通電容和較低的導(dǎo)通電阻,能夠滿足系統(tǒng)對(duì)高性能開關(guān)的應(yīng)用要求。COM1和COM...
2025-05-26 標(biāo)簽:ESDusb模擬開關(guān) 146 0
MAX14531E–MAX14534E帶高壓ESD保護(hù)的DP3T開關(guān)復(fù)用三個(gè)通道的高速(480Mbps) USB信號(hào)、低速/全速USB信號(hào)以及交流耦合的...
UCC27201A 具有 8V UVLO 和負(fù)電壓處理能力的 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2720xA 系列高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè) 120V 自舉二極管和具有獨(dú)立輸入的高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性。這允...
2025-05-20 標(biāo)簽:二極管ESDMOSFET驅(qū)動(dòng)器 316 0
UCC27200A 具有 8V UVLO、負(fù)電壓處理和 CMOS 輸入的 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC2720xA 系列高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器包括一個(gè) 120V 自舉二極管和具有獨(dú)立輸入的高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器,可實(shí)現(xiàn)最大的控制靈活性。這允...
2025-05-20 標(biāo)簽:ESD引腳MOSFET驅(qū)動(dòng)器 245 0
ESD技術(shù)文檔:芯片級(jí)ESD與系統(tǒng)級(jí)ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)介紹和差異分析
ESD技術(shù)文檔:芯片級(jí)ESD與系統(tǒng)級(jí)ESD測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)介紹和差異分析
靜電的起因與靜電效應(yīng):技術(shù)分析與應(yīng)用摘要
靜電(Electrostatics)是由于電荷積累或轉(zhuǎn)移引起的現(xiàn)象,廣泛存在于日常生活和工業(yè)環(huán)境中。靜電的起因主要包括接觸起電、摩擦起電和感應(yīng)起電,而其...
晶揚(yáng)電子超低電容ESD保護(hù)器件TT0501SZ產(chǎn)品介紹
晶揚(yáng)電子推出一款用于高速信號(hào)線和高頻天線的超低電容ESD保護(hù)器件—TT0501SZ。該產(chǎn)品使用最新的超低電容平臺(tái)和先進(jìn)封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了對(duì)超高速線路和高頻天...
半導(dǎo)體芯片的ESD靜電防護(hù):原理、測(cè)試方法與保護(hù)電路設(shè)計(jì)
半導(dǎo)體芯片易受大電流與高電壓現(xiàn)象影響。為實(shí)現(xiàn)元件級(jí)保護(hù),我們采用片上ESD保護(hù)電路來(lái)提供安全的靜電放電電流泄放路徑。靜電放電(ESD)是電子設(shè)備面臨的常...
2025-05-13 標(biāo)簽:ESD電路設(shè)計(jì)半導(dǎo)體芯片 595 0
TPS27081A 具有可調(diào)上升時(shí)間的 8V、3A、44mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS27081A 器件是一款高側(cè)負(fù)載開關(guān),集成了 Power PFET 和 控制 NFET 在一個(gè)微型封裝中。 TPS27081A 的所有引腳均...
2025-05-12 標(biāo)簽:ESD封裝負(fù)載開關(guān) 272 0
ESD/TVS二極管選型指南:關(guān)鍵參數(shù)解析與應(yīng)用案例詳解
在電子設(shè)備中,靜電放電(ESD)、雷擊、浪涌電壓等瞬態(tài)過(guò)壓事件可能瞬間損壞精密電路。ESD二極管和TVS(瞬態(tài)電壓抑制)二極管是兩類關(guān)鍵保護(hù)元件,需根據(jù)...
多層級(jí)ESD防護(hù)體系構(gòu)建:MDDTVS二極管如何與其他元件協(xié)同作戰(zhàn)?
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,靜電放電(ESD)是一種常見(jiàn)但又極具破壞性的威脅。無(wú)論是消費(fèi)電子、通信設(shè)備,還是汽車電子和工業(yè)控制系統(tǒng),ESD都可能導(dǎo)致器件性能下降甚...
如何布線才能降低MDDESD風(fēng)險(xiǎn)?PCB布局的抗干擾設(shè)計(jì)技巧
在現(xiàn)代電子產(chǎn)品日益集成化、小型化的趨勢(shì)下,MDDESD(靜電二極管)防護(hù)設(shè)計(jì)變得至關(guān)重要。除了元器件選型,PCB的布線與布局也是影響ESD抗擾性能的關(guān)鍵...
2025-04-25 標(biāo)簽:ESDPCB布局抗干擾設(shè)計(jì) 234 0
ESD防護(hù)設(shè)計(jì)中的10個(gè)常見(jiàn)誤區(qū),你中招了嗎?
在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中,ESD(靜電放電)防護(hù)已成為設(shè)計(jì)中不可忽視的一環(huán)。然而,即便是經(jīng)驗(yàn)豐富的工程師,也常會(huì)在ESD設(shè)計(jì)中掉進(jìn)一些看似“理所當(dāng)然”的誤區(qū)。以...
HMC8073 0.6GHz到3.0GHz、0.5 dB LSB、6位硅數(shù)字步進(jìn)衰減器技術(shù)手冊(cè)
HMC8073 是一款 6 位數(shù)字步進(jìn)衰減器 (DSA),工作頻率范圍為 0.6 GHz 到 3.0 GHz,衰減范圍為 31.5 dB,步進(jìn)為 0.5...
如何選擇合適的MDDESD保護(hù)二極管?關(guān)鍵參數(shù)與選型技巧解析
在電子設(shè)備日益小型化和高集成化的今天,靜電放電(ESD)已成為導(dǎo)致器件失效的主要威脅之一。某智能手表項(xiàng)目因ESD防護(hù)不足,導(dǎo)致30%的產(chǎn)品在用戶佩戴初期...
移動(dòng)設(shè)備中的MDDESD防護(hù)挑戰(zhàn):微型化封裝下的可靠性保障
隨著智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備等移動(dòng)終端的發(fā)展,整機(jī)集成度不斷提升,芯片封裝和電路板設(shè)計(jì)愈發(fā)微型化。在追求輕薄與性能的同時(shí),電子元件在靜電放電(MD...
2025-04-22 標(biāo)簽:二極管ESD移動(dòng)設(shè)備 158 0
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