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HMC8073 0.6GHz到3.0GHz、0.5 dB LSB、6位硅數(shù)字步進(jìn)衰減器技術(shù)手冊(cè)

要長(zhǎng)高 ? 2025-04-23 14:44 ? 次閱讀

概述
HMC8073 是一款 6 位數(shù)字步進(jìn)衰減器 (DSA),工作頻率范圍為 0.6 GHz 到 3.0 GHz,衰減范圍為 31.5 dB,步進(jìn)為 0.5 dB。

HMC8073 通過(guò)硅工藝實(shí)現(xiàn),具有很短的建立時(shí)間、低功耗以及高靜電放電 (ESD) 抗擾性。該器件具有安全狀態(tài)轉(zhuǎn)換功能,從而能夠在不發(fā)生過(guò)沖的情況下發(fā)生衰減狀態(tài)變化,該器件還進(jìn)行了優(yōu)化,可以在工作頻率和溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)出色的步進(jìn)精度以及高功率和高線(xiàn)性度。射頻 (RF) 輸入和輸出可在內(nèi)部與 50 Ω 相匹配,不需要任何外部匹配組件。該設(shè)計(jì)是雙向的,RF 輸入和輸出可互換。

利用 HMC8073 的外部地址功能,用戶(hù)可以通過(guò)單條總線(xiàn)控制多達(dá)八個(gè) DSA。該 DSA 具有一個(gè)片內(nèi)穩(wěn)壓器,該穩(wěn)壓器支持 3.3 V 到 5.0 V 的寬電源工作范圍,而不會(huì)在電氣特性方面產(chǎn)生性能變化。HMC8073 包含一個(gè)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) - 和晶體管晶體管邏輯 (TTL) - 兼容接口,該接口支持對(duì)衰減器進(jìn)行串行(3 線(xiàn))控制。

HMC8073 采用符合 RoHS 指令的緊湊式 3 mm × 3 mm LFCSP 封裝。
數(shù)據(jù)表:*附件:HMC8073 0.6GHz到3.0GHz、0.5 dB LSB、6位硅數(shù)字步進(jìn)衰減器技術(shù)手冊(cè).pdf

應(yīng)用

  • 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
  • 微波無(wú)線(xiàn)電
  • 甚小孔徑終端
  • 測(cè)試量設(shè)備和傳感器

特性

  • 衰減范圍:0.5 dB LSB,步進(jìn)為 31.5 dB
  • 低插入損耗
    • 1.0 GHz 時(shí)為 1.1 dB
    • 2.0 GHz 時(shí)為 1.5 dB
  • 極高的衰減精度
  • 低于 ±0.25 dB(以及 3% 的衰減狀態(tài))
  • 低相移誤差:1.0 GHz 時(shí)相移為 4°
  • 雙向使用:30 dBm 高功率處理能力
  • 在 RFIN/RFOUT 引腳上提供內(nèi)部直流隔斷器
  • 高線(xiàn)性度
    • P1dB:31 dBm(典型值)
    • 輸入 IP3:52 dBm(典型值)
    • 安全狀態(tài)轉(zhuǎn)換
  • TTL/CMOS 串行接口
    • 在單條數(shù)據(jù)總線(xiàn)上連接多達(dá) 8 個(gè)器件
  • 單電源供電:3.3 V 到 5.0 V
  • ESD 靈敏度額定值:1C 級(jí)(1 kV 人體模型)
  • 16 引腳 3 mm × 3 mm LFCSP 封裝:9 mm^2^

框圖
image.png

電氣規(guī)格
image.png

時(shí)序圖
image.png

引腳配置描述
image.png

接口示意圖
image.png

應(yīng)用信息

評(píng)估印刷電路板(PCB

圖25展示了帶有元件布局的EV1HMC8073LP3D。EV1HMC8073LP3D是一款四層印刷電路板,頂層和底層銅層為0.7密耳,各銅層之間由電介質(zhì)材料隔開(kāi)。頂層電介質(zhì)材料為10密耳的Rogers 4350,中間層電介質(zhì)材料為FR - 4,用于提供機(jī)械強(qiáng)度并使電路板總厚度約為62密耳,這樣可在板邊連接SMA連接器。
所有射頻和直流走線(xiàn)都布置在頂層銅層。射頻傳輸線(xiàn)采用共面波導(dǎo)(CPWG)模型設(shè)計(jì),線(xiàn)寬為18密耳,間距為13密耳,電介質(zhì)厚度為10密耳,特性阻抗為50Ω。頂層和底層接地層為射頻傳輸線(xiàn)提供穩(wěn)固的接地。為實(shí)現(xiàn)最佳電氣和熱性能,應(yīng)圍繞傳輸線(xiàn)及器件外露焊盤(pán)布置盡可能多的過(guò)孔。圖25所示的評(píng)估板布局和原理圖可作為改善熱效率的參考。
EV1HMC8073LP3D通過(guò)直流測(cè)試點(diǎn)TP3接地。直流電源必須連接到EV1HMC8073LP3D的直流測(cè)試點(diǎn)TP1。去耦電容布置在電源走線(xiàn)旁,以濾除高頻噪聲。
射頻輸入和輸出端口(RFIN和RFOUT)分別通過(guò)50Ω?jìng)鬏斁€(xiàn)連接到SMA連接器J1和J2。所有數(shù)字控制引腳通過(guò)數(shù)字信號(hào)線(xiàn)連接到2×6引腳接頭J5。一條直通校準(zhǔn)傳輸線(xiàn)可用于估算評(píng)估環(huán)境條件下印刷電路板的損耗。
image.png

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    <b class='flag-5'>HMC8073</b> <b class='flag-5'>0.6</b> <b class='flag-5'>GHz</b> <b class='flag-5'>到</b> <b class='flag-5'>3.0</b> <b class='flag-5'>GHz</b>、<b class='flag-5'>0.5</b> <b class='flag-5'>dB</b> <b class='flag-5'>LSB</b>、<b class='flag-5'>6</b> <b class='flag-5'>位</b><b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>數(shù)字</b><b class='flag-5'>步進(jìn)</b><b class='flag-5'>衰減器</b>

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