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ESD(Electro-Static discharge)的意思是“靜電釋放”。ESD是20世紀中期以來形成的以研究靜電的產(chǎn)生、危害及靜電防護等的學(xué)科。因此,國際上習(xí)慣將用于靜電防護的器材統(tǒng)稱為ESD,中文名稱為靜電阻抗器。
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TL331B-Q1 汽車級、36V、單路比較器技術(shù)手冊
TL331B-Q1 和 TL391B-Q1 器件是業(yè)界通用 TL331-Q1 比較器的下一代版本。下一代器件為成本敏感型應(yīng)用提供了卓越的價值,其特性包括...
ESD/TVS二極管選型指南:關(guān)鍵參數(shù)解析與應(yīng)用案例詳解
在電子設(shè)備中,靜電放電(ESD)、雷擊、浪涌電壓等瞬態(tài)過壓事件可能瞬間損壞精密電路。ESD二極管和TVS(瞬態(tài)電壓抑制)二極管是兩類關(guān)鍵保護元件,需根據(jù)...
我們在硅和封裝技術(shù)方面的不斷創(chuàng)新,特別支持晶圓級芯片級封裝(WLCSP)和超薄小外形(XSON)封裝選項的關(guān)鍵小型化趨勢。長期以來,Nexperia的無...
智能化設(shè)備的質(zhì)量與可靠性均與大多數(shù)的電磁兼容(EMC)、電磁干擾(EMI)問題有關(guān),而PCB的布局和堆疊設(shè)計是這其中重要的一環(huán)。充電器芯片U6218C設(shè)...
TL391B-Q1 具有替代引腳的汽車級、36V、單路比較器技術(shù)手冊
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在使用TVS二極管保護ESD 損害的同時,必須配合合理的PCB 布局。首先是要避免自感。對于ESD 這樣巨變突發(fā)的脈沖,很可能會在回路中引起寄生自感,進...
TL081H 單路、40V、5.25MHz、低失調(diào)電壓、20V/μs運算放大器技術(shù)手冊
TL08xH(TL081H、TL082H 和 TL084H)系列器件是業(yè)界通用的 TL08x(TL081、TL082 和 TL084)器件的下一代版本。...
2025-04-02 標簽:ESD運算放大器失調(diào)電壓 399 0
MDDESD靜電放電對電子元器件的影響:從損壞機制到防護策略
MDD靜電放電(ElectrostaticDischarge,ESD)是電子系統(tǒng)中極為常見又極易被忽視的威脅之一。特別是在半導(dǎo)體分立器件和IC封裝日趨微...
LM393B 商業(yè)級雙路標準比較器技術(shù)手冊
LM393B 和 LM2903B 器件是業(yè)界通用 LM393 和 LM2903 比較器系列的下一代版本。下一代 B 版本比較器具有更低的失調(diào)電壓、更高的...
ESD(靜電放電)是導(dǎo)致電子元件失效的主要誘因之一,靜電保護器件選型直接影響設(shè)備可靠性。本文深度解析ESD二極管選型時必須評估的8大關(guān)鍵技術(shù)指標,為電路...
在PCB板的設(shè)計當中,可以通過分層、恰當?shù)牟季諴CB抄板PCB抄板布線和安裝實現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計。在設(shè)計過程中,通過預(yù)測可以將絕大多數(shù)設(shè)計修改僅限于...
ADM2582E/ADM2587E 2.5 kV信號和電源隔離、±15 kV ESD保護、全/半雙工RS-485收發(fā)器技術(shù)手冊
ADM2582E/ADM2587E 是具備±15 kV ESD保護功能的完全集成式信號和電源隔離數(shù)據(jù)收發(fā)器,適合多點傳輸線路上的高速通信應(yīng)用。內(nèi)部集成隔...
UCC27201A 具有 8V UVLO 和負電壓處理能力的 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
UCC2720xA 系列高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器包括一個 120V 自舉二極管和具有獨立輸入的高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動器,可實現(xiàn)最大的控制靈活性。這允...
2025-05-20 標簽:二極管ESDMOSFET驅(qū)動器 320 0
不同的應(yīng)用場景對 ESD 保護器件的要求各不相同。例如,對于高速數(shù)據(jù)傳輸接口,如 USB 3.0、HDMI 2.0 等,需要選擇電容低、響應(yīng)速度快的 E...
ESD防護設(shè)計中的10個常見誤區(qū),你中招了嗎?
在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中,ESD(靜電放電)防護已成為設(shè)計中不可忽視的一環(huán)。然而,即便是經(jīng)驗豐富的工程師,也常會在ESD設(shè)計中掉進一些看似“理所當然”的誤區(qū)。以...
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