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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個節(jié)點推向下一個階段，本單元詳細介紹了EUV光刻機，EUV光刻機技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機的技術(shù)、市場問題，國產(chǎn)euv光刻機發(fā)展等內(nèi)容。

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EUV光刻工藝制造技術(shù)主要有哪些難題？

光掩?？梢员徽J為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內(nèi)。然后，光掩?？梢晕栈蛏⑸涔庾?，或允許它們穿過晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。

2023-03-03 標簽：gpu 晶體管光刻機 2289 0

什么是摩爾定律，“摩爾定律2.0”從2D微型化到3D堆疊

在3D實現(xiàn)方面，存儲器比邏輯更早進入實用階段。NAND閃存率先邁向3D 。隨著目前量產(chǎn)的20-15nm工藝，所有公司都放棄了小型化，轉(zhuǎn)而轉(zhuǎn)向存儲單元的三...

2023-12-02 標簽：集成電路英特爾摩爾定律 2232 0

Overlay如何與EUV圖案保持同步

套刻計量（Overlay metrology）工具可提高精度，同時提供可接受的吞吐量，解決日益復(fù)雜的設(shè)備中的競爭要求。

2023-07-10 標簽：內(nèi)存光刻機器學(xué)習(xí) 2228 0

照亮半導(dǎo)體創(chuàng)新之路

上海2024年9月5日?/美通社/ -- 全球半導(dǎo)體行業(yè)正處于爆炸性增長的軌道上，預(yù)計到2030年市場規(guī)模將達到驚人的1萬億美元（2023年超過5000...

2024-09-05 標簽：半導(dǎo)體激光器晶圓 2149 0

幾種新興存儲器的技術(shù)對比

根據(jù)存儲與計算的距離遠近，將廣義存算一體的技術(shù)方案分為三大類，分別是近存計算 (Processing Near Memory，PNM)、存內(nèi)處理(Pro...

2023-06-09 標簽：存儲器光刻機 EUV 2013 0

納米壓印，終于走向臺前？

納米壓印技術(shù)，即Nanoimprint Lithography（NIL），是一種新型的微納加工技術(shù)。該技術(shù)將設(shè)計并制作在模板上的微小圖形，通過壓印等技術(shù)...

2023-05-19 標簽：晶體管納米光刻機 2001 0

半導(dǎo)體工藝與制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢

摘要：針對半導(dǎo)體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢進行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度，分析半導(dǎo)體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢，重點介紹集成電路...

2023-05-23 標簽：集成電路半導(dǎo)體工藝 1981 0

什么是納米壓印技術(shù)？能否取代***？

納米壓印是微納工藝中最具發(fā)展?jié)摿Φ牡谌饪坦に?，是最有希望取代極紫外光的新一代工藝。最近，海力士公司從佳能購買了一套奈米壓印機，進行了大規(guī)模生產(chǎn)，并取...

2023-11-08 標簽：芯片晶體管光刻機 1923 0

光刻掩膜版保護膜常見的類型有哪些？

掩膜版保護膜，mask pellicle，是一種透明的薄膜，在生產(chǎn)中覆蓋在掩膜版的表面。顧名思義，主要對掩膜版起物理與化學(xué)保護作用。

2024-01-04 標簽：光刻 EUV 芯片制程 1897 0

芯片背面供電網(wǎng)絡(luò)的三種實現(xiàn)方式通信

實現(xiàn)3nm以下微縮的關(guān)鍵技術(shù)之一涉及在芯片背面提供功率。這種新穎的方法增強了信號完整性并減少了路由擁塞，但它也帶來了一些新的挑戰(zhàn)，目前還沒有簡單的解決方案。

2022-11-25 標簽：晶體管光刻技術(shù)EUV 1895 0

EUV反射鏡的鍍膜工藝：如何選擇合適的鍍膜機

對基板移動進行仔細管理和將基板支架的機械公差降至最低，實現(xiàn)無與倫比的厚度均勻性濺射工藝的卓越穩(wěn)定性和極高水平的層厚度精度。

2024-02-21 標簽：光譜反射鏡鍍膜機 1895 0

華為EUV光刻新專利可解決相干光無法勻光問題

該專利提供一種光刻裝置，該光刻裝置通過不斷改變相干光形成的干涉圖樣，使得照明視場在曝光時間內(nèi)的累積光強均勻化，從而達到勻光的目的，進而也就解決了相關(guān)技術(shù)...

2022-11-23 標簽：華為光刻 EUV 1681 0

極紫外 (EUVL) 光刻設(shè)備技術(shù)應(yīng)用分析

歐洲極紫外光刻（EUVL）技術(shù)利用波長為13.5納米的光子來制造集成電路。產(chǎn)生這種光的主要來源是使用強大激光器產(chǎn)生的熱錫等離子體。激光參數(shù)被調(diào)整以產(chǎn)生大...

2023-09-25 標簽：濾波器激光器光刻 1583 0

一文看懂EUV光刻

極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項重要但復(fù)雜的技術(shù)。

2023-06-06 標簽：半導(dǎo)體晶圓光刻 1552 0

研究透視：當(dāng)然之極Science-極紫外超透鏡

超快光譜學(xué)和半導(dǎo)體光刻領(lǐng)域皆依賴于非常短的波長，往往在極紫外extreme ultraviolet，EUV波段。然而，大多數(shù)光學(xué)材料強烈地吸收該波長范圍...

2023-04-12 標簽：半導(dǎo)體光刻 EUV 1495 0

EUV光刻技術(shù)出現(xiàn)新的挑戰(zhàn)：3nm節(jié)點的金屬間距約為22nm

22 nm 節(jié)距quasar illumination的較小部分使得最低衍射級避免了遮擋可以安全使用，但填充的pupil不到 20%，這再次意味著額外的...

2022-08-10 標簽：光刻機光刻技術(shù)EUV 1494 0

高數(shù)值孔徑EUV的可能拼接解決方案

采用曲線掩模的另一個挑戰(zhàn)是需要將兩個掩模縫合在一起以在晶圓上形成完整的圖像。對于高數(shù)值孔徑 EUV，半場掩模的拼接誤差是一個主要問題。

2023-10-23 標簽：芯片人工智能 EUV 1412 0

芯片制造的光刻支出如何隨著各種節(jié)點縮小演變歷程

單片設(shè)計每個晶圓有 30 個好的die，而小芯片 MCM 設(shè)計每個晶圓有 79 個好的die。假設(shè)所有有缺陷的die都必須扔進垃圾桶。如果沒有芯片良率收...

2022-07-22 標簽：cpu 晶圓光刻 1359 0

關(guān)于英特爾4處理節(jié)點技術(shù)詳解

EUV 的使用也對英特爾的產(chǎn)量產(chǎn)生了積極影響。盡管該公司沒有提供確切的數(shù)字，但步驟數(shù)量的減少減少了任何會在晶圓上引入缺陷的錯誤的機會。

2022-08-11 標簽：英特爾 EUV 1323 0

光學(xué)光刻技術(shù)有哪些分類光刻技術(shù)的原理

光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限...

2023-10-24 標簽：芯片集成電路芯片制造 1304 0

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