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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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先進(jìn)單溝道高壓隔離柵極驅(qū)動(dòng)器GD3160介紹
電動(dòng)車逐漸代替燃油車已經(jīng)成為一種不可逆轉(zhuǎn)的趨勢。電動(dòng)車上最主要的動(dòng)力來源就是主驅(qū)電機(jī),所以作為主驅(qū)電機(jī)的控制方案就變得尤為重要。
2023-06-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 7168 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn),具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降...
怎樣防止IGBT線路短路?IGBT模塊化分析與設(shè)計(jì)
在vdc=1200v下進(jìn)行了短路試驗(yàn),試驗(yàn)波形如圖6所示??梢?,在關(guān)斷開通短路電流和通態(tài)短路電流時(shí),vcemax被可靠地箝位在1350v,小于vces(...
IGBT短路時(shí)的工作狀態(tài)、短路保護(hù)電路的原理
每次談到IGBT都要把它的優(yōu)點(diǎn)先說一遍,就當(dāng)我嘮叨了。IGBT結(jié)合了電力場效應(yīng)管和電力晶體管導(dǎo)通、關(guān)斷機(jī)制的優(yōu)點(diǎn),相比于其他大功率開關(guān)器件,IGBT的驅(qū)...
2023-05-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管IGBT變流器 7094 0
什么是IGBT?IGBT的等效結(jié)構(gòu)/工作原理/類型/特性
晶閘管是現(xiàn)代電子學(xué)中使用最多的元件,邏輯電路用于開關(guān)和放大。BJT和MOSFET是最常用的晶體管類型,它們每個(gè)都有自己的優(yōu)勢和一些限制。IGBT(絕緣柵...
功率半導(dǎo)體器件:IGBT模塊和IPM模塊的定義及區(qū)別
IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的...
BOS大功率逆變模塊主要由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、開關(guān)電源、散熱器、電解、吸收電容、驅(qū)動(dòng)板、銅板等部件相互連接組成,該模塊組采用IGBT逆變技術(shù)...
IGBT的柵極電壓影響著集電極輸出電流IC的大小,電路中如果用閾值電壓VGE(th)不同的IGBT組成并聯(lián)電路,即使柵極電壓相同,流過各支路的電流也會(huì)有...
2019-08-21 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 6957 0
全面解析IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、特性、優(yōu)缺點(diǎn)
IGBT 有三個(gè)端子(集電極、發(fā)射極和柵極)都附有金屬層。然而,柵極端子上的金屬材料具有二氧化硅層。
igbt參數(shù)詳解 IGBT功率模塊 IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)
在可使用的結(jié)溫范圍內(nèi)柵極-發(fā)射極短路狀態(tài)下,允許的斷態(tài)集電極-發(fā)射極最高電壓。
IGBT集-射極之間的瞬時(shí)過壓會(huì)對(duì)IGBT造成損壞,筆者采用箝位式吸收電路對(duì)瞬時(shí)過電壓進(jìn)行抑制。
2019-10-07 標(biāo)簽:IGBTIGBT驅(qū)動(dòng) 6769 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊是一種功率半導(dǎo)體器件,它是由多個(gè)IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動(dòng)電路、...
2023-02-20 標(biāo)簽:模塊IGBT功率半導(dǎo)體 6761 0
IGBT在電路設(shè)計(jì)中需要遵守的準(zhǔn)則,為什么IGBT會(huì)在電路中失效?
IGBT柵極負(fù)偏電壓—UGE直接影響其可靠運(yùn)行,負(fù)偏電壓升高時(shí)集電極的浪涌電流明顯下降,對(duì)關(guān)斷能耗無顯著的影響?!猆GE與集電極浪涌電流和關(guān)斷能耗Eof...
2017-05-16 標(biāo)簽:pcb電容電路設(shè)計(jì) 6744 0
對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能; 獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù); 評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適; 開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩;
海上風(fēng)電柔直的行業(yè)最新趨勢及功率半導(dǎo)體解決方案
風(fēng)力發(fā)電作為清潔能源的重要方式,近年來得到快速發(fā)展與推廣。在中國,內(nèi)陸風(fēng)力開發(fā)資源已相對(duì)飽和,海上風(fēng)電將成為風(fēng)電產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的熱點(diǎn);根據(jù)國家風(fēng)電“十三五...
2019-01-09 標(biāo)簽:IGBT海上風(fēng)電 6626 0
智能汽車電池管理系統(tǒng)應(yīng)用設(shè)計(jì)
很多人的眼光聚焦于IGBT,功率器件是很貴,確實(shí)也很難做,但是如果出點(diǎn)事情,把ADC這一層的模擬芯片給拿掉了,我們的電池管理系統(tǒng)也就沒了根。
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