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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產品方案企業(yè) IGBT選型

igbt技術

主流功率半導體器件IGBT的歷史沿革和最新研究

本文首先介紹了 IGBT 技術的研究現(xiàn)狀，并對 IGBT 不同結構的特點和電學特性做了簡要闡述；最后列舉了一些最新的研究成果，并探討了 IGBT 的 ...

2023-02-24 標簽：emi IGBT 半導體器件 5738 0

如何理解FIT和MTBF

如果一個系統(tǒng)由50個器件組成，每個器件的失效率均為250fit，則該系統(tǒng)的MTBF為：1/（50*250fit）=80000h（小時）。

2021-08-19 標簽：英飛凌 IGBT MTBF 5725 0

電焊機IGBT怎么選擇？

工控的IGBT市場規(guī)模在近年來逐步增大，尤其是隨著我國變頻器、電焊機市場穩(wěn)步增長，工業(yè)機器人市場加速發(fā)展，對應的工控 IGBT 市場也將穩(wěn)步增長。

2023-02-24 標簽：UPS 電焊機 IGBT 5706 0

如何通過門極電阻來調整IGBT開關的動態(tài)特性呢？

IGBT的開關特性是通過對門極電容進行充放電來控制的，實際應用中經常使用＋15V的正電壓對IGBT進行開通，再由-5V…-8V…-15V的負電壓進行關斷。

2023-07-04 標簽：MOSFET IGBT 續(xù)流二極管 5685 0

IGBT的開通過程

IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅動功率小和開關速度...

2022-07-08 標簽：IGBT 晶體管柵極電壓 5600 0

為什么IGBT會發(fā)生退飽和現(xiàn)象？

這是某產品輸出特性曲線，可以看到IGBT工作區(qū)分為三個部分。

2023-11-03 標簽：MOSFET IGBT MOS 5587 0

基于IGBT電路的逆變器設計與分析，IGBT數(shù)字化模塊設計與考量

　選擇導通阻抗非常低的mosFET作為開關器件，構成IGBT柵極功率輸出電路，如圖4，同時，采用多個柵極電阻切換的方式，實現(xiàn)不同條件下對IGBT性能的調...

2017-05-17 標簽：光纖電壓 igbt 5584 0

絕緣柵雙極晶體管知識：IGBT對比功率MOSFET和BJT的優(yōu)勢

由于電導率調制，它具有非常低的導通狀態(tài)電壓降，并具有出色的導通狀態(tài)電流密度。因此，較小的芯片尺寸是可能的，并且可以降低成本。

2021-05-27 標簽：驅動器開關電源 PWM 5511 0

IGBT工作原理/主要參數(shù)/特性曲線/選型/應用

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)金氧...

2023-02-08 標簽：三極管 MOSFET MOS管 5481 0

IGBT的檢測方法

　根據(jù)場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向...

2016-04-05 標簽：IGBT VMOS管雙極型晶體管 5475 0

超軟IGBT續(xù)流二極管具備行業(yè)領先的低損耗特性

英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現(xiàn)代IGBT應用而設計的新型二極管系列：英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進的關斷能...

2018-06-22 標簽：英飛凌 igbt 續(xù)流二極管 5454 0

IGBT開關損耗產生的原因與PiN二極管的正向恢復特性

大家好，這期我們再聊一下IGBT的開關損耗，我們都知道IGBT開關損耗產生的原因是開關暫態(tài)過程中的電壓、電流存在交疊部分，由于兩者都為正，這樣就會釋放功...

2022-04-19 標簽：二極管 IGBT 開關損耗 5451 0

IGBT模塊上的續(xù)流二極管

IGBT 模塊上有一個“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢?

2022-12-29 標簽：二極管變頻器 IGBT 5448 0

SPWM應用實例和原理解析

下圖是兩電平橋SPWM電路的結構圖。該電路采用兩電平、三橋臂的主電路模式，采用IGBT作為開斷元件，采用二極管構建旁通回路，通過調制SPWM的脈沖控制信...

2023-12-03 標簽：二極管 PWM 逆變器 5446 0

什么是IGBT？

什么是IGBT？本文的關鍵要點?IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的縮寫，中文名稱是“絕緣柵雙極晶體管”。

2023-02-13 標簽：MOSFET IGBT 晶體管 5446 0

飛兆半導體的超結MOSFET和IGBT SPICE模型解讀

如果有足夠的時間，大多數(shù)工程師都有正確的意圖。作為工程師，您想多久了解一次電路應用中每個部分的行為？是的-檢查。半導體公司的模型通常能真正代表電路應用條...

2021-04-02 標簽：MOSFET IGBT PSPICE 5441 0

變頻器igbt工作原理和作用

IGBT的開關速度指的是從導通到截止（或反之）所需的時間。快速的開關速度有助于減少功率損耗和提高效率，但過快的開關速度可能會增加電壓和電流的瞬態(tài)壓降，導...

2024-03-18 標簽：變頻器 PWM IGBT 5423 0

IGBT的結構簡述 IGBT驅動電路的作用及基本特點

　　IGBT，中文名稱絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和...

2023-02-20 標簽：三極管 MOSFET IGBT 5418 0

LED芯片封裝材料有哪些？led芯片封裝工藝流程

有機硅，即有機硅化合物，指含有 Si-O 鍵、且至少有一個有機基是直接與硅原子相連的化合物。有機硅產品的關鍵性能包含優(yōu)異的耐溫性，即高溫、低溫環(huán)境下...

2023-08-11 標簽：LED芯片 IGBT LED封裝 5390 0

IGBT關斷尖峰電壓產生原理 IGBT有源鉗位電路原理分析

在光伏逆變器等大功率應用場合，主電路(直流電容到IGBT模塊間)存在較大雜散電感(幾十到數(shù)百nH)。IGBT關斷時，集電極電流下降率較高，即存在較高的d...

2024-07-26 標簽：二極管 IGBT 光伏逆變器 5387 0

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